65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
水平。2022年12月，銘鎵半導體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業化公司。2022年5月，浙大杭州科創中心首次采用新技術
2023-03-15 11:09:59
，MicroLED電視還基于模塊化系統，允許用戶自定義屏幕的尺寸，并有可能在未來發展。就是說，雖然模塊化技術被宣傳為“無縫”，但顯示器卻得到了極大的改進，到目前為止，根據我們的經驗，如果您仔細觀察，仍有縫隙。
2020-06-22 10:51:11
舉辦12期。 “產業前沿技術大講堂” 在選題上，精選產業化前景廣泛的前沿技術領域，聚焦科技成果轉化和產業轉型升級的熱點，按照“四有”標準進行篩選：有度：炙手可熱的溫度、不可逾越的高度、革新舊有的力度；有
2017-11-27 09:21:39
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠幠２捎弥芷?，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術的不斷進步，藍光激光器的性能在不斷提升?！ D3、（a）氮化鎵/藍寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比（圖中暗斑為位錯缺陷） 在襯底方面，早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
和意法半導體今天聯合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃，這標志著氮化鎵供應鏈生態系統的重要轉折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規模化和出色運營完美結合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
：CMOS一、硅基光電子的發展趨勢標準的光電模塊，有利于產業化；具有成熟的設計包；硅基電子集成：快速EM仿真設計硅
2021-07-27 08:18:42
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態射頻系統開發經優化后可供烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火系統的商業制造商使用系統設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優勢在IMS現場
2017-08-03 10:11:14
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
公司在6英寸硅晶圓生產（2017年轉為8 英寸硅晶圓）領域的行業領先地位和與合作方的親密協作，進一步提高了生產能力并提供了產業必需的成本結構，破除了氮化鎵技術在商業基站市場應用中所面臨的障礙。生產
2017-08-30 10:51:37
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
科技，高調進入資本市場；韓國巨頭LumiMicro也在內地進行強勢拓展；南昌晶能光電的硅襯底氮化鎵藍光項目和大連路美的芯片核心技術，都具有全球競爭力；鳥巢的LED半導體芯片項目由清芯光電中標，也徹底扭轉了國外
2008-09-27 09:08:35
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
數字家庭產業聯盟秘書長兼DiiVA產業化促進中心主任陳曉東，他在采訪中說道：“我們歡迎一切對DiiVA有充分了解、對DiiVA的發展抱有信心的企業成為DiiVA的采用者，如果不打算采用這項技術，就沒有必要
2010-03-25 18:25:17
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
相比，在硅襯底上設計集成電路更具成本效益。最終，砷化鎵可能完全取代硅，目前作為 VLSI 和 ULSI 設計的替代品。砷化鎵的速度是硅電路的五倍，因此隨著對高速電路需求的增加，它可能會變得更有吸引力。隨著技術和網絡設計的不斷發展，這一點尤其正確。如果說過去是未來的象征，那么這只是時間問題。
2022-04-04 10:48:17
鎵晶圓的制作成為可能。Na Flux （Na Flux）工藝是將 Na/GaN溶液置于壓力30-40的氮氣中，在該溶液中溶解氮并使其飽和，由此導致氮化鎵晶體沉淀。此項技術由山根久典教授于日本東北大學
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
可以形成優質波導。更為重要的是鍺的禁帶寬度窄能吸收通信波段的光，彌補了硅探測器無法 吸收長波長光的不足。將SOl襯底和鍺硅集成電路工藝相結合，有望成為單片集成光電子技術研究的方向之一。硅基光源問題仍是
2011-11-15 10:51:27
和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢，但在設計上也帶來一定挑戰。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
?！盚igham說，“這意味著覆蓋系統的全部波段和頻道只需要更少的放大器?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的三五價半導體材料，LDMOS（橫向擴散MOS技術）是基于硅
2016-08-30 16:39:28
技術屬于自有，除了與Avago擁有穩定的合作關系外，客戶分布狀況也較平均，抽單風險較為分散。
除了宏捷科之外，中國的競爭者也虎視眈眈，例如在LED產業崛起的三安光電有意進入砷化鎵產業，因為制程學習需求
2019-05-27 09:17:13
氮化鎵開關管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導通電阻。通過使用氮化鎵開關管來減少硅MOS管的數量，還可以減小保護板的面積，使保護板可以集成到主板上，節省一塊PCB，降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41
這樣的領導者正在將氮化鎵和固態半導體技術與這些過程相結合，以更低的成本進行廣泛使用，從而改變行業的基礎狀況。采油與傳統的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
輪轂電機的產業化之路，仍有諸多瓶頸尚需解決。結合輪轂電機相關技術、成本、制造、市場等難點簡要分析，探討了輪轂電機產業化發展思路?！ ? 分析背景 PD18永磁同步輪轂電機的基本參數如表1所示?！ ”?
2023-03-01 10:00:59
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
摘要：據了解，無論是工業控制電源、工業控制計算機主板、還是其他嵌入式設備，我國的產業化水平都很高。問題在于數控系統的另一組成部分——軟件。數控系統技術方案中軟件承載著數控系統的運動控制、邏輯控制
2021-07-01 13:27:41
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
政策導向逐漸明晰，另一方面是企業的“執著”，誰將成為引領力量？氫燃料電池產業鏈，上游燃料電池部分領域有：提供氫氣供應的富瑞氫能和華昌化工，開發電池技術和電解質的神力科技、三愛富和巨化股份，催化劑的先行者
2017-02-07 08:29:42
包括LED應用產品產業。五，測試設備和生產設備。 LED發光材料及器件，原材料，包括砷化鎵單晶基板材料和氮化鋁鎵單晶，其中大部分是III - V族化合物半導體晶體，生產工藝相對成熟，可以是開放
2011-05-03 00:29:27
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發性異常，找不出規律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氣體在加熱基板上反應或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術可以分為常壓、低壓、等離子體增強等不同技術。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質
2018-11-05 15:42:42
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統的局面？
2021-05-21 07:05:36
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
取代傳統汽車。作為高比能量型鋰離子動力電池，從基礎材料角度講除隔膜外，其他關鍵材料均已實現國產化，且無論規模程度和產品的穩定性均可滿足鋰離子動力電池產業化的技術要求，但在新型材料研究領域明顯落后于國外
2013-06-26 10:51:38
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復性
2020-12-24 10:20:30
1340 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:081130 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312379 近日，艾斯譜光電成功完成了A+輪融資，本輪融資由貴陽創投領投，老股東卓源亞洲也進行了追加投資。這一輪融資將為艾斯譜光電在MiniLED/MicroLED封裝技術及裝備產業化方面的快速發展提供強有力的支持。
2024-02-20 17:39:44529
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