大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:34
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在本文中，我們將討論一些設計技術，以在不影響性能的情況下實現更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產品。
2020-08-04 11:13:351227 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431207 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:49446 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181539 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個應用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實現了三個一系統的設計，具有重要
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
（BOM）中的組件更少，同時還能提供具有高可靠性的高密度解決方案，但可提供的功率相對有限。諸如網絡路由器、交換機、企業服務器和嵌入式工業系統等應用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以
2019-07-31 04:45:11
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
是優化效率。通過控制轉子電流的幅度和相角，使得提供一個真正的無功功率組件成為可能。通常情況下，通過磁場矢量控制可做到這一點。為此，轉子電流按照笛卡兒坐標系統進行轉換，隨后再轉換成復雜數值范圍。該復雜
2018-12-04 09:57:08
可靠性是什么？充實一下這方面的知識 產品、系統在規定的條件下，規定的時間內，完成規定功能的能力稱為可靠性?！ ∵@里的產品可以泛指任何系統、設備和元器件。產品可靠性定義的要素是三個“規定”：“規定
2015-08-04 11:04:27
可靠性是我們在開展電子產品設計過程中常常繞不開的問題。例如，客戶需要我們提供相關的可靠性預計報告，客戶需要我們的產品提供相應的可靠性試驗報告，或者企業內部需要控制產品質量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術確實能夠提供許多優勢，加上在硬開關應用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉換應用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優勢更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
區域。氮化鋁的導熱系數幾乎是氧化鋁的五倍，用于熱跳線芯片，以保持緊湊電子組件冷卻，從而提高產品的可靠性?！皩π枰寮墴峁芾淼木o湊型大功率組件的需求正在不斷增長，”TT Electronics應用與營銷
2019-05-05 10:27:10
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
所需的組件，降低系統成本，提高可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
，此時由于二極管反向恢復所產生的峰值電壓要遠遠小于其他型號MOSFET. 因此CoolMOS CFD2在LLC拓撲電源系統發生啟機，動態負載，過載，短路等異常情況下表現出更高的可靠性。圖8圖9同時我們在圖
2018-12-05 09:56:02
。所有這些應用都需要具備更高功率密度的先進半導體系統。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅固性和長使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動條件下的堅固性和可靠性不僅是牽引應用關注的焦點，同時也
2018-12-03 13:49:12
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標準和最終系統要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應用電源的外形尺寸且有效解決方案是當下電源設計人
2012-04-28 10:21:32
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業中
2020-09-23 10:46:20
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
qualification recipe）即可。由于長期的業界經驗和可靠性模型的驗證，人們現在可以接受將基于標準的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2018-09-10 14:48:19
功率密度 12V VIN 至 24V/7A 倍壓器如圖 2 所示，該解決方案的大致尺寸為 23mm x 16.5mm x 5mm，而功率密度高達 1500W/in3。圖 2：估計的解決方案尺寸高效率由于在
2018-10-31 11:26:48
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
，采用了的全新的封裝技術，以及芯片技術。這使得PrimePACK模塊的可靠性大大提高。尤其在雙饋風力發電系統中，由于其轉子側變換器特殊的工況，PrimePACK模塊的壽命能大大提高，尤其是功率周次，并且
2018-12-04 09:59:11
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
些情況下，也觀察到最小偏差，證實了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時間
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
。本篇到此結束。關于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數據。（截至2016年10月）關鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導體元器件，根據標準進行試驗與評估。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
單元和三角函數加速器等特性，可實現更高的功率密度和高瞬態響應，能夠處理復雜的對時間要求嚴格的計算。靈活的高分辨率控制在大功率服務器 PSU 系統中，即使在高頻下，實現更大的電源容量并保持相位間同步也
2022-11-03 06:45:41
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
。能夠實現更高功率密度的轉換器拓撲事實證明，得益于零電壓開關（ZVS）和無緩沖損耗，諸如有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器等半橋（HB）拓撲，即使在很高開關頻率下也能實現高能效
2022-06-14 10:14:18
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
泛的現代電子系統?，F代電子系統的可靠性表現為，在規定條件下，系統準確無誤運行的能力．突出了可靠性的軟件和運行中的失誤概率。可靠性設計則是在產品開發過程中，保證運行可靠的全部設計手段，甚至包括了產品
2021-01-11 09:34:49
可靠性設計是單片機應甩系統設計必不可少的設計內容。本文從現代電子系統的可靠性出發，詳細論述了單片機應用系統的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復等集合硬件系統
2021-02-05 07:57:48
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
，但經過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試，GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術。德州儀器已經在高于硅材料的工作溫度和電壓下，對GaN裝置進行了2000萬小時的加速可靠性測試。在此測試時間內，遠程
2019-03-01 09:52:45
，輸出功率高等出色的電化學性能。而可穿戴MSC及其陣列需要拉伸至大于30％的應變以適應人體運動，如何在具備拉伸性的情況下保持其高的面電容和能量密度是一個難題。目前常用的兩種策略是：1、在剛性MSC組件之間...
