鈣鈦礦電池技術的知識點匯總

鈣鈦礦電池行業概覽

鈣鈦礦電池命名取自俄羅斯礦物學家Perovski的名字,結構為ABX3以及與之類似的晶體統稱為鈣鈦礦物質。

鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）是利用鈣鈦礦結構材料作為吸光材料的太陽能電池，屬于第三代高效薄膜電池的代表，具有高效率、低成本、高柔性等優勢，是未來光伏BIPV、電動汽車移動發電電源領域的明星材料。

鈣鈦礦電池材料成本低，結構簡單，制造工藝流程短，生產能耗低。以1GW產能投資來對比，晶硅的硅料、硅片、電池、組件全部加起來，需要大約9億、接近10億元的投資規模，而鈣鈦礦1GW的產能投資，在達到一定成熟度后，約為5億元左右，是晶硅的1/2。

鈣鈦礦電池材料：

鈣鈦礦太陽能電池工作原理： 原始的“鈣鈦礦” 是一種鈣鈦氧化物礦物，其分子式為 CaTiO3 ，最早由一位俄羅斯礦物學家于 1839 年發現。PSCs 中的重要成分是分子構型為立方體或八面體結構的有機金 屬鹵化物鈣鈦礦材料，其結構如上圖 c 所示，簡記為 ABX3 (A 表示 Cs+ 、CH3NH+3 或 CH(NH2 ) +2 ;B 表示 Sn2+ 或 Pb2+ ;X 表示 Cl- 、Br-或 I- )，可在低溫條件下通過溶液成膜、氣相沉積和固相形成等方法制備而成。 值得注意的是，鈣鈦礦結構在溫度或者濕度較高的環境下其晶格易被破壞，從而導致材料分解。因此，提高鈣鈦礦材料的穩定性是優化器件性能的首要任務。 PSCs 的工作原理大致如下：太陽光入射至器件的鈣鈦礦吸光層(以 CH3NH3PbI3 最為常用)，當入射光子的能量大于材料的禁帶寬度時，吸光層吸收光子后受激發而產生激子。由于所用吸光材料的價帶邊低于空穴傳輸材料的價帶邊(或 HOMO 能級)，而其導帶邊高于電子傳輸材料的導帶邊(或 LUMO 能級)，使得激子在空穴傳輸層/ 鈣鈦礦吸光層/ 電子 傳輸層兩界面上產生分離，將空穴、電子分別注入到空穴傳 輸層和電子傳輸層中，并分別經對電極和導電基底收集，最終經外電路形成電流并完成工作循環。 鈣鈦礦行業發展現狀

（報告出品方：華泰證券）

鈣鈦礦：第三代電池佼佼者，產業化潛力較大

鈣鈦礦十年時間效率直逼晶硅，發展前景廣闊

太陽能電池是一種利用光生伏特效應使得太陽能轉化為電能的半導體器件。在數十年間， 太陽能電池的發展已進入到了第三代，種類也得到了極大的豐富。其中，第一代電池主要 為晶硅太陽能電池，是目前技術最為成熟、商業化最為成功的太陽能電池，但仍存在著制 備工藝復雜、對硅料純度要求較高等問題；第二代為化學薄膜太陽能電池，主要以 CdTe、 GaAs、CIGS 為代表。與晶硅電池相比，這類電池所需材料少，成本低而且轉化效率高， 已經逐步進入到商業化的進程中，但其活性層具有部分稀有元素與重金屬元素，價格昂貴， 難以應用于大規模生產；第三代為新型薄膜太陽能電池，如鈣鈦礦太陽能電池（PSCs），染料敏化太陽能電池（DSSC），有機太陽能電池（OSC）等。它們具有生產工藝簡單、原 料儲量豐富、生產成本低等優勢，在效率提升和降本等方面均具備較大潛力，受到全球學 術界和產業界的廣泛關注。

鈣鈦礦物質的化學通式為 ABX3，正八面體結構。在太陽能電池的應用中，A 為單價陽離子， 通常為甲胺陽離子(MA+，CH3NH3 + )、Cs+或甲脒陽離子(FA+，(NH2)2CH+ )，X 為鹵素陰離 子(Cl-、Br-、I - )，B 包括 Pb2+、Sn2+、Bi2+等。

