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電子發燒友網>存儲技術>長江存儲發布突破性技術,將大大提升3D NAND的性能

長江存儲發布突破性技術,將大大提升3D NAND的性能

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2020-09-10 10:02:33850

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

美光發布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著 2D NAND 容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330

長江存儲的首款消費級固態品牌,基于3D NAND顆粒打造

長江存儲基于Xtacking架構的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面,并獲得眾多用戶的支持。而在網上呼聲較高的問題就是關于致鈦存儲技術,而就在近日,長江存儲通過
2020-11-24 09:56:483572

長江存儲科普SSD、3D NAND的發展史

作為國產存儲行業的佼佼者,長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進,引發普遍關注,尤其是獨創了全新的Xtacking閃存架構,最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

不要過于關注3D NAND閃存層數

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術堆疊將走向何方?

3D NAND;長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末,美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說,存儲之戰沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

回顧長江存儲3D NAND技術的發展進程

日前,有媒體報道稱,消息人士透露,長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓,并準備最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產芯片質量,該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

對比韓企存儲技術,長江存儲發展如何

據外媒報道,長江存儲去年7月生產了232層3D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產。
2023-02-28 10:51:251662

長江存儲在美起訴美光 指控侵犯8項3D NAND專利

長江存儲在專利侵害訴訟場主張說:“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新?!?b class="flag-6" style="color: red">長江存儲訴訟稱,美光使用長江存儲的專利技術,從與長江存儲的競爭中防御,確保和保護市場占有率。
2023-11-12 14:26:45314

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
2023-11-13 15:47:51289

長江存儲起訴美光 涉及專利侵權

在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者,并得到了行業和第三方機構的廣泛認可。長江存儲技術創新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產量,推動了多種電子設備的創新。
2023-11-13 16:03:05369

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項專利被侵權!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:51547

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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