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第四代iPhone細節曝光

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德賽西威與高通技術公司宣布,雙方將基于第4代驍龍座艙平臺,共同打造德賽西威第四代智能座艙系統。
2022-01-05 14:25:233200

Vishay推第四代600 VE系列MOSFET器件 高通驍龍數字底盤助力汽車發展

Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所代碼:VSH)??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011

芯啟源SmartNICs第四代架構將有什么變化

為期三天的全球首屆智能網卡高端行業峰會(SmartNICs Summit)在美國硅谷正式召開。英特爾(Intel)、超威半導體(AMD) 、英偉達(NVIDIA)等國際知名企業出席本次峰會,芯啟源Corigine也受邀參與峰會主旨演講,并將在峰會上首次對外公開“SmartNICs第四代架構”。
2022-05-23 10:40:541153

UnitedSiC第四代技術提供TO247-4L封裝

UnitedSiC(現名Qorvo)擴充了其1200V產品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。
2022-06-06 09:33:573458

什么是第四代半導體?

第四代半導體我們其實叫超禁帶半導體,它分兩個方向,一是超窄禁帶,禁帶寬度(指被束縛的價電子產生本征激發所需要的最小能量)在零點幾電子伏特(eV),比超窄禁帶更窄的材料便稱為導體;
2022-08-22 11:10:3913784

億緯鋰能鋰亞電池第四代自動化生產線正式啟用

今日,“極致制造,持續發展——億緯鋰能鋰亞電池第四代自動化產線啟用儀式”正式舉行,億緯鋰能董事長劉金成博士、總裁劉建華等領導出席儀式,共同見證鋰亞電池發展新征程。
2022-09-07 11:40:361104

研華發布全新第四代SQFlash PCIe SSD解決方案產品

物聯網的發展推動了對高性能存儲設備需求的激增?;诖?,研華發布全新第四代SQFlash PCIe SSD解決方案產品:SQF 930與SQF ER-1。
2022-10-12 09:25:16442

南芯科技推出第四代升降壓控制器芯片

南芯科技SC8886S 是南芯科技推出的第四代升降壓控制器芯片,可滿足1-4 節電池大功率充電。SC8886S 與SC8886 相比,增強了Driver 的驅動能力,增大了默認死區時間。因此,除對多管并聯應用時,不對MOS 的輸入柵極電容Ciss、柵極電荷Qgs、柵漏電流Qgd 進行限制。
2022-10-27 15:03:184320

第四代北斗芯片發布,推動北斗規模應用

在4月26日召開的第十三屆中國衛星導航年會(CSNC2022)上,第四代北斗芯片正式發布。
2023-04-28 09:46:52473

虹科新品 | HK&amp;amp;ATTO推出FastFrame? 第四代智能以太網適配器系列

虹科新品HK&ATTO推出FastFrame第四代智能以太網適配器系列ATTOTechnology,Inc.是35多年來為數據密集型計算環境提供網絡、存儲連接和基礎設施解決方案的全球領導者
2023-05-11 10:36:09343

蘋果第四代iPhone SE發布被推遲

現預計蘋果自研的5G調制解調器要等到2025年才能進入大規模生產。因此,第四代iPhone SE的發布時間也會相應延后。第四代iPhone SE的計劃也隨之被推遲了。
2023-06-25 15:20:431192

虹科推出工業樹莓派第四代產品RevPi Connect 4

備受期待的虹科工業樹莓派第四代產品—RevPi Connect 4終于來啦!作為全球領先的工業自動化產品,RevPi Connect 4融合了工業樹莓派多年技術積累與創新突破,以及現代物聯網
2023-08-07 10:12:30357

納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業應用內新標桿

納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業應用內樹立新標桿
2023-09-07 14:30:15839

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺概述

全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52263

高通公布第四代驍龍座艙平臺

在2024年的CES展會上,高通公司公布了其最新的第四代驍龍座艙平臺。這一新平臺旨在滿足汽車廠商對于打造獨特、差異化和品牌化體驗的需求。
2024-01-11 14:27:41221

SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝,并引進EUV技術

Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環節中的部分工藝流程,隨后將芯片運回韓國總部利川園區進行EUV處理,最后送回無錫工廠進行后續操作。盡管第四代產品僅需一層使用EUV工藝,但公司仍認為增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:58418

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