晶硅實驗室效率陷入瓶頸，鈣鈦礦實驗室效率十余年間超越晶硅。晶硅電池效率在 1970 年代達到了 13%、14%，2017 年后停留在 26.7%。而鈣鈦礦最早在 2009 年由日本科學家 首次用于發電，轉換效率僅 3.8%。2012 年，牛津大學的 Henry Snaith 發現鈣鈦礦可以用 作太陽能電池的主要成分，而不僅僅是用作敏化劑，由此太陽能光伏研究領域正式開始使 用合成鈣鈦礦。經過 10 余年發展，單結鈣鈦礦電池的實驗室效率已達 25.6%，接近由隆基 22 年 11 月創造的 HJT 晶硅電池 26.8%的實驗室效率紀錄。單結鈣鈦礦電池理論轉化效率 可達 33%，高于晶硅電池極限效率 29.4%。

結構多樣，材料體系尚未定型

主流結構分為介孔、正式平面、反式平面

鈣鈦礦電池由多個功能層堆疊形成，其結構大致可分為三類：介孔結構、正式平面結構和 反式平面結構，其中：1）介孔結構是最早誕生的鈣鈦礦電池結構，其主要特點在于采用二氧化鈦作為介孔骨架， 實現電子的轉移運輸，具有成膜均勻光滑、光電轉換效果好等優點。然而，介孔結構往往 需要進行高溫燒結，不利于大規模量產和柔性器件的制備；2）正式平面結構與介孔結構較為類似，但不存在介孔電子傳輸層，減少了高溫燒結二氧化 鈦的過程，制備工藝更為簡單，且相較介孔結構能獲得更高的開路電壓。但由于缺失介孔 層，正式平面結構的電池對空間電場的分散能力更弱，因此轉化效率略遜色于介孔結構。另外，正式平面結構往往使用濕度、熱穩定性較差的有機空穴傳輸層，影響了電池的穩定 性。3）反式平面結構的基本組成依次為 TCO 玻璃、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層和金 屬電極，其電荷的流向與正式結構不同，空穴流向導電玻璃、電子則流向金屬對電極。反 式結構還具有制備工藝簡單、成膜溫度更低、與疊層電池器件結構的兼容性好等優點，是 鈣鈦礦電池廠商產業化過程中采用的主流結構，但光電轉換效率相較正式結構仍具有與一 定差距。

材料體系尚未定型，不同膜層均有多種選擇

TCO 導電玻璃：產業上常用的 TCO 導電玻璃分為 ITO、FTO 和 AZO 玻璃三類，分別采用 In2O3、SnO2 和 ZnO 作為靶材。ITO 具有電導率高、透過率高等優點，曾廣泛應用于光伏 領域，但產業對光吸收性能要求趨嚴，使得 TCO 玻璃必須具備增強光散射的能力，而 ITO 很難實現這一要求，因此逐漸被 FTO 所取代。FTO 的導電性能與 ITO 相比稍顯遜色，但具 有成本低、膜層硬、光學性能適宜等優點，目前是應用于光伏玻璃領域的主流產品。AZO 的光電性能與 ITO 相近，且 AZO 原材料簡單易得，生產成本低，在未來產業化的進程中具 備重大潛力。電子傳輸層（ETL）：產業端常用的電子傳輸層材料包括金屬氧化物、有機小分子和復合材 料，其中金屬氧化物有二氧化鈦(TiO2)和二氧化錫(SnO2)，有機小分子主要為富勒烯及其衍 生物，復合材料包括通過絕緣材料框架與 TiO2 構成復合材料如 TiO2/Al2O3、摻雜其他元素 如釔的石墨烯/TiO2納米顆粒復合材料。二氧化鈦是最早且應用最為廣泛的電子傳輸層材料， 主要得益于二氧化鈦與鈣鈦礦的能級較為匹配，能夠有效實現電子傳輸并阻擋空穴，而且 價格較為便宜，但 TiO2 制備過程中往往需要進行 500℃以上的高溫燒結以提升傳輸性能， 這一過程制約了 TiO2在柔性襯底上的應用和其產業化的進程。SnO2 電導率和載流子遷移率 較高，且制備溫度較低，是較為理想的電子傳輸層材料。因此目前 SnO2 被產業界廣泛研究， 以期在產業化進程中實現對 TiO2的替代。

