盲源分離和盲辨識是盲信號處理的兩大類型。盲源分離的目的是求得源信號的最佳估計，本文重點講述了轉子振動盲源分離。
2012-01-02 13:07:36
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挑戰： 設計、開發并制造一種能夠檢測和分離循環腫瘤細胞（CTC）或母血中的胎兒細胞的工具，前者的目的是研究腫瘤學中的個體化治療，后者是為了實現無創性產前診斷。
2021-04-19 11:38:002291 本文匯集了 SiC MOSFET 最新結果的特定方面，涉及由于應用交流柵極偏置應力（也稱為柵極開關應力）導致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器件對負偏壓過應力 (NBO) 效應的強烈依賴
2023-12-22 09:37:02300 
通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
2020-08-27 17:44:171005 /10 結果12345 再12345%10 結果是5就把第二位分離出來了3、進行這樣的循環 這個數是6位就循環6次，把結果存放在一組變量中，這樣就把這個數的各位都進行分離出來了4、數字首位為0，數碼管不顯
2015-02-20 21:02:02
剖析線纜與連接器技術的測試要點
2021-05-11 07:17:13
在大約1000次循環之后，我無法可靠地從閃存中寫入和讀取數據，我想知道我備份和恢復數據的方式是否會導致該問題。第一次對微控制器編程后，我可以將數據保存到閃存中，但是在許多循環之后，數據讀取是一個很大
2020-05-05 12:43:19
C語言深度剖析
2017-08-25 09:08:28
C語言深度剖析[完整版].pdfC語言深度剖析[完整版].pdf (919.58 KB )
2019-03-19 05:11:41
EEPROM擦寫頻率EEPROM擦寫頻率怎么理解？怎么根據擦寫頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個案列每100ms采集一次數據，每秒存20個字節（實際使用清空EEPROM存儲的數據是每周
2022-11-09 18:56:36
STM32f0301. FLASH擦寫時間2. FLASH擦寫次數和數據保存年限只能擦寫1000次，有點少。非必要，不要擦寫。比如記憶流水號之類，經常變動的數據，最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
應用程序提供一個字節數據作為輸入。數據應存儲在SPI Flash中。然后固件使用該值進行計算，然后與FPGA進行I2C通信，將結果發送到FPGA。我應該如何分離SPI閃存以滿足我的要求？在固件和引導
2018-11-29 11:50:35
能有著重要的影響?！ 『颖惫I大學省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點實驗室的研究人員，針對現階段仍存在的問題，對于不同功率循環下的IGBT的熱退化特性進行了研究。設計了動態實驗，對不同的工作模式下IGBT模塊的退化
2020-12-10 15:06:03
最近在用Labview做三相電流不平衡度以及諧波的相關問題，其中用到了FFT模塊，用以輸出各次諧波的幅值和相位，然后用For循環編寫各次諧波正負零序分量的計算，我用負序分量來說明問題，程序如下1.
