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電子發燒友網>存儲技術>美光下一代 232 層 NAND閃存將于2022年底前實現量產

美光下一代 232 層 NAND閃存將于2022年底前實現量產

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2020-06-18 16:06:511889

國產芯片最新進展,14nm將于年底實現量產

芯片作為我國的薄弱產業,近幾年在國家相關政策的帶領下,正全力追趕。行業預判,28納米將是100%國產芯片的新起點,和國產14納米芯片將分別有望在今年和明年實現量產。 相關專家認為,14nm芯片的發展
2021-06-25 15:44:2327363

臺積電將于2022量產3納米芯片

臺積電3納米芯片計劃將于2022年下半年開始量產,此前三星電子也已正式宣布將在臺積電之前于2022年上半年開始生產3納米半導體。
2021-10-20 16:43:207785

聯電新加坡晶圓廠P3開始動工,預計2024年底實現量產

今年3月份,聯電曾計劃咋新加坡Fab12i廠區新建晶圓廠,共計花費50億美元,預計將在2024年底實現量產。 日前,聯電新加坡的新晶圓廠P3正式開始動工,并且以9.54億新臺幣的價格取得了30
2022-05-24 11:22:472252

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:216521

臺積電2nm芯片預計將于2025年實現量產

  臺積電在北美技術論壇上公開了未來先進制程的信息,其3nm芯片將于2022年內量產,而首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術的2nm制程工藝芯片,預計將于2025年實現量產。
2022-07-01 18:31:091391

下一代智能內存安全閃存

在本系列的第 1 部分中,我們介紹了安全性在連接的嵌入式系統中的重要性,以及強制使用外部閃存閃存的去集成。在本系列的第 2 部分中,我們將介紹下一代智能內存安全閃存。
2022-10-21 09:28:40643

「復享光學」3D NAND多層薄膜量測的新思路

據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道,長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現量產,領先于三星、美光、SK海力士等廠商,這也是__中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381132

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:21865

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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