鈣鈦礦吸光層：吸光層采用的材料一般為有機-無機混合鈣鈦礦化合物前驅液，目前主流工 藝多采用 MAPbI3 等。鈣鈦礦電池的原材料儲備極為豐富，且配制前驅體溶液不含復雜工藝， 對試劑純度要求不高?？昭▊鬏攲樱℉TL）：空穴傳輸層材料可分為有機材料和無機材料兩大類。最常用的有機材 料是 Spiro-OMeTAD、PTAA、PEDOT:PSS 等。然而有機空穴材料合成復雜，價格昂貴， 主要為實驗室使用，且 PEDOT:PSS 等部分材料還具有酸性和吸濕性，會使得鈣鈦礦的吸 光層材料衰減加速。產業端多采用無機材料來代替有機材料，以提升電池壽命、降低生產 成本。常用的無機空穴材料包括 Cu2O、CuI、CuSCN、NiOx 等。無機空穴傳輸層還具有 穩定性好、空穴遷移率高、光學帶隙寬等優勢，但目前 HTL 采用無機材料時，鈣鈦礦電池 的效率表現不及使用有機空穴傳輸材料。電極層：產業端多采用銅、銀等金屬電極，或金屬氧化物等作為電極層材料，碳電極也在 嘗試中。

備制路徑百花齊放，主流方法包括涂布/RPD/蒸鍍/磁控濺射

以反式平面結構為例，鈣鈦礦的工藝流程大體包括如下步驟，其中鈣鈦礦膜層備制難度最 高，鈣鈦礦/HTL/ETL 層備制均存在不同技術路線：頂電極 ITO/FTO 玻璃入線→激光刻蝕 →清洗→制備空穴傳輸層→退火/干燥→制備鈣鈦礦吸光層→退火烘干→制備電子傳輸層→ 退火/干燥→激光刻蝕→制備電池層→激光刻蝕→激光清邊→測試分揀→封裝。

鈣鈦礦吸光層制備工藝：實驗室一般為旋涂，產業界以涂布為主流

鈣鈦礦吸光層的制備技術百花齊放，大致可分為五大類，分別為(1)溶液涂布法：具體包含 有刮刀涂布法、狹縫涂布法和絲網印刷法；(2)旋涂法：具體可分為一步旋涂法和兩步旋涂 法；(3)噴涂法和噴墨打印法；(4)軟膜覆蓋法；(5)氣相沉積法。

(1)溶液涂布法：主要通過涂布裝置使得鈣鈦礦前驅體溶液在基底表面完成相對運動，依靠 液體的表面張力和基底接觸而成膜。按涂布設備的不同，可將其進一步劃分為刮刀涂布法、 狹縫涂布法和絲網印刷法。其中，狹縫涂布法具有印刷速度快、漿料利用率高、薄膜質量 控制更加精細化等優點，是目前鈣鈦礦電池產業化中選用的主流方法。(2)旋涂法：旋涂法主要是將鈣鈦礦前驅體溶液滴在滴板上，依靠工件高速旋轉的離心力完 成涂覆和薄膜沉積，具有成膜質量高、對薄膜厚度控制精準等優點，一般于實驗室備制小 面積電池使用。(3)噴涂和噴墨打印法：該方法將鈣鈦礦前驅體溶液直接噴在基底表面，隨后在基底上沉積 薄膜，可通過改變溶液濃度、噴頭與基底間的距離和噴涂速度控制鈣鈦礦的成膜形態。(4)軟膜覆蓋法：該方法是在壓力環境下借助 PI（聚酰亞胺）膜覆蓋，實現胺絡合物前驅體 向鈣鈦礦薄膜的轉化。該方法有效地阻止了溶劑向空氣中蒸發，易于獲得無針孔且高度均 勻的鈣鈦礦薄膜。此外，這種沉積方法不需要真空環境，且可以在低溫工藝下進行。(5)真空鍍膜法：蒸鍍法，一般以共蒸為主。相較于溶液法，真空鍍膜法得到的鈣鈦礦薄膜 更加均勻平整，但是需要精準控制蒸發源的成分，操作難度極大。該方法還需在真空環境 下進行，薄膜制備時間長，設備成本較高。(6)氣相輔助溶液法：該方法首先利用液相制膜技術將前驅體薄膜涂布在基底上，然后再將 其轉移到有機胺鹵化物(MAI)的蒸汽中，進而完全轉換為鈣鈦礦薄膜，兼具了溶液法和真空 鍍膜法的優勢。

