通用適配器來了，氮化鎵技術做后盾

Tomas Moreno，Dialog公司業務發展與戰略總監

在過去的半個世紀，硅一直是現代電子工業的基礎，原因很顯然：到現在為止，硅是大規模應用于最新消費、商業和工業技術最完美的半導體材料。但是現在，面對一種可提供比舊行業標準更高的速度、更強的功率處理能力和更小的尺寸的新型半導體材料，硅的局限性受到了挑戰。

這種顛覆性材料就是氮化鎵（GaN），自上世紀90年代以來主要用于LED和RF器件的化合物。盡管GaN并不是剛剛發現或新奇的材料，但是GaN剛剛進入下一代電子設備的功率半導體應用，創造了速度和轉換效率的新高度。

Dialog與臺積電（TSMC）合作，推出市場上首個高電壓GaN功率IC +控制器組合。該功率產品組合（以SmartGaNTM產品系列為先鋒）將實現轉換效率可達94%的快速充電技術。

我們的新PMIC DA8801與Dialog具有專利的數字式 Rapid Charge?電源轉換控制器結合使用，可以實現比目前的硅場效應晶體管（FET）設計更高效、更小、功率密度更高的適配器。事實上，DA8801可以使硅PMIC的功率損耗和尺寸幾乎減半，進而使該技術的成本減半。

我們計劃首先將這種技術應用于PC和手持設備的快速充電適配器。目前在快速充電適配器市場上，憑借Rapid Charge?快速充電技術，Dialog的市場占有率已超過70%。GaN具有十分驚人的促使這類產品的功能、外觀和成本發生革命性變化的潛力：因為GaN技術可使功率電子器件的尺寸減小50%，一個典型的45W GaN驅動的適配器的尺寸可與傳統25W設計的尺寸一樣甚至更小。通過更緊湊的設計，適配器能變得更輕巧，有助于在不久的將來實現能為所有移動設備供電的通用適配器。

GaN技術提供全球速度最快的晶體管，這些晶體管是高頻和超高效功率轉換的核心。Dialog的DA8801半橋將柵極驅動和電平轉換電路與650V功率開關相集成，可使功率損耗降低達50%。同樣重要的是，這些特性有助于無縫應用GaN技術，而無需設計復雜的外圍電路。

這使GaN技術能夠順利地集成入其他產品。因此，DA8801集成式GaN半橋為提升各種技術的效率帶來了幾乎無窮的可能性，從助力更快速的物聯網（IoT）應用，到提升服務器和數據存儲操作的效率。到目前為止，硅材料對我們提供高效、敏捷的技術發揮了重要作用，而GaN將會在未來帶我們走的更遠。

閱讀更多內容，了解我們的SmartGaNTM產品如何幫助支持未來的技術，實現更高效和連網的未來：http://www.dialog-semiconductor.com/products/DA8801。