2013-10-14 17:30:46
急求：在labview中如何去直流分量
2017-04-24 18:41:48
STM32f030內部的FLASH擦寫時間是多少？STM32f030內部的FLASH擦寫次數是多少？STM32f030內部的FLASH擦寫電流是多少？
2021-10-22 06:23:26
做了一個串口讀取并分離的程序，但是目前只能進行實時分離，但是實時分離的話，整個程序運行很慢，分離速度也很慢。如果不進行實時分離的話，串口接收并存儲數據很快，想法是把保存的數據打開另外進行分離，想問問各位大神怎么做到打開文件（格式是dat）進行分離。
2017-05-23 22:29:02
信號頻譜零點處有很大的幅值是不是說明信號有直流分量，LabVIEW里怎么實現對信號直流分量的去除呢？
2013-11-13 09:30:45
【作者】：李璠;曾晨暉;【來源】：《測控技術》2010年03期【摘要】：后驅動技術作為故障注入的有效方法,適用于數字電路在線故障注入,然而后驅動技術對器件產生的加速退化作用不容忽視。在分析后驅動技術
2010-04-22 11:29:19
基于labview的頻譜細化分析方法
2012-05-06 11:35:33
概述有些應用有著嚴格實時需求，需要在操作閃存擦除/編程時保證程序仍然能運行及響應一些關鍵信息來保證整個系統的正常。但是一般存儲執行擦寫操作時CPU會停止運行，并且花費時間較長，這就會導致一些異常情況
2022-02-14 07:39:42
解決方案要貴得多。差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存多年來，大多數 IDM 都在為需要嵌入式閃存的應用使用類似的 1T 多晶硅浮柵堆疊解決方案。在過去二十年間，創新型分離柵極 SuperFlash?技術憑借其
2020-08-14 09:31:37
本文采用恒定溫度應力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究，得到較為完整的可靠性數據，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應用等方面提供有價值的數據。
2021-04-14 06:37:09
搜索相關資料，得知處理器的老化并不會影響計算規格和速度，那么它主要的退化指標（方便監測的）是什么呢？或者故障前會有哪些征兆？求大神解答~
2015-04-03 09:16:14
EEPROM通常擦寫次數都在百萬次以下，如果每秒寫一次，幾天就廢了，有沒有擦寫次數無限制的類似產品？
2023-11-08 06:15:04
求xc886的Flash的擦寫例程
2018-12-18 09:37:47
求大神詳細剖析GM的VOLT車
2021-05-18 06:14:30
感性設備運行中，感性電流分量建立交變磁場，這種感性電流分量產生磁場能和電能相互轉化，不轉變成其它能量(如熱能、機械能、化學能等)，感性電流分量產生的功率在負載和之間往返，沒有被消耗，稱為無功功率;同樣地對于容性負載，容性電壓分量建立交變電場，電場能和
2021-09-10 06:20:41
“表觀功率”。今天，我打算提出一個相關的比喻來解釋柵極驅動器在PFC設計中的作用。首先，讓我們來簡單介紹一下PFC電路的分類。PFC電路整體上分為無源（被動式）或有源（主動式）電路。創建無源PFC電路，需要
2022-11-15 07:41:41
使用簡化的SVPWM算法，直軸分量很小，使用經典的SVPWM算法，直流分量很大，這是為什么呢？
2017-11-02 14:59:32
大家好間接編程閃存有問題。該工具為ISE 14.7，閃存部分為s25fl512。FPGA部分為xc7k410t-2ffg900。我的主板上有兩個FPGA，一個jtag菊花鏈。我使用4x spi配置
2020-06-05 10:17:49
大屏是數據可視化分析的一個展示方式，和pc（電腦）端、手機移動端一樣都需要在pc端進行規劃和設計。那么，怎么在pc端快速制作一張大屏數據可視化分析報表？需要注意些什么問題？我們接著往下看。一、報表
2020-09-08 16:58:47
以獨立分量分析為主要對象, 描述了盲信號源分離技術的基本模型，介紹了盲分離的主要方法和數學原理, 分析了盲信號源的可辨識性。提出基于神經網絡無監督學習的盲分離方法
2009-03-10 20:46:08
19 Xicro公司生產的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點 ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機連接,且具有很完善的數據保護功能。本文從應用角度出發
2009-04-25 16:01:3518 在實際的工作中，我們經常要用某種圖像恢復算法對退化圖像進行恢復。本文根據退化圖像的特點，分析和研究了幾種常用恢復算法的特點及適用情況，并在VC++.net 環境下對這些恢