電子傳輸層&空穴傳輸層&電極層備制存在較多選擇路徑

透明導電基底往往從玻璃廠商處直接采購獲得，而后企業再對其進行刻蝕處理等以完成后 續功能層制備。電子傳輸層沉積和空穴傳輸層沉積的技術路線較為相似，基本包含 PVD（包 含磁控濺射和蒸鍍法）、反應等離子沉積(RPD)和狹縫涂布三大類，電極層則主要使用 PVD 技術。目前，工業界制備鈣鈦礦電池的主流路線包括 PVD→PVD→狹縫涂布→RPD (或 PVD) → PVD、PVD→狹縫涂布→狹縫涂布→狹縫涂布→PVD 和 PVD→PVD→氣相沉積→PVD →PVD 三大類，不同路徑均有各自優缺點，尚未形成統一技術路徑。

激光：將大尺寸組件劃片成小尺寸電池串聯，四道工序，暫不存在路線分歧

鈣鈦礦電池制備過程中，還需利用激光設備對電池進行激光刻蝕和激光清邊。激光刻蝕的 主要目的是使用激光劃線打開膜層，阻斷導通，從而形成單獨的模塊、實現電池分片，主 要用于 P1、P2 和 P3 層。通常情況下 P1 為 FTO 導電玻璃，P2 層是鈣鈦礦吸光層，P3 則 一般是鍍金或者鍍銀材料。在進行激光刻蝕的過程中，一般需保證激光刻蝕線寬與刻蝕線 間距精確度，并且不會對之前的層級造成損傷。P4 層則主要利用激光設備實現激光清邊， 對電池的邊緣進行絕緣處理，去除無效區域。

封裝工藝與晶硅相似度較高

鈣鈦礦封裝工藝與晶硅相似度較高，主要流程為層壓，封裝核心輔材為 POE膠膜與丁基膠。以協鑫光電為例，協鑫采用了包含兩個封裝層的封裝工藝，具體流程為：(1)首先，需要先在鈣鈦礦太陽能電池的外周表面制備 1nm-1000nm 的第一封裝層。第一封 裝層由致密的金屬化合物沉積而形成，用于阻隔鈣鈦礦電池與外界進行物質交換。金屬化 合物可以選擇 Al2O3、TiO2、SnO2、ZnO、ZnS 等，制備則可以采用化學氣相沉積(CVD)、 物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)中的任意一種工藝。(2)隨后，再在第一封裝層的表面施加熱熔膠形成第二封裝層，材質可使用 POE 膜，厚度為 100μm-2mm。(3)最后，采用層壓機使得熱熔膠膜與第一封裝層和背板粘結在一起，最終形成鈣鈦礦電池 組件完整的封裝結構。

設備、電池、輔材是鈣鈦礦產業鏈投資核心環節

鈣鈦礦電池上游主要包括原材料和設備兩部分，其中，原材料有鈣鈦礦材料、TCO 導電玻 璃、膠膜以及光伏玻璃；產業鏈中游則是眾多鈣鈦礦電池廠商，協鑫光電、纖納光電和極 電光能等龍頭企業的產業化進度領先；下游則可應用于光伏產業、LED、BIPV 等眾多領域。從各功能層的生產需求而言，鈣鈦礦產線所需設備大致有真空設備、涂布設備及激光設備 三大類。其中，真空設備包括磁控濺射儀、反應式等離子體鍍膜設備（RPD）設備和蒸鍍 機，涂布設備主要用于鈣鈦礦吸光層的制備，國內設備供應商包括德滬涂膜、眾能光電等， 激光設備則主要用于對電池進行激光刻蝕和激光清邊。

鈣鈦礦電池具備多優勢，但仍有兩大挑戰需解決

理論效率更高、理論成本更低、發電量更高、應用場景更廣

相較晶硅，鈣鈦礦具理論效率更高、理論成本更低、發電量更高、應用場景更廣四大優勢。

優勢一 極限效率高

鈣鈦礦電池的極限轉換效率高于傳統晶硅太陽能電池，這主要得益于鈣鈦礦材料的禁帶寬 度與最優帶隙的區間極為接近。此外，鈣鈦礦材料帶隙寬度連續可控，使其便于與晶硅電 池制成高效疊層器件，可進一步打開理論轉化效率的天花板。

