MEMS及功率半導體的特色工藝晶圓代工與模組封裝集成

技術前沿：MEMS及功率半導體的特色工藝晶圓代工與模組封裝集成

工藝平臺涵蓋超高壓、車載、先進工業控制和消費類功率器件及模組，以及車載、工業、消費類傳感器，應用領域覆蓋智能電網、新能源汽車、風力發電、光伏儲能、消費電子、5G通信、物聯網、家用電器等行業。

（1）MEMS

MEMS是集成了微傳感器、微執行器、微機械結構、微電源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件等于一體的微型器件或系統，具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、適于批量化生產、易于集成和實現智能化等優點，廣泛應用于高新技術產業。MEMS制造的核心是將傳統的機械部件微型化后，通過三維堆疊技術把器件組合并固定在硅晶圓上，制造過程無固定標準化生產工藝流程，通常會根據不同的應用場合采用特殊定制，每種產品都有獨特的制造工藝和專屬的封裝形式，因此產品的工藝技術實現難度較高。

共性關鍵技術包括體硅和表面硅工藝能力，標準化成套制造工藝高精度膜層沉積/生長、高強度鍵合技術、高兼容度的敏感元件低溫工藝、無損集成器件的MEMS犧牲層釋放技術等。

MEMS產品主要可以分為MEMS傳感器和MEMS執行器。其中傳感器是用于探測和檢測物理、化學、生物等現象和信號的器件，而執行器是用于實現機械運動、力和扭矩等行為的器件。MEMS產品結構如下：

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①MEMS麥克風傳感器

MEMS麥克風傳感器是基于MEMS技術制造的麥克風，它采用表貼工藝進行制造，具有更好的噪聲消除性能。

②慣性傳感器

慣性傳感器是對物理運動做出反應的器件，如線性位移或角度旋轉，并將這種反應轉換成電信號，通過電子電路進行放大和處理。

③射頻器件

射頻器件主要用于手機和通信基站，它能夠將射頻信號和數字信號進行轉化，來實現通信功能。

④壓力傳感器

壓力傳感器通常由壓力敏感元件和信號處理單元組成。按不同的測試壓力類型，壓力傳感器可分為絕壓式和差壓式兩種。

（1）MEMS傳感器

傳感器是物體實現感知功能的主力，其應用已滲透進各行各業，如工業自動化、汽車電子、消費電子、資源開發、環境監測、醫療診斷、交通運輸等。傳感器通常由傳感器模塊、微控制器模塊、無線通信模塊以及電源管理模塊四個部分構成。傳感器感知狀態數據，微控制器存儲和處理數據，無線通信模塊接收微控制器模塊處理的數據之后再通過網絡傳輸到遠端的數據采集平臺。MEMS技術是將微米級的敏感組件、信號處理器、數據處理裝置封裝在一塊芯片上，再利用硅基微納加工工藝進行批量制造，從而形成了MEMS傳感器，廣泛應用于汽車電子、消費電子、工業、醫療、航空航天、通信等領域。根據Yole統計，2020年全球MEMS傳感器市場規模為90億美元，預計2026年市場規模將達到128億美元，2020-2026年均復合增長率為6.1%。消費電子、汽車電子和工業控制是應用MEMS最多的三個下游板塊，也是近年最大的增長點。

（2）MEMS射頻器件

MEMS射頻器件（RFMEMS）是MEMS技術的重要應用領域之一。MEMS射頻器件用于射頻和微波頻率電路中的信號處理，是一項將能對現有雷達和通訊中射頻結構產生重大影響的技術。隨著信息時代的來臨，在無線通信領域，特別是在移動通信和衛星通信領域，正迫切需要一些低功耗、超小型化且能與信號處理電路集成的新型器件，并希望能覆蓋包括微波、毫米波和亞毫米波在內的寬頻波段。而通訊系統中仍有大量不可或缺的片外分立元件，例如電感、可變電容、濾波器、耦合器、移相器、開關陣列等，成為限制系統尺寸進一步縮小的瓶頸。MEMS技術的出現有望解決這個難題。采用MEMS技術制造的無源器件能夠直接和有源電路集成在同一芯片內，實現射頻系統的片內高集成，消除由片外分立元件帶來的寄生損耗，真正做到系統的高內聚、低耦合，能顯著提高系統的性能。

