<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>模擬技術>SiC相較于Si的優勢是什么?SiC加速向脫碳方向發展

SiC相較于Si的優勢是什么?SiC加速向脫碳方向發展

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析

作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918

SiC MOSFET和SiC SBD的優勢

下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列,進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736

SIC MOSFET

有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15

Si整流器與SiC二極管:誰會更勝一籌

Si整流器與SiC二極管:誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04

SiC MOSFET SCT3030KL解決方案

的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19

SiC MOSFET的器件演變與技術優勢

一樣,商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中,并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景?! √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12

SiC SBD的器件結構和特征

1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14

SiC SBD的正向特性

1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET體二極管特性

二極管的比較所謂SiC-SBD-與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD-與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD-SiC-SBD的發展歷程所謂SiC-SBD-使用SiC-SBD的優勢所謂
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較

”)應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結構,不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結構和特征

的小型化?! ×硗?,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動,從而也可以實現無源器件的小型化?! ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優點

電導率調制,漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外,包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異,如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的應用實例

。 首先,在SiC-MOSFET的組成中,發揮了開關性能的優勢實現了Si IGBT很難實現的100kHz高頻工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2個晶體管并聯組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數,所以不僅要比較trr的數值,還要
2018-11-29 14:34:32

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08

SiC-SBD關于可靠性試驗

,已實施了評估的ROHM的SiC-SBD,在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中,確保了充分的可靠性。另外,關于SiC-SBD,可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關的破壞模式
2018-11-30 11:50:49

SiC-SBD大幅降低開關損耗

時間trr快(可高速開關)?trr特性沒有溫度依賴性?低VF(第二代SBD)下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11

SiC-SBD的發展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17

SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較

SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始
2018-11-29 14:35:50

SiC/GaN具有什么優勢?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03

SiC/GaN功率開關有什么優勢

新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08

SiC46x是什么?SiC46x的主要應用領域有哪些?

SiC46x是什么?SiC46x有哪些優異的設計?SiC46x的主要應用領域有哪些?
2021-07-09 07:11:50

SiC功率元器件的開發背景和優點

工作等SiC的特征所帶來的優勢。通過與Si的比較來進行介紹?!钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗,但阻值相同的話就可以縮小元件(芯片)的面積。應對大功率時,有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

電導率調制,漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件的封裝技術研究

  具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04

SiC功率模塊的特征與電路構成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09

SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?

與硅相比,SiC有哪些優勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35

SiC大規模上車,三原因成加速上車“推手”

設計結構有待優化,價格較高,但肯定是未來的方向。 SiC投資陸續開花結果功率器件是電動汽車電力電子系統的“心臟”,承擔著對電能進行轉換和控制的作用,電動汽車對其需求巨大。電動汽車飛速發展,也給了
2022-12-27 15:05:47

SiC肖特基勢壘二極管更新換代步履不停

。SiC-SBD覆蓋了Si-PND/FRD的大部分耐壓范圍,因此將該耐壓范圍的Si-PND/FRD替換為SiC-SBD,可改善恢復特性,并可在應用上發揮其優勢。-SiC-SBD覆蓋了Si-SBD無法攀登
2018-12-03 15:12:02

GaN和SiC區別

柵極電荷,它可以使用高開關頻率,從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較SiC發展,GaN功率元件是個后進者,它是一種擁有類似SiC性能優勢的寬能隙材料,但擁有更大的成本控制潛力,尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07

【直播邀請】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

本帖最后由 chxiangdan 2018-7-27 17:22 編輯 親愛的電子發燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業,自上世紀 90 年代起便著手 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

失效模式等。項目計劃①根據文檔,快速認識評估板的電路結構和功能;②準備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展,按時間計劃實施,④項目調試,優化,比較,分享。預計成果分享項目的開展,實施,結果過程,展示項目結果
2020-04-24 18:09:12

【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC中的應用

我國“新基建”的各主要領域中發揮重要作用。 一、 SiC的材料優勢 碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料相較硅(Si)具有很多優勢,如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于碳化硅器件工作在更高的溫度;10倍
2023-10-07 10:12:26

為何使用 SiC MOSFET

狀態之間轉換,并且具有更低的導通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側)與硅
2017-12-18 13:58:36

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43

低功耗SiC二極管實現最高功率密度

相較硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19

低功耗SiC二極管實現最高功率密度解析

相較硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58

使用SiC-SBD的優勢

Si-FRD低。SiC-SBD的優勢SiC-SBD的這些特征可以看出,替代Si-PND/FRD的優勢是得益SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速,因此可大幅降低恢復損耗,實現高效率??2.同樣
2018-11-29 14:33:47

SiC功率模塊介紹

SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點,根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模塊的開關損耗

的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD(快速恢復二極管)的trr比較?;謴偷臅r間trr很短,二極管關斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52

基于低功耗SiC二極管的最高功率密度實現方案

相較硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59

開關損耗更低,頻率更高,應用設備體積更小的全SiC功率模塊

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32

開關電源轉換器中如何充分利用SiC器件的性能優勢?

