SiC功率器件加持，羅姆閃耀慕尼黑上海電子展

　　作為業內極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內外眾多半導體廠商的關注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導體也攜帶了其最新的產品和技術出席了這次盛會。電子發燒友網受邀請拜訪了羅姆的展臺，聽現場工程師給我們帶來羅姆的最新產品和技術分享。

　　羅姆成立于1958年，最初是做電阻起家，其英文名ROHM就是由電阻的單詞Resistance的首字母R和電阻的單位歐姆（OHM）組合而成的。一直以來功率器件都是其最核心，也是最基礎的領域，在這次展會現場，功率器件也是羅姆展示的重要產品的一部分。

　　慕尼黑電子展現場的羅姆展臺

　　SiC技術夯實功率器件產品線

　　近年來，由于電動車和工控設備等的發展，對于高性能的功率器件日益增長，傳統的Si基器件已逐漸不符合新產品的性能需求，于是半導體廠商就將目光投向了性能更佳的SiC材料。作為功率器件領域的強者，羅姆無疑是當中的先鋒。

　　根據羅姆展臺現場的工作人員介紹：“與Si半導體相比，SiC功率器件可進一步實現小型化、低功耗及高效化。它在高溫環境下具備優良的工作特性，且開關損耗更低。尤其是這次帶來的全SiC功率模塊，性能更優越?！?/p>

　　除了具備高速開關、高速恢復以外，羅姆的這些全SiC功率模塊還具備第開關損耗和消除寄生二極管通電導致的元件劣化問題。

　　從和現場的工作人員求證得知，這些內置的功率半導體元件全部由SiC構成的新型功率器件較之傳統的Si基IGBT，開關損耗大幅減少，將其最新的產品BSM300D12P2E001和傳統的IGBT對比可得出，這個損耗減少數值可以高達77%。

　　而在高速開關動作時，則可以實現低損耗，如在5kHZ時的開關損耗可以降低22%，而在30kHZ，這個數字可以去到60%。而這都是傳統的IGBT所不能達到的。

　　這系列產品也具有豐富的產品陣容，能夠滿足不同客戶的需求。

　　龐大的SiC功率器件產品陣容

　　除了全SiC功率模塊以外，羅姆還有各種各樣的SiC器件，例如SiC MOS管和SiC二極管，在展會現場，羅姆帶來了第二代SiC肖特基勢壘二極管，這一代產品不但具有業界最小級別的正向電壓（VF=1.35V）、快速回復特性和極低的開關損耗，能夠廣泛應用在太陽能功率調節器、開關電源、EV/HEV逆變器和充電器上面。

　　由于SiC產品在性能上遙遙領先傳統的Si產品，成本自然而然就成為了消費者和制造商關注的問題。在問到這個的時候，羅姆的工作人員透露：“SiC二極管價格則是Si二極管的2到3倍；SiC MOS管則是Si MOS管的3到5倍；SiC模組的價格更是比IGBT貴5倍開外?！?/p>

　　考慮到SiC產品可以高達100kHZ以上的高頻特性和其他優點，加上開發難度和成本原因，這點溢價相信會被制造商所接受。