MEMS技術在射頻領域的應用可分為可動的和固定的兩類?？蓜拥腗EMS器件包括開關、調諧器和可變電容，固定的MEMS器件包括本體微機械加工傳輸線、耦合器和濾波器。其中，濾波器是射頻前端的關鍵核心器件之一，約占整個射頻前端市場超過60%的份額。根據Yole統計，2020年MEMS射頻器件的市場規模為21億美元，預計2026年市場規模將達到40億美元。

（2）功率器件

功率器件是指能夠耐受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，具體用途是電能變換和控制，如變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關等，主要包括二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET等產品。

根據功率器件的可控性可以將功率器件分為三類，第一類是全控型器件，以IGBT和MOSFET等器件為主，是帶有控制端的三端器件；第二類是半控型器件，主要是晶閘管及其派生器件，這類器件的開通可控而關斷不可控；第三類是不可控型器件，主要是二極管，二極管的通斷都不能通過器件本身進行控制。從應用范圍來看，MOSFET和IGBT適用范圍最廣，二者市場規模之和占整體功率器件的一半以上。功率器件各項參數對比情況如下：

（1）IGBT

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是能源變換與傳輸的核心器件。其主要作用是進行交流電和直流電的轉換、高低電壓的轉換，能夠提高用電效率和質量、降低碳排放和解決能源短缺問題，有效助力碳中和。在清潔能源發電及利用領域，IGBT是光伏逆變器和風電逆變器的核心器件，且廣泛應用于新能源車電驅系統及充電樁；在傳統能源的消耗端，lGBT在工業上應用于變頻器，能夠降低設備能耗，幫助實現節能減排。

IGBT工藝平臺包括溝槽型場截止IGBT、車載IGBT、高壓IGBT等。完整的工藝能力，包括深溝槽刻蝕、超薄減薄工藝、高能注入、平坦化工藝、激光退火、雙面對準、質子注入、局部載流子壽命控制、嵌入式傳感器、多元化金屬層、高性能介質層、高低溫CP測試等。應用于智能電網、新能源汽車、充電樁、風力發電、光伏儲能、家電、變頻器、UPS、焊機、感應加熱等領域。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式功率器件。IGBT具有電導調制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導密度和低通態壓降。IGBT的開關特性可以實現直流電和交流電之間的轉化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應用于逆變器、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

因此，從小家電、數碼產品，到航空航天、高鐵領域，再到新能源汽車、智能電網等新興應用都會大量使用IGBT。

IGBT分為IGBT芯片和IGBT模塊，其中IGBT模塊是由IGBT芯片封裝而來，具有參數優秀、最高電壓高、引線電感小的特點，常用于大電流和大電壓環境，是IGBT最常見的應用形式。

根據Yole統計，2020年全球IGBT市場規模為54億美元，預計2026年市場規模將達到84億美元，2020-2026年均復合增長率為7.6%。具體情況如下

（2）MOSFET

MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor），即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種多子導電的單極型電壓控制器件。其主要作為模擬放大元件和電子開關，優點為工作頻率高、驅動簡單、驅動功率小、抗擊穿性好。

從低壓到高壓的MOSFET工藝平臺，包括溝槽型MOSFET、屏蔽柵溝槽型MOSFET、超結MOSFET等。關鍵工藝技術包括超薄晶圓加工、氫注入、超結產品外延生長等。MOSFET產品具有導通電阻小、開關速度快、開關損耗低等特點，產品應用覆蓋工業物聯網、汽車電子、消費電子、無線通訊、電網輸變電、新能源應用等領域。

MOSFET全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬與數字電路的場效應晶體管。MOSFET的優點在于穩定性好，具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點，適用于AC/DC開關電源、DC/DC轉換器。MOSFET下游的應用領域中，消費電子、汽車電子、工業控制、醫療、國防和航空航天、通信占據了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。

在消費電子領域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續滲透持續帶動MOSFET的市場需求，在汽車電子領域，MOSFET在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電制動等動力控制系統，以及電池管理系統等功率變換模塊領域均發揮重要作用，擁有廣泛的應用市場及發展前景。

MOSFET是功率器件的最大市場，根據Yole統計，2020年全球MOSFET市市場規模為76億美元，預計2026年市場規模將達到95億美元，2020-2026年均復合增長率為3.8%。具體情況如下：

工藝流程

1、晶圓代工

晶圓代工是指借助載有電路信息的光掩模，經過光刻和刻蝕等工藝流程的多次循環，逐層集成，并經離子注入、退火、擴散、化學氣相沉積、化學機械研磨等流程，最終在晶圓上實現特定的集成電路結構。晶圓代工的主要工藝流程如下：