(1)禁帶寬度適宜：單結太陽能電池吸光層材料的最優帶隙區間為 1.3-1.5eV，而 MAPbI3、 FAPbI3等常用鈣鈦礦材料的禁帶寬度在1.5-1.6eV的區間內，理論轉化效率均可超過30%。

(2)材料帶隙寬度連續可控：A、B、X 含量不同可獲得不同組分的鈣鈦礦材料，相應材料的 帶隙和能級分布也會產生差異。若對鈣鈦礦的 A、B、X 位進行組分調控，可將帶隙寬度在 1.17-2.8eV 內做到連續可控。帶隙的大小決定了電池吸收光子的能量范圍，因此可調的帶 隙寬度為鈣鈦礦和晶硅電池疊層器件的制備提供了多種選擇，利于實現兩者吸收光譜的互 補，光電轉換效率最高可達 47%。

(3)鈣鈦礦電池效率直接等同于組件功率。目前 TOPCon 電池片的量產效率大約為 25%，但 是封裝成組件效率后的效率一般為 22%左右，具有 2%-3%的組件效率損失（CTM Loss）， 而鈣鈦礦電池則沒有 CTM Loss，電池片效率直接可比組件功率，在產業化進程中具有顯著 優勢。

優勢二 成本低

相較于傳統晶硅電池，鈣鈦礦電池具有顯著的成本優勢，主要體現在初始投資額、材料成 本與能耗成本三大方面。(1)初始投資額低：據協鑫光電估計，待技術成熟后，5-10GW 鈣鈦礦電池的設備投資金額 約為 5-6 億元/GW，是晶硅電池的整套產業鏈設備成本的 1/2 左右。(2)材料成本低：鈣鈦礦材料具備優異的光吸收能力，光吸收系數達 105 的量級，因此原材 料用量低，電池吸光層的厚度很薄，在材料成本方面具備優勢。鈣鈦礦吸光層的厚度大約 為 400nm 左右，與除玻璃外的其他功能層合計厚度約為 1um，而晶硅電池中的硅片厚度通 常為 150um。(3)能耗成本低：鈣鈦礦電池的制備對原材料純度要求較低，通常 90%左右純度的原材料即 可制造出效率在 20%以上的鈣鈦礦電池。而晶硅電池對材料純度要求極高，需要達到 99.9999%以上，這使得鈣鈦礦電池不需要和晶硅電池一樣進行高溫提純的步驟，從而有效 減低了能耗。據我們測算，晶硅的制造能耗約為 0.31 KWh/W，而鈣鈦礦組件的制造能耗僅 為 0.12KWh/W。

優勢三 發電量高

(1)抗衰減性強，無 PID、LID 效應：PID 和 LID 效應是造成晶硅電池效率衰減的重要原因， 其中，PID 效應主要由于鈉離子在電場影響下向電池片表面移動并富集而造成，LID 效應則 來源于硼元素的擴散，這些雜質的擴散往往是百萬分之一級別的。鈣鈦礦材料對雜質的容 忍度顯著優于晶硅材料，百萬分之一級別的雜質的形成和擴散并不會顯著影響鈣鈦礦電池 的發電性能，因此，鈣鈦礦電池具有良好的抗衰減性。協鑫光電數據表明，在實驗室層面， 鈣鈦礦電池可實現 9000 小時連續工作而無衰減，晶硅電池則在工作 1000 小時左右就會出 現衰減現象。(2)低熱斑效應、低溫度系數：鈣鈦礦電池還具有低熱斑效應、低溫度系數的特點，相較傳 統晶硅電池而言在高溫環境下的能耗損失更少，組件的輸出性能更佳。(3)弱光效應好：早上 5 點-晚上 9 點鈣鈦礦電池均可發電，陰雨天也能有較好的發電效果。

優勢四 輕薄美觀，應用場景豐富

BIPV（光伏建筑一體化）是一種將光伏發電設備集成到建筑上的專業技術，既實現了可再 生能源的應用，又降低了建筑能耗。但 BIPV 組件較為追求外觀設計、且需要具備較好的透 明度，這恰恰是晶硅電池的劣勢所在。而鈣鈦礦材料具有輕薄美觀、安裝便利、顏色可調 等優點，因此可制成均勻柔和的透光、彩色玻璃，實現光伏組件的實用性與建筑設施的美 學完美融合，是目前 BIPV 材料的最優解。