2009-08-24 08:44:1713 該文以α 穩定分布作為噪聲模型，研究了脈沖噪聲環境下循環平穩信號的波達方向估計問題。針對在脈沖噪聲環境中基于傳統2 階循環相關的算法效果顯著退化的問題，該文提出了基
2009-11-09 11:49:427 本文在盲信號處理的背景下介紹了獨立分量分析算法的原理及特點。針對語音信號復雜多變、但源信號保持相互獨立的特點，采用了改進后的FICA 方法對混合語音信號進行分離，
2009-12-07 13:36:5810 圖像人工退化即通過可逆的方式人為降低圖像的視覺質量，主要應用于商用多媒體領域。本文提出了一種基于乘性噪聲和混沌流密碼的快速圖像人工退化的算法，得到了此算模型
2009-12-22 11:51:1323 介紹兩臺35t/h 循環流化床鍋爐存在的旋風分離器磨損情況，對其磨損原因進行了分析，并采取了改造，取得了良好的效果。
2010-02-04 14:22:429 鞍山市第二熱電廠是與國家節能投資公司共同投資興建的熱電廠，一期工程采用由清華大學與四川鍋爐廠聯合研究試制的三臺75T／H次高壓平面流化分離循環流化床鍋爐和引進奧
2010-02-04 14:45:1418 開發了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統。為保證閃存扇區的平均使用率和均衡擦寫次數，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動態存儲空間管理模式和先入先出（FIFO）策
2010-09-30 16:24:5721 色差分量接口色差分量（Component）接口采用YPbPr和YCbCr兩種標識，前者表示逐行掃描色差輸出，后者表示隔行掃描色差輸出。色差分量接口一般利用3根信號線
2008-06-30 17:20:323923 V分量逐行倒相原理
2009-07-31 11:38:391300
圖像信號中的直流分量
2009-07-31 12:21:544463
圖像信號中的直流分量的影響
2009-07-31 12:22:421616 獨立分量分析在心電信號處理中的應用
獨立分量分析ICA(Independent Component Analysis)是近來發展起來的一種新的盲源分離方法BSS(Blind Source Separation)[1]。ICA處理的對象是一組
2009-11-07 09:58:371395 
正確選擇閃存寫入緩沖區大小，優化擦寫速度
在各種電子技術快速發展和電子市場高速擴大的今天，存儲器的需求量迅猛增長。在眾多存儲器類型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 恒憶閃存抗X射線
恒憶閃存基于浮柵技術。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16641 
恒憶閃存基于浮柵技術。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
2010-10-18 09:54:481629 簡介
嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統市場的應用需求，而主流已經從傳統的掩模ROM微控制器轉向了內置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃
2010-11-17 10:08:28683 
圖像由于受到如模糊、失真、噪聲等的影響，會造成圖像質量的下降，形成退化的數字圖像
2011-05-05 15:10:140 電力系統不對稱運行分析方法 —對稱分量法
2015-11-02 11:20:340 什么是閃存？閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。
2016-11-01 17:18:4224156 
針對現有的NAND閃存垃圾回收算法對磨損均衡考慮不足的問題，提出了一種基于邏輯頁冷熱分離的NAND閃存磨損均衡算法。算法同時考慮了無效頁的年齡、物理塊的擦除次數以及物理塊更新的頻率，采用混合模式選擇
2017-12-19 10:37:590 針對遠場渦流檢測中管道磁導率不均勻嚴重影響缺陷信號檢測的問題，本文提出一種新的基于獨立分量分析的遠場渦流缺陷信號盲分離技術。首先利用有限元仿真對獨立分量分析在缺陷分離中的適用性進行了詳細分析，證實
2018-01-17 11:46:530 廣泛的應用前景，因此目前關于盲源分離的理論研究及實際應用快速發展，已成為信號處理領域的研究熱點。 當源信號各分量差異較大或全局矩陣為非行元素優勢矩陣時，基于串音誤差的變步長等變自適應分離（ EASI）算法難以正確評價分離效果，導致步長選取錯誤。針對該問
2018-01-29 15:04:250 針對如何提取紙幣圖像特征和提高識別率的問題，綜合利用退化四元小波變換具有的相位特性，提出一種基于退化四元小波變換的紙幣識別方法。該方法首先對采集的紙幣圖像進行傾斜校正和邊緣檢測，然后運用退化