（1）晶圓清洗

晶圓清洗是指通過將晶圓沉浸在不同的清洗藥劑內或通過噴頭將調配好的清洗液藥劑噴射于晶圓表面進行清洗，再通過超純水進行二次清洗，以去除晶圓表面的雜質顆粒和殘留物，確保后續工藝步驟的準確進行。

（2）光刻

光刻的主要環節包括涂膠、曝光和顯影，具體如下：

①涂膠

涂膠是指通過旋轉晶圓的方式在晶圓上形成一層光刻膠。

②曝光

曝光是指先將光掩模上的圖形與晶圓上的圖形對準，然后用特定的光照射。光能激活光刻膠中的光敏成分，從而將光掩模上的電路圖形轉移到光刻膠上。

③顯影

顯影是用顯影液溶解曝光后光刻膠中的可溶解部分，將光掩模上的圖形準確地用晶圓上的光刻膠圖形顯現出來。

（3）刻蝕

刻蝕是指未被光刻膠覆蓋的材料被選擇性去除的過程，主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕主要利用等離子體對特定物質進行刻蝕，濕法刻蝕主要通過液態化學品對特定物質進行刻蝕。

（4）離子注入、退火

離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到一定能量，然后注入晶圓材料的表層內，以改變材料表層物質特性的工藝。退火是指將晶圓放置于較高溫度的環境中，使得晶圓表面或內部的微觀結構發生變化，以達到特定性能的工藝。

（5）擴散

擴散是指在高溫環境下通過讓雜質離子從較高濃度區域向較低濃度區域的轉移，在晶圓內摻入一定量的雜質離子，改變和控制晶圓內雜質的類型、濃度和分布，從而改變晶圓表面的電導率。

（6）化學氣相沉積

化學氣相沉積是指不同分壓的多種氣相狀態反應物在一定溫度和氣壓下在襯底表面上進行化學反應，生成的固態物質沉積在晶圓表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術。

（7）化學機械研磨

化學機械研磨是指同時利用機械力的摩擦原理及化學反應，借助研磨顆粒，以機械摩擦的方式，將物質從晶圓表面逐層剝離以實現晶圓表面的平坦化。

（8）晶圓（加工后）檢測

晶圓檢測是指用探針對生產加工完成后的晶圓產品上的集成電路或半導體元器件功能進行測試，驗證是否符合產品規格。

（9）包裝

包裝是指對檢測通過的生產加工完成后的晶圓進行真空包裝。

2、模組封測

封裝是指將芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，并通過印制板與其他器件建立連接，起到安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用。模組封測的主要工藝流程如下：

（1）晶圓減薄

晶圓減薄是指減少晶圓背面一定區域的厚度，并且在晶圓邊緣保留一定厚度，這樣既保證了晶圓厚度的要求，同時增加了晶圓的整體強度。

（2）晶圓背金屬

晶圓背金屬是指在晶圓的背面鍍上金屬以便與裝片膠進行接合。

（3）劃片

劃片是指將整片晶圓按照大小分割成單一的芯片。

（4）貼片

貼片是指通過取放裝置將芯片從劃片后的晶圓上取下，放置在對應的框架或基板上的過程。

（5）鍵合

鍵合是使用金屬線（片）連接芯片與框架或基板的工藝技術，實現芯片與框架或基板間的電氣互連、芯片散熱以及芯片間的信息互通功能。

（6）塑封

塑封是指利用環氧膜塑料，在相應的模具上通過高溫、高壓把鍵合好的產品包封起來，用以隔絕濕氣與外在環境的污染，以達到保護芯片的目的。

（7）電鍍

電鍍是指在含有某種金屬離子的電解質溶液中，將待鍍件作為陰極，通過一定波形的低壓直流電，使得金屬離子不斷在陰極沉積為金屬薄層的加工過程。

（8）打印

打印也稱為打標，是指在半導體器件的表面上進行標記。

（9）切筋成形

切筋成形是指切除引線框架上連接引腳的橫筋及邊筋，并將引腳彎成一定的形狀，以適合后期裝配的需要。

（10）測試

測試是指根據半導體器件的類型，就其功能及特點進行的電性能測試，來確保器件性能及可靠性。

（11）包裝

包裝是指對性能測試通過的產品進行包裝。

MEMS行業的新技術發展情況與趨勢

A.產品尺寸微型化

基于MEMS傳感器下游的電子消費行業對器件尺寸小型化、低功耗化的需求，MEMS傳感器生產商需要不斷提升自己的技術水準，盡量縮小成品尺寸，使得自己的產品更加具有競爭力。為了實現這個目標，MEMS傳感器生產廠商利用系統封裝等技術將IC芯片和被動元器件進行整合，進一步縮小了傳感器芯片的尺寸。