產業化尚存在大面積效率低、穩定性差兩大疑慮，部分問題已有解決方案

盡管鈣鈦礦電池的上述優勢已經得到了業內的廣泛認可，但其產業化進程中仍存在著兩大 痛點亟待解決，即大面積備制效率降低、穩定性較差。目前產業端已出現多種解決思路， 部分問題已有解決之道。

產業化疑慮#1：大面積效率低

鈣鈦礦在備制大面積效率損失嚴重，主要有兩個原因：1）鈣鈦礦薄膜本身在大面積制備時 工藝不成熟不夠均勻導致成膜質量差，效率下降；2）大面積薄膜組件進行激光劃線后產生 的電阻損耗、并產生死區。

針對大面積效率低的問題，主要從工藝、設備兩方面解決，目前業界已形成了初步的解決 方案。大面積備制鈣鈦礦層主要采用狹縫涂布和蒸鍍兩種方式，差別在于成本和成膜質量之間權 衡：1）狹縫涂布法可以理解為兩步，第一步是涂布溶液，需要保證涂布溶液物理上的均勻性， 該步驟對涂布的工藝要求并沒有超過面板行業，已有相對成熟解決方案，第二步為干燥結 晶，需要保證成膜過程中的化學一致性，為涂布法核心難點所在，目前產業端主要通過風 刀、紅外等方式干燥結晶，但由于不同廠家配方不同，粘度、揮發性等指標也有所差異， 故結晶工序需要工藝、設備、配方三大體系相適配，生產 know how 的積累與工藝改進仍 有較大的空間。2）真空蒸鍍成膜質量較狹縫涂布更好，但是由于需要使用價格昂貴的真空設備、生產效率 低、靶材利用率低，故目前生產成本較高，且隨著鈣鈦礦配方越來越復雜，共蒸過程中對 蒸發源設計、化學計量控制難度也會進一步提升。

激光劃線產生電阻損耗、熱損傷、死區，解決思路主要包括添加隔離層、提高設備精度、 優化劃線區域三大方向：1）大面積薄膜組件需要劃分后將小電池互連，但劃線后也會帶來損耗造成電池效率降低。目前鈣鈦礦分割成小電池主要采用激光劃線，P1、P2、P3 三道工藝劃線后使得劃線一側的 頂部電極連接到劃線另一側的背面電極，從而形成串聯效果。但是劃線后頂電極和背電極 接觸的地方會形成互聯電阻，從而產生功率損耗，且激光劃片過程中產生的熱損傷也會對 鈣鈦礦層造成一定程度破環，進而導致效率的降低。目前解決思路主要為提高激光劃線精 度并優化劃線區域。2）P2劃線區域鈣鈦礦層與金屬電極接觸，Ag容易與鈣鈦礦在界面處反應生成AgI或AgBr， 從而大幅度降低金屬電極的電導率，增大串聯電阻。目前實驗室可通過添加隔離層，減少 鈣鈦礦層與金屬電極的接觸可采用光刻工藝添加光刻膠隔離層，防止兩者接觸解決。3）激光劃線過程中會產生不能發電的死區，通過采用高精度的精光設備，可以相當程度上 減少死區面積，進而提升大尺寸電池效率。

產業化疑慮#2：穩定性差

鈣鈦礦穩定性差由環境因素和內部因素共同影響所導致。鈣鈦礦的吸光層的穩定性受環境 因素影響，易水解、高溫易分解、溫度變化下相變、光照和氧氣作用下發生光致分解等。同時，吸光層還會與電荷傳輸層和電極材料影響。以正向結構為例，TiO2/ZnO 作為電子傳 輸層在光照下產生光生空穴催化分解吸光層；Spiro-OMeTAD 作為空穴傳輸層易受吸光層 碘離子擴散影響而電荷傳輸性能下降，且一般會添加少量有機鹽來優化 spiro-OMeTAD 的 導電性，例如鋰鹽、鈷鹽等，這些添加劑具有較強的吸濕性，極易造成 spiro-OMeTAD 的 性能衰減和鈣鈦礦的分解。電極材料常用貴金屬，但金屬原子易擴散造成吸光層分解，且 鈣鈦礦材料具有明顯的離子特性，易發生離子遷移，吸光層的碘離子也會腐蝕金屬電極， 如銀金屬電極和鈣鈦礦層中的碘反應生成 AgI。