2018-03-14 10:43:050 。SST25VF020B SPI
串行閃存采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術制造。與其他方法相比，分離柵極單元設計
和厚氧化層隧穿注入器可實現更高的可靠性和可制造性。
2018-06-29 15:23:0010 CMOS SuperFlash? 技術
制造。與其他方法相比，分離柵極單元設計和厚氧化層隧穿注入器可實現更高的可靠性和可制造性。
2018-06-29 15:23:0021 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標準?！澳?b class="flag-6" style="color: red">擦寫循環（Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 閃存塊（Block）具有一定的壽命，不是長生不老的。前面提到，當一個閃存塊接近或者超出其最大擦寫次數時，可能導致存儲單元的永久性損傷，不能再使用。隨著閃存工藝不斷向前，這個擦寫次數也變得越來越小。
2018-07-25 11:09:164521 
不過，也不全是好消息，因為全新的閃存是QLC，比TLC閃存擦寫壽命更短，更別說和MLC相比了，目前TLC閃存的可擦寫壽命為3000PE，而QLC的可擦寫壽命為1000PE。但是QLC閃存容量大，價格
2018-09-05 15:29:504714 在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 細胞辨識、觀察、計數與純化分離是生物醫療領域中不可或缺的基礎技術。20世紀中葉，一種通過連續高壓流體牽引大量細胞通過特定訊號辨識系統的概念被提出，并發展為目前生物醫療研究常用的一項設備－流式細胞分選儀。
2018-12-05 14:25:083716 如今市面上的SSD固態硬盤閃存以TLC、QLC閃存為主，而長壽命、高可靠的SLC、MLC已經退出消費級市場，只能在企業級、工業級、嵌入式等一些特殊領域找到，尤其是最早的SLC幾乎絕跡。
2019-12-25 08:52:522824 基于溫度步進應力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規律及退化機理。實驗發現： 在結溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 得益于容量大、價格低的優勢，如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存，大家擔心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數，通常在1000次左右，而IBM現在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034096 本應用筆記旨在提供有關如何防止閃存意外擦寫操作（可能導致輕微到災難性現場故障）的指南和最佳實踐。在固件中添加閃存編程保護功能有助于降低發生問題的風險，確保穩健的現場更新。以下內容通過了解潛在問題來提高固件的穩健性，并提供了避免這些問題的方法。
2021-03-30 14:19:078 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標準?！澳?b class="flag-6" style="color: red">擦寫循環（Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 生化分析儀又叫生化儀，作為各級醫院醫學檢驗科中基本的診斷分析儀器，從研發到現在，經歷了分光光度計、半自動生化分析儀、全自動生化分析儀三個階段。工作原理也從手工操作發展為自動化分析，從有限的常規檢測
2021-10-18 16:27:122856 剖析N930X可編程重復擦寫語音芯片
2021-10-29 17:35:012 STM32f0301. FLASH擦寫時間2. FLASH擦寫次數和數據保存年限只能擦寫1000次，有點少。非必要，不要擦寫。比如記憶流水號之類，經常變動的數據，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 APM32F103RCT6_Flash_擦寫失敗
2022-11-09 21:03:240 日前在Tech Field Day 2022技術峰會預覽下一代192層3D閃存芯片時，Solidigm明確指出，這是QLC顆粒（4bits/cell）。
2022-11-10 10:39:34700 AN5507_STM32H7 系列閃存接口中的循環冗余校驗
