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電子發燒友網>電子技術應用>電子常識>離子注入的特點

離子注入的特點

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2011-05-22 12:34:0083

離子注入摻雜銳鈦礦TiO2薄膜的光學性能

在玻璃基體上,采用射頻磁控濺射方法在不同的基體溫度下制備了TiO2 薄膜,然后在薄膜中注入注量分別為5 1016 , 1 1017和5 1017 / cm2 的N離子以制備N摻雜的TiO2 薄膜。X射線衍射結果表明:制備
2011-05-22 12:32:4116

離子注入設備和方法

離子注入設備和方法:最簡單的離子注入機(圖2)應包括一個產生離子離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557136

離子注入技術原理

詳細介紹離子注入技術的工作原理和離子注入系統原理圖。
2011-05-22 12:24:1618184

離子注入技術介紹

離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一種材料表面改性高新技術。
2011-05-22 12:13:574081

什么是離子注入技術

本文詳細介紹離子注入技術的特點及性能,以及離子注入技術的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294531

離子注入技術的發展趨勢及典型應用

簡述了離子注入技術的發展趨勢及典型應用,并簡要分析了該領域的技術發展方向。
2011-05-22 12:10:3110008

M5525100-1/UM型大角度離子注入

M5525100-1/UM型大角度離子注入機:M5525100-1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米,8 英寸集成電路制造工藝的要求,適合源漏區的大角度暈、袋、柵閾值調整、阱等注入,可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212

4H-SiC離子注入層的歐姆接觸的制備

用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結構進行了測量,得到氮離
2009-02-28 09:38:2925

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