材料、結構、工藝協同進步，提供鈣鈦礦穩定性破局之道。目前可從材料配方、結構優化、 封裝工藝加強鈣鈦礦器件的穩定性。封裝是給器件提供最外層的保護，目前產業界普遍采 用 POE+丁基膠的封裝方式，基本解決了外部的水氧因素導致的衰減。針對鈣鈦礦本身內 部的不穩定，優化可以從材料和結構兩個方面入手，主要包括各個膜層的材料改性、界面 工程、使用復合電極等手段。

維度 1：加強封裝

POE 膠膜+丁基膠的封裝方案能有效解決水氧等外部因素導致的不穩定性。鈣鈦礦封裝方 式類似晶硅，但在材料的使用上需要采用 POE 膠膜+丁基膠封邊的形式：1） EVA 不可能 100%聚合，未聚合的單體含有羧酸可能與鈣鈦礦吸光層的氨基（比如甲胺 中含有氨基）發生反應，故鈣鈦礦封裝需采用 POE。此外，POE 阻水性遠優于 EVA， POE 水汽透過率僅 2-5g*m^2/day，大幅低于 EVA 的 20-40g*m^2/day 并有更強的紫外 線穩定性。2） 丁基膠的水汽透過率比天然橡膠少了超過一個數量級，使用丁基膠進行邊緣封裝將進一 步減少水汽入侵。據賽伍技術實驗，傳統硅膠的水汽透過率為 84g*m^2/day，而使用丁 基膠后水汽透過率僅為 0.25g*m^2/day。

維度 2：材料改性

材料配方包括吸光層、電荷傳輸層和電極材料的改良，主要優化包括：1） 吸光層：鈣鈦礦吸光層較不穩定，可混合比如具有更小離子半徑的 Cs+，提升 FA+和碘 化物之間的相互作用，但提高 Cs+含量會效率會有一定程度下降，需要進行權衡與優化。2） 空穴傳輸層：目前常用的空穴傳輸層有摻雜后的 Spiro-OMeTAD、PEDOT:PSS。但是 摻雜后的 Spiro-OMeTAD 吸水性強，不穩定，PEDOT:PSS 價格低廉且導電性能良好， 但其本身呈現弱酸性，會腐蝕基底及鈣鈦礦材料，影響器件穩定性。目前產業端多換無 機材料，比如氧化鎳，但會導致效率出現一定下降。3）電子傳輸層：傳統的 TiO2/ZnO 作為在光照下產生光生空穴催化分解吸光層。SnO2 不易 受光分解，且帶隙寬、吸濕性低和酸容忍性好，目前 SnO2 應用于電子傳輸層已較多。

維度 3：結構優化

鈣鈦礦電池是類三明治結構，且鈣鈦礦層是離子晶體，很難避免離子遷移的問題，中間的 鈣鈦礦材料很容易受到相鄰電荷傳輸層的影響，空穴傳輸層和電子傳輸層也分別會受到來 自陽極和陰極的影響。當前主流解決思路包括兩大類：1）通過在鈣鈦礦電池中加入緩沖層方法，可有效降低相鄰層之間的影響：解決內部穩定性 需要重點解決離子遷移問題，離子遷移需要通道，目前實驗室已有增加緩沖層提高器件穩 定性研究，未來單獨備制緩沖層是可行的發展方向，但由于額外備制膜層會增加成本，目 前產業界尚未有廠商采用加入緩沖層的工序。2）備制復合電極：Ag 在界面處與鈣鈦礦層擴散的碘離子形成 AgI，目前復合電極一般做成 ITO-銅-ITO 結構，ITO 直接跟組件結構接觸，避免出現離子移動，此外，ITO 的導電性能 不是很好，而通過加入銅能提升其導電性能。

鈣鈦礦降本增效空間較大，未來空間星辰大海

提效：短期多種提效路徑并行，長期疊層打開效率天花板

鈣鈦礦電池的實驗室效率和產業界效率均有較大提升空間，實驗室端，單結實驗室效率現 在最高為 25.7%，由韓國蔚山國家科學技術研究所實現，產業端，頭部鈣鈦礦參與者單結 中試線仍在 15%-16%左右，年內有望提升至 18%，離鈣鈦礦理論效率天花板仍有較大空間。短期內，我們預計配方優化、材料改性等多種提效路徑將并行，長期看，疊層是提效的終 極手段，打開鈣鈦礦效率天花板。

