作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:10
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電力電子將在未來幾年發展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
將超過30％。 ? 根據進行的一項研究，新型材料半導體的特點是尺寸小且功率密度高，Global Market Insights預計，到2027年，GaN和SiC功率半導體市場將超過45億美元
2021-05-21 14:57:182257 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 來源 華西證券編輯：智東西內參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯網時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。三大化合物半導體材料
2019-05-06 10:04:10
水平。2022年12月，銘鎵半導體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業化公司。2022年5月，浙大杭州科創中心首次采用新技術
2023-03-15 11:09:59
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設備工程聯合委員會）似乎沒把應用條件納入到開關電源的范疇。我們將在最終產品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導體材料，GaO的導熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發工作。系統參與者
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
為什么
GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，
GaN這一
材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的
材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件
材料技術上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
旋轉盤伏安法、循環伏安法和電阻抗測量方法，研究了n-GaN在各種水溶液中的（光）電化學行為。結果表明，半導體的邊緣位移超過60mV/pH單位，表明在界面上存在酸堿平衡。在硫酸和氫氧化鉀溶液中，陽極偏置
2021-10-13 14:43:35
電源開關的能力是 GaN 電源 IC 的一大優勢，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術而制成。GaN-on-SiC 方法結合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅動。當務之急是找出能生產透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮щ?b class="flag-6" style="color: red">氧化
2020-11-27 16:30:52
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
今年7月，東南大學有序物質科學研究中心研究團隊發現了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達到了傳統無機壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產品體積進一步縮小、彎折衣服就可對手機充電等應用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優勢？
2020-08-19 07:58:38
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。[color=rgb(51, 51, 51) !important]GaN和SiC同屬于第三代高大禁
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設計和PCB
2020-11-18 06:30:50
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
來看，基站功率放大器主要采用基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。然而，越來越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性，并導致眾多供應商在高功率基站功率放大器技術方面轉向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26
的機遇和挑戰等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯
來自普渡大學和哈佛大學的研究人員制作出一種新型晶體管，所使用的材料有望取代硅，并且采用了立體結構，而非傳統的平板結構。這種
2011-12-08 00:01:44
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的選擇和比較進行了分析?？紤]了晶體管參數，如與時間相關的輸出有效電容（Co（tr））和關斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
限制層，為像GaN材料體系這樣性質差異大的半導體激光器提供了新的研究思路，有望進一步提高氮化鎵激光器性能?！ ∥磥?b class="flag-6" style="color: red">GaN基藍光激光器的效率將進一步提升，接近GaAs基紅外激光器的電光轉化效率
2020-11-27 16:32:53
數據已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術。 硅基氮化鎵成為射頻半導體行業前沿技術之時正值商用無線基礎設施發展
2018-08-17 09:49:42
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到，一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
)。WBG 板載電動汽車充電器示意圖此外，這兩種寬帶隙化合物半導體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據說具有很高的擊穿電壓，可以在高溫下工作?？紤]到這一點，本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間
2022-06-15 11:43:25
的成本實現與SiC相當的整體效率。為什么選擇砷化鎵？成本 -用于砷化鎵二極管的晶圓的原材料成本及其固有的較低制造工藝成本代表了以顯著較低的價格實現SiC性能的重要機會。封裝砷化鎵二極管的典型成本約為同類
2023-02-22 17:13:39
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
采用熱傳導率更優的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結溫，能在高溫環境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區間GaN將在高功率，高頻率射頻市場優勢明顯相比于4G，5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應用在技術成熟度曲線的位置，對我們研發、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
請問一下SiC和GaN具有的優勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
）。因此，氧化鎵等材料的真正電子性能來自于充分利用其臨界電場強度，但這個臨界電場強度值到底是多少呢？直到2015年，尚無團隊給出這種材料可實現場強的真實數字。和其他器件一樣，初步結果遠未達到理論極限。在
2023-02-27 15:46:36
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
本文將從耐蝕性、高溫抗氧化性和抗老化性能來詳細介紹金屬材料的化學性能。http://www.gooxian.com/ （1）耐蝕性耐腐蝕性是指材料抵抗介質侵蝕的能力，材料的耐蝕性常用每年腐蝕深度（滲
2017-08-25 09:34:50
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
“功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優
2012-07-02 11:18:331387 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體材料（即第三代半導體材料）設備、制造工藝與器件物理的迅速發展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發展方向。
2017-10-17 17:23:191633 1.GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:52
9 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐，但世易時移，新興市場為其應用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:205129 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2019-01-05 09:01:093767 
碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導體材料， 它已經廣泛用于制造開關器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導體的潛力，并且在射頻應用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3111724 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨特優勢。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導體材料，相較于已經發展十多年的 SiC，GaN 功率器件是后進者， 它擁有類似 SiC 性能優勢的寬禁帶材料
2022-09-27 17:25:321714 
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備，其中許多每天運行數小時，因此節省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297 目前，98.7％的功率半導體產品是使用硅襯底材料制造的。然而，存在從Si到寬帶隙襯底材料（GaN和SiC）的轉變，這有望實現功率器件性能的顯著提高。在未來四到五年內，預計這些材料的使用量將增長3.9％（17億美元）。*
2023-05-30 14:28:30347 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 
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