與此同時，在單片晶圓上所能產出的芯片數量也隨芯片尺寸的減小而增多，MEMS傳感器芯片的成本也能夠得到有效降低。然而，MEMS制造工藝也并非一味追求更小的尺寸與更高的集成度，而是更加注重材料的結構機械特性、材質化學特性以及刻蝕深度、精度、應力控制等每一步工藝的準確實現。通過革新技術，在保障產品高性能的同時縮小產品尺寸和降低功耗是MEMS傳感器行業的重要發展方向。

B.多傳感器集成

隨著設備智能化程度的不斷提升，單設備中含傳感器數量不斷增多，多傳感器的協同合作變得尤為重要。傳感器集成化程度的提高，提升了信號識別與收集的效果，也提高了智能設備的集成化程度。

近年來，在慣性傳感器領域，出現了融合加速度計、陀螺儀、GPS等多功能的慣性導航系統，在消費電子和汽車電子領域的應用越來越廣泛。智能手機中的MEMS麥克風數量不斷增加，通過麥克風陣列中多個麥克風的協同工作，能夠根據不同位置的麥克風之間的延遲和功率差異對聲源進行更精確的定位，并對噪聲進行濾除，實現主動降噪和增強信號的功能，有效提升了麥克風的信噪比。

C.多元場景應用

MEMS傳感器目前已經廣泛運用于消費電子、汽車電子、工業控制、醫療、國防和航空航天、通信等各個領域，隨著人工智能和物聯網技術的發展，MEMS傳感器的應用場景將更加多元。

MEMS傳感器是人工智能重要的底層硬件之一，傳感器收集的數據越豐富和精準，人工智能的功能才會越完善。物聯網生態系統的核心是傳感、連接和計算，隨著聯網節點的不斷增長，對智能傳感器數量和智能化程度的要求也不斷提升。未來，智能家居、工業互聯網、車聯網、智能城市等新產業領域都將為MEMS傳感器行業帶來更廣闊的市場空間。

MEMS行業的新產業發展情況

A.新消費電子

可穿戴設備與智能音箱為代表的新消費電子的興起正在推動MEMS又一輪高速成長。除了智能手機、平板電腦和筆記本電腦等主流消費電子產品外，近年來涌現出的智能家居和可穿戴設備等新興應用領域也廣泛使用了MEMS傳感器產品，如智能手表安裝了MEMS加速度計、陀螺儀、微型麥克風和脈搏傳感器，TWS耳機中使用了MEMS麥克風、壓感、骨傳導等傳感器，VR/AR設備采用MEMS加速度計、陀螺儀和磁傳感器來精確測定頭部轉動的速度、角度和距離等。

B.車用傳感器和自動駕駛

隨著汽車智能化的發展趨勢和汽車安全要求標準的提高，MEMS傳感器在汽車上的應用也越來越廣泛，汽車傳感器已經成為MEMS傳感器的一個主要的應用市場，超聲波傳感器、激光雷達傳感器、微波傳感器、紅外傳感器等也都被廣泛使用。尤其是在自動駕駛領域，MEMS傳感器將扮演越來越重要的角色。一般家用型汽車實現自動駕駛需要數十個傳感器來感知周圍環境的實時情況，大型商用車以及其他特種車輛需要的傳感器數目會更多，精度會更高。未來車用傳感器行業以及自動駕駛行業將是MEMS傳感器應用增長較快的領域之一。

C.物聯網

隨著物聯網技術的不斷發展，MEMS產品作為信息獲取和交互的關鍵器件，市場空間將不斷擴大，新的應用場景亦層出不窮。在物聯網的結構中，感知層處于最底層，是物聯網的先行技術，也是其數據來源和物理實體基礎，而感知層中分布的各類傳感器就是獲取信息的關鍵，傳感器及其芯片提供商在物聯網產業鏈中扮演了重要角色。

D.人工智能

在人工智能領域，MEMS傳感器承擔了類似人體的各項感官功能，是未來人工智能領域不可或缺的組成部分。伴隨著人工智能的市場規模擴大，相應MEMS傳感需求也將同步提升。

