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殘像的定義：
殘像也叫影像殘留（Image Sticking），它是指顯示器長時間顯示同一靜止畫面，在改變顯示內容后留下之前畫面的現象，如下示意圖；實際發生的殘像可能是顯示屏整面的也可能是局部的。
事實上，所有的TFT-LCD顯示屏或輕或重的都存在一點殘像的問題，而對于使用面內轉換型IPS技術的顯示屏，沒有像扭曲向列型一樣的氧化鋼錫屏蔽層。所以，使用FFS或者IPS技術的顯示屏相對比較容易出現殘影。
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殘像的分類：
殘像也有類別之分，目前主要有以下三種不同維度的分類方式，具體總結如下表：
注：電壓保持率（VHR）是表征液晶材料信賴性特性的重要參數之一；
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殘像的起因：
殘像產生的原因主要由材料因素、設計因素、驅動因素等。材料因素是導致存在雜質離子聚集的原因，設計因素和驅動因素是導致存在直流偏置電壓的原因，改善殘像可以從清除雜質離子方面著手，也可以從直流偏置入手。具體原因如下：
1.PI/LC材料的選定，引起殘像
2.因AC施加而引起的殘像
3.因DC施加而引起的殘像
4.離子污染引起的殘像
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PI/LC材料的選定，引起殘像：
離子型不純物來源很多：材料污染、設備污染、制程污染；其中材料污染，包含彩膜的黑色矩陣（Black Matrix，BM）、R、G、B、隔墊物制程材料，以及 Cell 的配向膜、液晶、框膠等材料。這些雜質離子都有可能在這些直流偏置的影響下，在液晶盒內形成干擾電場。
另外，液晶本身是一種聚合物，并不是100%純凈，在液晶中實際是夾在著一些移動的雜質離子，當加電壓時，因為雜質離子容易受到電極上和它不一樣的電荷吸引，導致電極移動。如果加的極性相反，此時雜質離子變化的的方向就相反。當直流電壓比較高的時候，也會出現液晶材料逐漸分解出離子。
關于配向膜的使用，當前主要用在配向膜的材料方面，都是以溶劑材料，在液晶盒制造過程中，由于玻璃基板的干凈與否，配向膜的成膜的厚度及表面的平坦度，還有固化制造過程，都會導致夾雜一些雜質離子。
改善對策：盡可能選擇高品質的配向材和液晶材的搭配，可減弱殘像的現象。
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AC殘像的形成原因及改善措施：
通過分析發現，其交流分量產生的原因是由于液晶與配向層之間的配向力弱，加電場后預傾角發生變化，其透過率增大，從而導致殘像；
圖b：白格子區域的液晶旋轉，黑格子區域液晶不旋轉。旋轉液晶同時受到外加電場作用力和分子間作用力， PI 表層液晶分子受 PI分子作用力大于外加電場作用力，表層液晶分子不會旋轉。越靠中間層液晶受外加電場作用力越大，旋轉角度越接近理論值。在信號持續輸出時，白格子區域的液晶通過分子間作用力（電性力和色散力）影響到 PI 表層液晶， 若 PI 膜配向能力差， PI 表層液晶的預傾角隨液晶轉動發生變化。
圖c：切換灰階畫面，因白格區域的預傾角較黑格區域的預傾角已經發生偏轉， 在相同灰階電壓下，已發生角度偏轉區域的液晶更易偏轉到理論角度，其透過率增大，從而導致殘像。
形成原因總結：?配向能力不足，加電場后預傾角發生變化，透過率增大，導致殘像
配向力各相關參數與殘像關系的實驗驗證結果匯總如表如下：
考慮通過提升配向力改進殘像時，可以通過提升預烘烤的溫度，延長本固化的時間，以及增大壓入量的方式。
在實際應用中，車載應用的 10.25 寸產品將參數由“預烘烤90℃，本固化時間 1650s，Torq 值 0.18，壓入量 0.25”變成了“預烘烤 90℃，本固化時間 1800s，Torq 值 0.18，壓入量 0.35”。
殘像在改進后的條件下以 L2 為標準，殘像由 100%不良變成了 9%不良，殘像水平得到有效改善。
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AC/DC殘像的判定：
我們已經知道了AC殘像的主要產生機理，那么在實際中我們該如何判斷一個殘像是AC殘像還DC殘像呢？目前主要有兩種方法：
①調節Vcom：若殘像程度無明顯變化，則是AC殘像；若有明顯變化或者能調消失，則為DC殘像。原因是，AC殘像屬于液晶配向的問題，調節Vcom電壓改變不了液晶的配向，因此AC殘像不會變化。至于為何DC殘像在調節Vcom時會有變化，且看下文繼續分解；
②根據Vcom 和亮度曲線來判斷：當 Panel 的配向力不足時， LC 分子和 PI 之間相互作用力減弱，因此當液晶轉動同樣角度時所需要的電場強度降低， 在宏觀表現上則是 V-T 曲線左移，因此 Vcom 和亮度曲線整體會上移；
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DC殘像的形成原因：
產品在加壓過程中，在像素區會出現交流驅動不對稱的地方，偏離中心的那部分電壓就是 DC 偏置。
DC 偏置吸引屏內離子型不純物，導致離子聚集從而形成殘留 DC 偏置；
切換顯示畫面時，由于殘留 DC 作用，液晶分子受離子影響不能正確保持設計所要求的狀態，導致在離子聚集處與其他區域顯示亮度出現差異→形成殘像不良。
直流分量的來源：
在殘像測試和判定的過程中，涉及兩個畫面，用于測試的黑白相間的棋盤格畫面，和用于判定的灰階畫面。其中，黑，白和灰三種狀態均屬于不同的灰階，所以在研究公共電極電壓影響因子變化時，著重分析灰階畫面下反饋電壓的變化。?
其次，在充放電過程中，漏電流等效于一個直流電壓分量。因此，我們DC電壓來于兩個方面，第一方面是灰階畫面下公共電極電壓影響因子變化帶來的直流分量，第二方面是漏電流導致的直流分量。
如何改善：
因寄生電容和液晶電容的影響，在不同灰階下寄生電容和液晶電容的變化，最佳Vcom也會發生變化，若將灰階畫面下Vcom的變化量補償到Vd，以達到等效于不同灰階最佳Vcom不同的改進方案，可以有效改善殘像問題。
由于薄膜晶體管器件漏電流的特征，Ioff 的偏移與殘像等級存在相關性，需提升Ioff的穩定性，減少薄膜晶體管器件漏電流對殘像的影響。
通過改變溝刻深度和氦處理提升薄膜晶體管漏電流的穩定性，減少帶來影響的直流電壓。
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線殘像形成原因：
在棋盤格畫面下， 由于在黑白顯示區域之間存在一個 DC 偏置電壓，邊界線的 DC 偏置電壓促使不純物離子向邊界聚集，使離子聚集處的像素電壓發生起伏，影響液晶偏轉，導致透過率發生偏移， 形成 Ximi（即線殘像）
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線殘像和 DC 面殘像的關系：
DC 面殘像與 Ximi 都存在 DC 偏轉和離子不純物；但兩者現象差異大，主要與 DC 偏轉值的大小及 DC 偏轉區域大小緊密相關（ Ximi 的 DC 偏置值大，范圍?。?。
發生Ximi 往往有 DC 面殘像，但兩者不是必然的，主要還與產品驅動信號、材料設計等相關；
審核編輯：劉清
工商網監
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