<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>
0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

長江存儲128層NAND閃存研發成功,跳過了96層

獨愛72H ? 來源:比特網 ? 作者:比特網 ? 2020-05-07 14:59 ? 次閱讀

(文章來源:比特網)

長江存儲科技有限責任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發成功,這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。

此前,1月初,長江存儲在市場合作伙伴年會上就透露過,他們將會跳過96層,直接投入128層閃存的研發和量產。長江存儲市場與高級副總裁龔翊表示:“作為閃存行業新人,長江存儲用3年時間實現了32層、64層再到128層的跨越?!?/p>

據悉,長江存儲的128層QLC?3D?NAND閃存產品將會在最晚明年第二季度量產,而達到滿產時將會有月均10萬片的產能。

長江存儲在2019年9月在IC?China?2019紫光集團展臺推出了64層3D?NAND閃存,并開始量產,對于此產品,龔翊表示,長江存儲的64層閃存絕不是低端產品,在保證質量的同時,也能保證盈利?,F在,隨著5G、人工智能等高新技術的快速發展,為了滿足它們的需求,128層QLC閃存將會率先應用到消費級SSD產品中,并且逐步進入到企業級服務器、數據中心等領域。

目前,受到疫情的影響,今年半導體市場將會很艱難,根據Gartner給出的報道顯示,2020年全球半導體收入預計將會下降0.9%,不過,僅就存儲器市場而言,由于需求增大,NAND閃存全年收入預計將會增加40%。

所以,對于研發出128層QLC?NAND閃存的長江存儲來說,2020年有望是實現突破的一年,而且,進入到100+層數之后,他們與三星、Intel等國際巨頭的距離進一步縮小,對于長江存儲的未來,我們還是非??春玫?。
(責任編輯:fqj)

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 閃存
    +關注

    關注

    16

    文章

    1697

    瀏覽量

    114288
  • 長江存儲
    +關注

    關注

    5

    文章

    314

    瀏覽量

    37591
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

    根據官方介紹,長江存儲X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同時讀取、寫入速度都有著接近100%的提升。
    發表于 04-03 15:04 ?267次閱讀
    <b class='flag-5'>長江</b><b class='flag-5'>存儲</b>QLC<b class='flag-5'>閃存</b>壽命實現重大突破

    長江存儲:QLC閃存已完成4000次P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術

    值得注意的是,長江存儲首席技術官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業已經在飽受煎熬的2023年逐步復蘇,并有望在2023~2027年間實現21%的復合增長率以及20%的累計設備平均容
    的頭像 發表于 03-28 13:57 ?285次閱讀

    NAND存儲種類和優勢

    非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為
    發表于 03-22 10:54 ?234次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>存儲</b>種類和優勢

    什么是SD NAND存儲芯片?

      SD NAND是一種基于NAND閃存技術的存儲設備,與其他存儲設備相比,它具有以下幾個顯著的優點:   高可靠性:SD
    發表于 01-05 17:54

    8項專利被侵權!美光與長江存儲陷入專利之爭

    長江存儲與美光芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國
    的頭像 發表于 11-13 17:24 ?624次閱讀

    長江存儲起訴美光!

    長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。
    的頭像 發表于 11-13 16:53 ?618次閱讀
    <b class='flag-5'>長江</b><b class='flag-5'>存儲</b>起訴美光!

    長江存儲起訴美光 涉及專利侵權

    在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者,并得到了行業和第三方機構的廣泛認可。長江存儲的技術創新改善了3D
    的頭像 發表于 11-13 16:03 ?439次閱讀

    起訴美光!長江存儲反擊

    訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
    的頭像 發表于 11-13 15:47 ?350次閱讀

    長江存儲在美起訴美光 指控侵犯8項3D NAND專利

    長江存儲在專利侵害訴訟場主張說:“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新?!?b class='flag-5'>長江存儲訴訟稱,美光使用
    的頭像 發表于 11-12 14:26 ?381次閱讀

    長江存儲232層閃存揭秘

    長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無出其右者。
    發表于 11-02 11:11 ?1293次閱讀
    <b class='flag-5'>長江</b><b class='flag-5'>存儲</b>232層<b class='flag-5'>閃存</b>揭秘

    三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

    三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年
    發表于 08-21 18:30 ?331次閱讀

    拐彎突破美國禁令!長江存儲神秘閃存曝光

    長江存儲已經將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達2400MT/s,妥妥的世界第一,結果
    的頭像 發表于 07-20 09:44 ?1460次閱讀
    拐彎突破美國禁令!<b class='flag-5'>長江</b><b class='flag-5'>存儲</b>神秘<b class='flag-5'>閃存</b>曝光

    盡管NAND市場持續低迷,長江存儲逆勢漲價凸顯主場優勢!| 百能云芯

    盡管NAND市況持續低迷,但供應鏈傳出,長江存儲繼第2季率先調漲報價后,近期再度提升報價約5%,坐擁中國龐大內需消費市場,享盡主場優勢。
    的頭像 發表于 07-18 17:59 ?843次閱讀

    NAND閃存內部結構解析

    NAND閃存是一種電壓原件,靠其內存電壓來存儲數據。
    發表于 07-12 09:43 ?1632次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>內部結構解析

    NAND閃存特點及決定因素

    內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,
    的頭像 發表于 06-10 17:21 ?2092次閱讀
    亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看
    <acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
    <rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
    <acronym id="s8ci2"></acronym>
    <acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>