2022-11-21 08:11:130 本文介紹了在電機驅動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅動器時，您有多種選擇。柵極驅動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
參考圖中 spring 解決循環依賴 的過程可知，spring 利用三級緩中的 objectFactory 生成并返回一個 early 對象，提前暴露這個 early 地址，供其他對象依賴注入使用，以此解決循環依賴問題。
2022-12-22 10:34:01328 近年來，隨著微流控芯片技術的不斷發展，其在生化分析、臨床醫學和環境檢測等領域展現出了巨大的應用潛力。微?；蚣毎?b class="flag-6" style="color: red">分離是微流控芯片的一項重要應用。微流控芯片與磁泳結合的分離技術以其低成本、高選擇性和高生物相容性等優勢為生化分析、臨床醫學和環境工程等領域開辟了新的發展方向。
2022-12-27 14:37:25871 在FreeRTOS環境下，如果外部擦寫 Flash，禁用指令緩存以避免在多個任務中使用來自Flash 的分支預測和應用程序同步操作 Flash的緩存預加載指令。因為代碼是XIP，所以向量
2023-01-30 09:18:311198 熱穩定性，Ir鉗形配合物在輕微苛刻的反應條件下就會分解，導致催化劑失活。同時，催化劑分離和循環利用問題也限制了均相催化劑的發展。因此，設計熱穩定、高活性的單位點Ir脫氫催化劑仍然是一項挑戰。? 近日，中科院金屬所沈陽材料科學
2023-05-23 11:33:02470 
語音芯片因其具有功耗低，抗干擾能力強，外圍器件少，控制簡單，語音保存時間久，掉電不丟失語音，部分芯片還可以重復擦寫語音內容的特點，那么哪些語音芯片是可以重復擦寫的呢？下面請跟著九芯電子小編的步伐往下
2022-10-17 10:17:39451 
NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優點。它們的廣泛應用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產品，尤其是
2023-03-31 10:34:54383 
HTMD線束在不良環境下使用，如灰塵、潮濕、腐蝕性氣體等，會導致其性能退化?；覊m和污垢會進入HTMD線束內部，影響接觸件的接觸效果，導致傳輸信號不穩定。
2023-06-15 18:26:57386 
高壓連接器的材料退化是指其關鍵部件在受到環境因素、電應力和機械應力的作用后，性能逐漸下降的現象。
2023-07-05 17:26:29367 
語音芯片的型號有哪些？為什么強烈推薦使用flash型可擦寫的芯片。這里我們簡單描述一下如下常見類容：
1、他們都有什么特點？以及發展的歷程簡介
2、常見的語音芯片有哪些？
3、為什么推薦使用flash型可以重復擦寫的
2023-08-14 11:05:24397 
一、正序、負序和零序分量 電力系統的正序、負序和零序分量是根據A、B、C三相的順序來確定的。 1、正序分量 A相領先B相120°，B相領先C相120°，C相領先A相120°。 2、負序分量 A相落后
2023-09-19 09:43:054042 為什么源極退化電阻會使共源級的增益變小呢？? 共源級放大電路是最常用的放大電路之一，其具有簡單的電路結構、高輸入電阻、低輸出阻抗等優點。其常用的場合，如工業、農業、醫療等領域，均要求放大電路具有
2023-09-21 15:52:211385 一、在三相電路中，由于負載的不平衡，往往會使電路中的電壓、電流不對稱。要對這種不對稱電壓或電流進行分析，可以把它們分解成三組分量：正序分量、負序分量、零序分量。設電源的相序為ABC
2023-09-24 16:14:464495 針對當前飛機健康管理研究中缺乏壽命及可靠性基礎數據的問題，以飛機液壓系統為具體研究對象，分析了飛機液壓系統中關鍵部件——液壓泵的性能退化原因和機理，并構建了液壓泵的性能退化模型?；谒⒌男阅?b class="flag-6" style="color: red">退化
2023-10-30 16:04:18551 
服役狀態下的 IGBT 模塊處于亞穩定狀態，其材料和結構會隨著時間的推移發生狀態改變或退化。IGBT 模塊在整個壽命周期內，會經歷數萬至數百萬次的溫度循環沖擊，這期間熱應力的反復作用會使材料發生疲勞，造成模塊封裝結構的逐漸退化。
2023-11-19 10:03:53303 
深度剖析 IGBT 柵極驅動注意事項
2023-11-24 14:48:25220 
什么是可重復擦寫（Flash型）語音芯片？可重復擦寫（Flash型）語音芯片是一種嵌入式語音存儲解決方案，采用了Flash存儲技術，使得語音內容能夠被多次擦寫、更新，為各種嵌入式系統提供了靈活的語音
2023-12-14 10:08:54185 
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