在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優勢?
2021-02-22 07:16:36

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18

未來發展導向之Sic功率元器件

發展中,Si功率器件已趨其發展的材料極限,難以滿足當今社會對于高 頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的 第三代半導體材料憑借其優異屬性,將成為突破口,正在迅速
2017-07-22 14:12:43

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?

本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢,高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41

淺析SiC-MOSFET

應用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到,一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術,那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05

淺析SiC功率器件SiC SBD

1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51

深愛一級代理SIC953xD系列 /SIC全系列支持

深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25

深愛代理SIC953XD..SIC9531D.SIC9532D.SIC9533D.SIC9534D.SIC9535D

低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06

碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點

?! 」β拾雽w就是這樣。在首度商業化時,碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴,盡管認識到了與硅基產品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優勢,大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47

碳化硅與氮化鎵的發展

億美元,而GaN基板產值僅約3百萬美元。拓墣產業研究院指出,相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢,不僅可使芯片
2019-05-09 06:21:14

第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

本帖最后由 傲壹電子 2017-6-16 10:38 編輯 1.GaN功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管以碳化硅
2017-06-16 10:37:22

羅姆SiC-SBD替代Si-PND/Si-FRD有什么優勢

本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品,并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13

羅姆成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

低,可靠性高,在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12

設計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET優化

絕大多數情況下都取決IC的規格,因此雖然不是沒有方法,但選用專為SiC-MOSFET用而優化的電源IC應該是上策。具體一點來講,在規格方面,一般的IGBT或Si-MOSFET的驅動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24

請問一下SiC和GaN具有的優勢主要有哪些

請問一下SiC和GaN具有的優勢主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15

車用SiC元件討論

2 : Si、SiC和GaN的特性優值比較(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標主要目標WinSiC4AP致力為高效能、高成本效益的目標應用開發可靠的技術
2019-06-27 04:20:26

SiC器件的核心挑戰#硬聲創作季

SiC
電子學習發布于 2022-11-20 21:18:34

半導體材料知多少?SiC器件與Si器件性能比較

SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優勢體現在哪些方面?電子發燒友網根據SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979

14.1 SiC基本性質(上)_clip001

SiC
jf_75936199發布于 2023-06-24 19:12:34

14.1 SiC基本性質(上)_clip002

SiC
jf_75936199發布于 2023-06-24 19:13:16

14.1 SiC基本性質(下)

SiC
jf_75936199發布于 2023-06-24 19:14:08

14.2 SiC晶體結構和能帶

SiC
jf_75936199發布于 2023-06-24 19:22:10

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257

SiC功率器件加速充電樁市場發展

隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774

SiC IGBT在電力電子變壓器的發展

材料又具有優于傳統 Si 的特性,那么為什么見得最多的卻是 SiC MOS,SiC IGBT 在哪兒呢?
2020-03-20 15:56:284190

半導體材料:Si、SiC和GaN

作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現了以Si基器件為主導,SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157

SiC MOSFET的特性及使用的好處

電力電子產業未來的發展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計,而在高開關頻率高功率的應用中,SiC器件優勢明顯,這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631

SiCSi產線差異和轉換

。在接受《半導體工程》采訪時,Veliadis詳細介紹了SiC制造工藝和Si工藝的差異的一些要點。 Etch蝕刻工藝。SiC在化學溶劑中呈現惰性,只有干法蝕刻可行。掩膜材料、掩膜蝕刻的選擇、混合氣體
2022-08-19 16:53:301022

SiC MOSFET 的優勢和用例是什么?

SiC MOSFET 的優勢和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034

SiC-SBD的發展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優勢

關于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容,并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC-SBD和SiC-SBD的發展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的,所以在此匯總一下SiC-SBD的發展,整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355

使用SiC-SBD的優勢

SiC-SBD為形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同,僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構,電流通過電子與空穴(孔)流動。
2023-02-23 11:24:11586

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736

SiCSi的應用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術,具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

SiC在UPS中的應用優勢

我們聊了關于UPS的概念和分類,以及在線式UPS的三個工作模式。第三代寬禁帶半導體WBG的誕生和發展,讓很多使用Si基半導體器件的行業得到提升,今天我們就簡單地聊聊SiC在UPS中的應用優勢。
2023-04-14 14:35:10788

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半導體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145

SiC應用優勢及趨勢

電子發燒友網站提供《SiC應用優勢及趨勢.pdf》資料免費下載
2023-08-29 16:24:511

SiC相較Si優勢是什么?碳化硅的實際應用優勢

如今,大多數半導體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-05 10:56:05277

碳化硅(SiC相較于硅(Si)有哪些優勢!

硅碳化物(SiC)技術已經達到了臨界點,即無可否認的優勢推動一項技術快速被采用的狀態。
2023-09-07 16:13:00661

SiC相對于傳統Si優勢如何

碳化硅(SiC)技術已達到臨界點,即不可否認的優勢推動技術快速采用的狀態。 如今,出于多種原因,希望保持競爭力并降低長期系統成本的設計人員正在轉向基于SiC的技術,其中包括: 降低總擁有
2023-10-13 09:24:17824

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149

SICSI有什么優勢?碳化硅優勢的實際應用

SiC的導熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11490

已全部加載完成

亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看
<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>