美光已流片第一批第四代3DNAND存儲芯片 有望在2020年生產商用第四代3DNAND內存

美光科技已經流片第一批第四代3D NAND存儲芯片，它們基于美光全新的RG架構。該公司有望在2020年生產商用第四代3D NAND內存，但美光警告稱，使用新架構的存儲芯片將僅用于特定應用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多達128個有源層，并在陣列設計方法上繼續使用CMOS。新型3D NAND存儲器改變了用于柵替換的浮柵技術，以試圖降低尺寸和成本，同時提高性能，并簡化向下一代節點的過渡。該技術完全由美光公司開發，沒有英特爾任何投入，因此它很可能是針對美光公司最希望針對的應用量身定制。

美光第四代128層3D NAND成功流片表明，該公司的新設計不僅僅是一個概念。同時，美光還沒有計劃將其所有產品線都轉換為最初的RG工藝技術，因此公司范圍內每比特成本明年不會顯著下降。盡管如此，該公司承諾在其后續RG工藝節點廣泛部署之后，到2021財年將真正開始降低成本。

目前，美光科技正在提高96層3D NAND的產量，并于明年開始在其絕大部分產品線中使用。 128層3D NAND硬件不會立即導致每比特成本顯著下降，但是會隨著時間推移而下降。后續工藝節點（美光第五代3D NAND）可能具有至少128層，并且如果被廣泛使用，它將大大降低產品每比特成本。