pSemi公司推出完整的5G毫米波射頻前端（RFFE）解決方案

多功能產品組合覆蓋 24-40GHz 頻段，展示了集成模塊、分立波束成形及升降頻轉換器射頻集成電路（RFIC）等技術

圣迭戈，2022年2月1日——村田旗下公司、專注于半導體集成技術的pSemi? Corporation宣布將其毫米波（mmWave）射頻前端產品組合拓展至5G無線基礎設施應用領域。新型管腳到管腳（pin-to-pin）兼容產品由三個波束成形器IC和兩個升降頻轉換器組成，可以靈活地實現IC互換，在n257、n258和n260頻段實現中頻到射頻全覆蓋。這種模塊化方法與片上校準和數字校正相結合，有助于系統團隊簡化設計周期，并快速適應不同的有源天線設計配置。該多元化產品組合可作為分立射頻集成電路（RFIC）使用，也可作為Murata 28 GHz天線集成模塊的一部分，采用小巧的IC外形尺寸設計，集性能、集成度和可靠性于一身。

pSemi 5G毫米波產品集成組合提供獨立IC以及天線集成模塊。

在智能中繼器、室內基站和其他小型蜂窩應用程序的支持下，毫米波將首先在人口密集的城市地區進行主流部署，實現短距離覆蓋。波束成形和有源天線系統的普及，以及人們對網絡容量的需求不斷增加，為SOI-CMOS技術成為先進5G系統的首選毫米波平臺開辟了新的機遇。

pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示：“自2015年以來，pSemi始終致力于提供毫米波產品，并不斷深化我們在高頻射頻SOI設計領域的專業知識和專利組合。這些經驗，再加上母公司村田的先進封裝和全球制造實力，使我們能夠支持更高水平的集成，簡化5G毫米波產品的開發和部署?！?/p>

8通道波束成形器射頻集成電路的特點和優勢

每個UltraCMOS? PE188100、PE188200和PE189100 射頻集成電路都在單晶片中集成了功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）、移相器、波束成形器、開關和混頻器，為多達1024個振子的天線陣列提供最佳的信號強度。

• 全頻譜覆蓋——支持n257 （PE188200）、n258 （PE188100） 和 n260 （PE189100） 頻段，具有管腳到管腳（pin-to-pin）兼容性
• 靈活的天線設計——八個獨立可控的射頻通道，支持四個雙極化或八個單極化天線單元
• 波束成形精度——在期望的誤差向量幅度（EVM）方面提供線性POUT，具有較低的方均根相位誤差和幅度誤差，可提高天線陣列增益和天線方向性。

雙通道升降頻轉換器射頻集成電路的特點和優勢

每個 PE128300 和PE129100 都在單晶片中集成了振蕩器、混頻器、放大器和開關，可與多達16個pSemi波束成形射頻集成電路或總共128個波束成形器通道配對，以支持大規模 MIMO、混合波束成形及其他有源天線配置。

• 寬帶覆蓋——支持n257/n258 （PE128300） 和 n260 （PE129100） 頻段，具有管腳到管腳（pin-to-pin）兼容性
• 低噪聲系統設計——優化I/Q平衡調節能力，最大限度地降低本振（LO）泄漏，從而提高誤差向量幅度（EVM）表現
• 低功耗——業界領先的低功耗特性，可有效降低系統散熱設計要求

5G天線集成模塊的特點和優勢

pSemi 和村田共同打造了一款易于使用的5G毫米波天線集成模塊（1QT型），該模塊支持28 GHz頻段。在4 x 4天線陣列中，每個模塊都集成了高性能天線和帶通濾波器以及pSemi波束成形器IC和升降頻轉換器。多個模塊可以組合在一起，便于設計人員快速擴展和構建不同規模的天線陣列。

• 精密低溫共燒陶瓷（LTCC）基板封裝——優異的耐熱性和防潮性，即使在惡劣環境下也能實現穩定的性能和熱管理
• 先進的帶通濾波器技術——低插入損耗和高衰減，可減少干擾，并最大限度地提升信號完整性
• 通過整機無線輻射性能（OTA）制造測試——性能已通過OTA制造測試驗證，可簡化開發流程