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電子發燒友網>電子資料下載>電子論文>射頻無線論文>射頻接收芯片結構選擇的幾個要點分析

射頻接收芯片結構選擇的幾個要點分析

2017-11-14 | rar | 0.5 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

如果簡單的把射頻芯片設計分成系統設計、路模塊設計、版圖設計三個階段,那么,我們知道,越早出現不良設計對后面的設計工作造成的難度越大,為得到相同效果所花費的代價也就越大,由此系統級設計就顯得尤為重要。射頻接收器結構的確定可以說是系統設計的一個基本任務。
  一般而言,在現代的射頻系統中,天線接收到的信號頻率很高而且具有極小的信道帶寬。如果考慮直接濾出所需信道,則濾波器的Q值將非常大,而且高頻電路在 增益、精度和穩定性等方面的問題,在目前的技術條件下,對信號直接在高頻段解調是不現實的。使用混頻器將高頻信號降頻,在一個中頻頻率進行信道濾波、放大 和解調可以解決高頻信號處理所遇到的上述困難,但是又引入了另一個嚴重的問題,即鏡像頻率干擾:當兩個信號的頻率與本振(LO)信號頻率差在頻率軸上對稱 地位于本振信號的兩邊,或者說它們的絕對值相等但是符號相反,那么經過混頻后這兩個信號都將被搬移到同一個中頻頻率。如果其中一個是有用信號,另一個是噪 聲信號,那么噪聲信號所在的頻率就稱為鏡像頻率,這種經過混頻后的干擾現象通常被稱為鏡頻干擾。
  為了抑制鏡頻干擾,普遍采用的方法是利用濾波器濾除鏡像頻率成份。但是由于該濾波器工作在高頻頻段,其濾波效果取決于鏡頻頻率與信號頻率之間的距離,或者說取決于中頻頻率的高低。如果中頻頻率高,信號頻率與鏡像 頻率相距較遠,那么鏡像頻率成份就受到較大的抑制;反之,如果中頻頻率較低,信號頻率與鏡像頻率相隔不遠,濾波的效果就較差。但另一方面,由于信道選擇在 中頻頻段進行,基于同樣的理由,較高的中頻頻率對信道選擇濾波器的要求也較高。所以,鏡像頻率抑制與信道選擇形成了一對矛盾,而中頻頻率的選擇成為平衡這 對矛盾的關鍵。在一些要求較高的應用中,常常使用兩次或三次變頻來取得更好的折衷。
  依靠考慮周到的中頻頻率選擇和高品質的射頻(鏡像抑制) 和中頻(信道選擇)濾波器,一個精心設計的超外差接收機可以達到很高的靈敏度、選擇性和動態范圍,長久以來成為經典的傳統選擇。如前所述,超外差接收機在 抑制鏡像頻率干擾、敏度和選擇性上有較大優勢,而且多級轉換無直流漂移和信號泄漏,但是也有成本高、對IR濾波器有較高要求、需要低噪聲放大器(LNA) 和混頻器(Mixer)與50W的良好匹配等缺點,而且鏡像頻率抑制濾波器和信道選擇濾波器通常不適于單片集成。
  后來的零中頻(Zero IF)結構,如圖1所示,不需要抑制濾波器,交互調制降低,較適合單片集成。但也有直流失調、信號泄漏的缺點,而且需要高頻、相噪的頻率合成器,給電路設 計也帶來一定難度。與零中頻相似,低中頻(Low IF)結構也適于集成,其結構如圖2所示(兩圖均以2.4GHz頻段的IEEE802.15.4協議為例)。但需要注意的是帶內鏡像頻率信號的抑制。通常 需要70dB的鏡像抑制比,但往往片上集成只能達到40dB或更少。
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  圖1 零中頻接收機結構;低中頻接收機結構
  其他接收結構還有寬帶-雙中頻接收機、采樣接收機、數字中頻接收機等。寬帶-雙中頻接收機結構具有易集成、成本低、功耗低等優點,其缺點是閃爍噪聲影響和二 階互調失真明顯,且有射頻中頻串擾的問題。子采樣接收機和數字中頻接收機對模數轉換器ADC)有較高要求,如需要ADC有足夠高的動態范圍,帶通Σ-Δ ADC( Band pass Σ-Δ ADC)等,而帶通Σ-Δ ADC有較大的設計難度。
  如前所述的原因,現在的射頻芯片采用零中頻和低中頻方案的設計較為普遍,也是射頻接收端通常需要仔細評估的兩種方案。零中頻采用IQ解調的方法提取相位,正交成分等信息,由ADC將其數字化后處理。低中頻則采用典型的限頻鑒頻器從調制載波中提取信號。
  低中頻結構避免了自動增益控制(Automatic gain control, AGC)電路且對信道信號的好壞有較快的響應速度,由此降低了接收機及相關電路的復雜度。鑒頻器等電路易于設計,不要求載波同步及大電流,占用芯片面積也 較小。不過相對于采用相干解調的零中頻結構,低中頻結構的靈敏度會有3dB的損失。而且通常低中頻結構需要一個信道濾波器獲得有效載波頻率,降低噪聲,鄰 道干擾等的影響。如果射頻系統所使用的協議所限定的信號頻率寬度,鄰道選擇要求較寬松,則對濾波器的要求就比較低。低中頻結構還需要鏡像抑制混頻器降低鏡 像干擾問題。
  對于低碼元(chip)率的協議,如2M Chips/s,要求調頻寬度約為2 MHz。如果中頻過低,信道濾波器相對帶寬過高,那么濾波器也很難實現,而且也難以將中頻信號濾出,則將難度轉嫁給了基帶的數字濾波器。相反,中頻濾波器頻率過高就要求放大器的帶寬足夠大。
  相比于低中頻,零中頻結構不需要本振在接收和放射模式間改變頻率,也就降低了頻率合成器設計的難度。零中頻結構也不需要鏡像抑制混頻器,因為零中頻結構不會 產生鏡像頻率。相比于相等帶寬的中頻帶通濾波器的設計,零中頻結構只需要更簡單的低通濾波器以確定I路與Q路輸出信噪比。零中頻結構可以在濾波器匹配和同 步檢波技術上獲得最佳解調效果。
  不過零中頻相比于低中頻技術也有自身的缺點。比如需要AGC,混頻器后的直流偏移(DC offset)消除電路,并且由于信號分I、Q兩路,故須兩個模數轉換器(ADC)及一個共用的ADC來對信號進行模數轉換。IQ兩路與基帶芯片或集成的 基帶電路之間需要一個IQ模擬接口,IQ結構存在一個重要設計難點就是IQ平衡問題。IQ兩路間的幅值和相位失衡將產生IQ圖像疊加在有用信號上,這會降 低EVM性能。所以,零中頻結構有時還需要額外的電路來隔離基帶芯片以實現同步解調。表1給出在一種IEEE802.15.4的射頻接收器在0.18mm 工藝下的兩種設計方案的面積對比。
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