賽晶攜最新自主研發IGBT模塊亮相2022年汽車電子創新技術研討會

8月10日，有全球知名電子科技媒體<電子發燒友>主辦的2022年汽車電子創新技術研討會在中國深圳成功舉辦。共有近200名來自各汽車電子相關企業的技術專家們蒞臨現場，帶來了最新的技術分享。
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研討會上，賽晶半導體技術支持總監馬先奎先生，發表主題報告“電動車用功率模塊的發展趨勢-從工業級到汽車級”。介紹了乘用車對功率模塊的技術需求，以及賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優勢及特點，并展示了面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發電和工業電控領域的ST封裝模塊。這是繼ED封裝IGBT模塊之后的又一力作，也是賽晶面對蓬勃發展的電動車市場做出的積極回應和對服務好客戶的意愿展示。
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i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH結構、多項國際前沿優化設計，具有低阻抗短溝道、先進的3D結構、N-增強層，使用TAIKO技術超薄基底、優化的P+設計，以及窄臺面精細圖案、激光退火處理的場截止層和陽極等優勢，多項國際前沿優化設計帶來超低導通損耗和關斷損耗。



HEEV封裝SiC模塊是專為實現高效率電動汽車應用而開發，采用低損耗的SiC MOSFET芯片，以及壓注模封裝技術，因而能夠提升對濕度等惡劣環境的抵抗力。此外，還采用燒結、超聲波焊接等多種先進的封裝工藝，無基底直接冷卻(已申請專利)、鉗橋式結構等獨特的創新設計；模塊更小的體積（體積降低50%）、更低的損耗（連接電阻降低50%）、更高的可靠性（雜散電感降低40%），擁有高可靠性、良好的可控性、相同的額定功率。
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研討會同期展覽，賽晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝模塊、ST封裝模塊以及EV封裝模塊樣品，引發與會技術專家們廣泛關注，現場火爆程度超乎預期。許多與會專業人士紛紛到賽晶展位參觀和咨詢，與現場技術、銷售人員進行了深入的交流，并對賽晶將推出的新品抱有極大期許。
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賽晶展示了自主研發的面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及帶來了賽晶IGBT最新前沿技術。憑借創新的產品理念、國際一流的研發實力、豐富的行業經驗，以及國際頂級的技術專家團隊，賽晶科技及其子公司賽晶半導體在打造自主技術高端 IGBT產品的路上穩步向前，始終致力于為電動汽車、新能源發電、工業電控等市場開發出具有國際一流品質的IGBT芯片和模塊產品。