功率器件行業的新技術發展情況與趨勢

A.模塊化、集成化的技術發展趨勢

隨著功率器件應用場景不斷拓展，下游產品對其電能轉換效率、穩定性、高壓大功率需求及復雜度提出了更高要求。功率器件的組裝模塊化和集成化能有效滿足上述要求，有助于優化客戶使用體驗并保障產品配套性和穩定性，功率器件的組裝模塊化和集成化將成為行業技術發展的主流趨勢。

同時，隨著工藝技術的不斷升級，更高性能、更小體積的功率器件為模塊化和集成化創造了技術條件。

B.第三代半導體材料有望實現突破

當前功率器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能成為新型的半導體材料，屬于新興領域，具有極強的應用戰略性和前瞻性。

目前美歐、日韓及中國臺灣等地區已經實現SiC、GaN等新材料功率器件的量產。部分境內公司通過多年的技術和資本積累，依托國家產業政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域。

由于新型半導體材料屬于新興領域，國內廠商與國際巨頭企業的技術差距不斷縮小，因此有望抓住機遇、實現突破并搶占未來市場。

②功率器件行業的新產業發展情況

A.新能源汽車與充電樁

新能源汽車普遍采用高壓電路，需要頻繁進行電壓變化，對電壓轉換電路需求大幅提升。IGBT、MOSFET等功率器件用于主驅動系統的逆變器、變壓器、換流器等，其需求相應增大。除了動力系統，功率器件在新能源汽車上應用還涵蓋了安全配置、電動門窗及后視鏡、人車交互系統、儀表盤、車燈、娛樂系統及底盤系統等。汽車電子隨著新能源汽車的發展呈越來越熱的趨勢，汽車內部電子系統數量的需求不斷攀升，越來越多汽車制造商都在逐步加大電動汽車技術的研發投入。

新能源汽車充電樁為功率器件另一大增量，根據中國汽車充電基礎設施促進聯盟的統計，2016年至2021年，我國公共充電樁和專用充電樁的保有量由5.88萬個增長至114.70萬個，呈爆發式增長，帶動了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市場需求。

B.工業和智能電網

工業領域是功率器件另一大需求市場。工業領域中，數控機床、牽引機等電機對功率器件需求較大，主要使用的功率器件是IGBT。隨著“工業4.0”不斷推進，工業的生產制造、倉儲、物流等流程改造對電機需求不斷擴大，工業功率器件需求增加。太陽能、風能等新能源發電過程中產生的電能，需要經過IGBT、MOSFET等功率器件的變換，之后才能入網傳輸。功率器件作為智能電網的核心部件，可以增強電網的靈活性與可靠性，使得智能電網實現電力高效節能的傳輸。未來新能源市場的快速發展和智能電網建設的推進將催生出對功率器件需求的穩步增長。

C.消費電子

MOSFET等功率器件是消費電子產品的重要元器件，消費電子市場也是功率器件產品的主要需求市場之一。中國消費電子產品的普及程度越來越高，而且近年來消費者對消費電子的需求從以往的臺式PC、筆記本電腦為主向平板電腦、智能電視、無人機、智能手機、可穿戴設備等轉移，直接推動消費電子市場的快速發展。消費電子產品更新換代周期短以及新技術的不斷推出，使得消費電子市場需求量進一步上升。

各類新產業發展推動市場需求持續旺盛

半導體行業雖然呈現周期性波動的特性，但整體增長趨勢并未發生變化，每次技術變革持續帶動行業增長。隨著消費電子產品向智能化、輕薄化、便攜化的方向發展，新的智能終端產品層出不窮，使得半導體產業的市場前景越來越廣闊。

5G時代已經到來，通信行業對功率器件激增的需求導致市場對功率器件需求量大幅增長。以物聯網為代表的新需求所帶動的如云計算、人工智能、大數據等新應用的興起，逐漸成為半導體行業新一代技術變革動力。

同時，新能源驅動的智能汽車已經成為萬物互聯的關鍵節點，隨著智能汽車復雜程度的提高，智能汽車網聯化、智能化以及電動化程度進一步提升，新能源汽車行業對汽車半導體元件的需求勢必會大幅增長，因此汽車板塊對半導體產業而言屬于推動其長期發展的新引擎。

半導體下游應用領域的不斷延展帶動了市場需求的持續旺盛。同時，伴隨著全球的半導體巨頭不斷加大資本性投資力度，半導體行業的景氣度有望保持上升趨勢，有利于半導體制造企業發展壯大。

全球半導體產業資源轉移大趨勢下的進口替代市場機遇

半導體行業目前呈現專業分工深度細化、細分領域高度集中的特點。從歷史進程看，全球半導體行業已經完成兩次的半導體產業轉移：第一次是20世紀70年代從美國轉向日本，第二次是20世紀80年代半導體產業轉向韓國與中國臺灣。