2021-09-10 08:27:03
設計帶來更低的溫升更高的可靠性?！ ∧敲?，在設計過程中如何才能提高電源模塊產品的功率密度呢?工程師可以從下面三個方向入手：第一，工程師可以在線路設計過程中采用先進的電路拓樸和轉換技術，實現大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數據采集系統的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
壓縮機、油泵、冷卻泵、電動助力轉向系統和加熱器等。相比而言，混合動力/電動車 因為集成了高壓動力電池（通常 144V 或 336V），將上述輔助系統電源從 12V 總線接入高壓總線， 相同功率情況下，采用高壓
2018-12-06 09:47:30
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統級功率密度Jonathan Harper，安森美半導體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
工作情況下，單片機系統的可靠性。必要的話可以放置在高溫，高壓以及強電磁干擾的環境下測試?！ ?、ESD和EFT等測試?？梢允褂酶鞣N干擾模擬器來測試單片機系統的可靠性。例如使用靜電模擬器測試單片機系統的抗靜電ESD能力；使用突波雜訊模擬器進行快速脈沖抗干擾EFT測試等。
2020-07-16 11:07:49
的占地面積，并以現有的管理成本創造出更多的價值。本文分析了追求能源轉換效率在節能、采集/處理成本和機柜/工廠車間利用率中所占百分比的實際成本，并與增加功率密度和系統效率進行了比較。
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
%。對損耗的改善情況顯示在圖4中，尤其是在15A的峰值電流下的損耗降低得非常明顯。結論：TrenchFET IV產品用在同步降壓轉換器中，能夠提高整體的系統效率和功率密度。這些產品的更高性能還能夠實現更小
2013-12-31 11:45:20
具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環氧樹脂灌封技術。所有這些都導致： 優化內部低雜散電感和電弧鍵合?結構，顯著提升動態開關性能; 功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開關的使用與否實現一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2019-08-01 08:16:08
我想問一下高速電路設計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統的穩定了。要想達到高的可靠性，要做好哪些工作??？在網上找了好久，也沒有找到關于硬件可靠性的書籍。有經驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
的計算能力、感應能力和功能集提出了更高要求。 然而，分配于執行上述任務的空間并未增加，并且在很多情況下還要求減少占用的空間。這種形勢不斷提高了市場對密度更大和集成度更高的解決方案的需求，供電系統也不
2018-12-03 10:00:34
請問一下嵌入式無線系統應用中可靠性和功耗的優化方法是什么？
2021-06-03 06:11:48
解決方案是英飛凌應對挑戰的方案：全新的汽車級Easy 1B/2B功率模塊提供適用于高壓和低功率應用（6kW以下）的靈活平臺，采用多種半導體器件以降低系統成本。聯系人：英飛凌公司Carlos Castro
2018-12-07 10:13:16
的情況下無縫更換這些模塊。非穩壓可變 5-8V 電壓也可由 5-8V 穩壓代替，不會對整個系統造成任何干擾，從而可以保持互操作性。第二級第二級完全取決于所分配的電源。在1毫安負載情況下，第二級就像
2021-05-26 19:13:52
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
如果您想根據功率密度比較電源，則需要對這個簡單的定義作出充分的說明。這里的輸出功率是指轉換器在最壞的環境條件下可以提供的連續輸出功率。環境溫度、最大可接受外殼溫度、方向、海拔高度和預期壽命都可能會影響相關功率能力…
2022-11-07 06:45:10
對于現代的數據與電信電源系統，更高的系統效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統意味著節省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:132672 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:003685 
。該模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:003727 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術經過優化，將性能與可靠性相結合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標準封裝的連接技術，
2021-03-01 12:16:022084 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對電動汽車 (EV) 中的牽引逆變器進行了優化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術之上，能夠在高性能應用中實現高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:471317 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:112783 
基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
、高可靠性和高質量的節能牽引應用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產品組合中增加了兩款
2023-06-22 10:14:43333 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業，如何使用創新的非對稱溝槽
2023-11-28 08:13:57372 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45210 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3567
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