目前全球半導體行業正經歷第三次巨變，眾多境內外知名晶圓制造廠及封裝測試廠紛紛在中國大陸進行產能擴充，并積極實現生產工藝的精進。全球半導體產業資源正處于向中國大陸和東南亞等地區轉移的進程之中，產業轉移是市場需求和資本驅動的綜合結果。目前，中國擁有全球最大且增速最快的半導體消費市場。

巨大的下游市場配合積極的國家產業政策與活躍的社會資本，正在全方位、多角度地支持國內半導體行業發展。我國光伏、顯示面板、LED等高新技術行業經過多年已達到領先水平，也大力拉動了上游的晶圓代工制造產業的國產化進程。隨著半導體產業鏈相關技術的不斷突破，加之我國在物聯網、人工智能、新能源汽車等下游市場走在世界前列，有望在更多細分市場實現進口替代。

主要企業

英飛凌（InfineonTechnologiesAG）

英飛凌成立于1999年，是全球領先的半導體公司之一，在功率器件領域有較強的市場地位。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，專注于為汽車和工業功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統解決方案，業務遍及全球，在美國加州圣克拉拉、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。

安森美（ONSemiconductorCorporation）

安森美于1999年從摩托羅拉分拆出來，于次年在美國納斯達克上市。安森美的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，主要應用于汽車電子、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍工及電源應用等領域。

德州儀器（TexasInstrumentsIncorporated）

德州儀器成立于1930年，總部位于美國德克薩斯州的達拉斯，是全球領先的模擬及數字半導體芯片設計制造公司，在信號鏈與電源管理領域均擁有強大的市場地位。主要從事創新型數字信號處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導體業務外，還提供包括傳感與控制、教育產品和數字光源處理解決方案。

意法半導體（STMicroelectronicsN.V.）

意法半導體成立于1987年，是全球最大的半導體公司之一，是紐約證券交易所、泛歐證券交易所和意大利米蘭證券交易所上市公司，在分立器件、手機相機模塊和車用集成電路領域居世界前列。意法半導體產品包括二極管、晶體管以及復雜的片上系統器件等，是各工業領域的主要供應商。意法半導體在模擬電路與功率器件領域都處于行業領先地位。

安世半導體（NexperiaB.V.）

安世半導體是半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。其產品組合包括二極管、雙極型晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管（GaNFET）以及功率IC等。聞泰科技股份有限公司（600745.SH）于2019年取得對安世半導體的控制權。

華潤微（688396.SH）

華潤微成立于2003年，是華潤集團半導體投資運營平臺，擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化運營能力，產品聚焦于功率半導體、智能傳感器與智能控制領域。在分立器件及集成電路領域具備較強的產品技術與制造工藝能力，形成了較為先進的特色工藝和系列化的產品線。

士蘭微（600460.SH）

士蘭微成立于1997年，前身是杭州士蘭電子有限公司，是一家專業從事集成電路以及半導體微電子相關產品的設計、生產與銷售的高新技術企業，士蘭微目前的主要產品是集成電路以及相關的應用系統和方案，主要包括半導體分立器件、MCU電路、電源管理電路、LED照明驅動電路、LED顯示驅動/控制電路等產品。

華微電子（600360.SH）

華微電子成立于1999年，是集功率器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體的高新技術企業，擁有多條功率器件生產線，產品應用于消費電子、節能照明、計算機、PC、汽車電子、通訊保護與工業控制等領域。華微電子目前已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產品到第六代IGBT功率器件產品體系。

華虹半導體（1347.HK）

華虹半導體由華虹NEC與上海宏力于2011年合并而成，于2014年在香港聯交所上市（股票代碼：1347.HK），在中國臺灣、日本、北美和歐洲等地提供銷售與技術支持。華虹半導體8英寸晶圓加工能力在中國名列前茅，12英寸晶圓廠建設進展迅速，目前公司主要專注于研發及制造專業應用的8英寸及12英寸晶圓半導體，尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。華虹半導體的技術組合還包括仿真及混合信號、電源管理及MEMS等若干其他先進工藝技術。

先進半導體

先進半導體前身是1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導體公司，2019年初，上海積塔半導體完成對先進半導體的私有化。先進半導體為一家領先的專門模擬芯片代工廠，有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產線，專注于模擬電路、功率器件的制造，在汽車電子、MEMS以及IGBT領域具有一定的優勢。

審核編輯：劉清