短期：配方優化、材料改性、界面修飾、鈍化層等提效手段齊頭并進

1） 配方優化。當前鈣鈦礦層配方尚未定性，學術界和產業界各家都在積極探索過程中，鈣 鈦礦材料帶隙隨配方不同可調整，通過不斷調整材料體系可以使鈣鈦礦層帶隙向最優帶 隙靠攏，進而獲得更高的發電效率，此外，也可以通過摻雜方式實現效率提升。2） 材料改性。以介孔結構為例，目前常用的電子傳輸層（c-TiO2）和介孔層（m-TiO2） 的微觀結構都是球形粒子，有著堆積密度高、致密性好的優點，但缺點是效率不足。因 此可以引入一維結構的粒子，其導電性更好、電荷傳輸能力更強。3）備制鈍化層。實驗室已有通過添加鈍化層的方式來進行界面修飾的方案，其目的是減少 界面缺陷帶來的效率損失，進而提升效率。目前產業界廠商一般將鈍化材料添加在鈣鈦礦 前驅體溶液中進行鈍化，隨著后續對效率追求越來越高，鈣鈦礦 GW 級別大規模量產后， 單獨備制鈍化層工藝有望于產業界也逐步導入。

長期：疊層提效是鈣鈦礦提效的終極手段

疊層結構是指不同光學帶隙的電池進行堆疊，寬帶隙電池作為頂電池吸收較高能量光子， 窄帶隙電池作為底電池吸收較低能量光子，實現子電池對太陽光譜分段利用。根據疊層電 池的數量可分為雙結、三結、四結等。目前結數最高為美國國家可再生能源實驗室發布效 率 47.1%的六結電池（砷化鎵），未來進一步優化后有望突破 50%。雖然電池結數可以增多， 效率可以提升，但成本增加也難以忽略，目前常規的結構是兩結疊層，分為鈣鈦礦/鈣鈦礦 疊層與鈣鈦礦/晶硅疊層兩類。

兩端結構簡單，成本更低，工藝難點突破后更具大規模應用潛力。按照堆疊方式可分為兩 端和四端疊層電池。四端疊層電池由兩個獨立的電池堆疊，通過外電路連接，制備簡單。但是，加倍的金屬電極消耗和組件端工藝復雜性限制了大規模應用前景。兩端疊層電池包 括兩個順序制備的子電池和與二者相連的互聯層，結構更加簡單，電池器件和組件的制作 成本更低，但是需要精巧的設計（如頂電池與底電池之間的光學耦合、制備工藝兼容性， 互聯層光學和電學的平衡等）才能實現高效率，備制難度較四端子更高。

當前晶硅疊鈣鈦礦為主流，全鈣鈦礦疊層主要為仁爍光能布局。目前鈣鈦礦/晶硅疊層電池 為主流：①杭蕭鋼構（合特光電）預計 5 月 10 日投產百兆瓦鈣鈦礦 HJT 疊層電池，目標 電池效率 28%；②寶馨科技設立合資公司西安寶馨光能科技有限公司，負責開展鈣鈦礦-異 質結疊層電池技術的研發，核心團隊為西安電子科技大學張春福教授、朱衛東副教授；③ 皇氏集團與深圳黑晶光電技術有限公司簽署合作框架協議，共同推進 TOPCon/鈣鈦礦疊層 電池產品技術的研發、生產及產品應用，預計 2023 年效率達到 26%以上、2024 年達到 27% 以上、2025 年達到 29%以上，最終目標實現 36%以上。全鈣鈦礦疊層則以仁爍光能為領 軍企業，2022 年 10MW 中試線已投產，150MW 量產線正處于建設階段，公司預計將 23 年投產。

降本：降本空間較大，大規模量產后成本可降至 0.6-0.7 元/W，僅為晶硅極 限成本的 60%-70%

鈣鈦礦降本空間較大，5-10GW 級量產線的成本有望下降至 0.6-0.7 元/W，僅為晶硅極限 成本的 60%-70%。目前鈣鈦礦仍處于產業化的前期，尚未量產，成本較高。但鈣鈦礦降本 空間廣闊，具體可分為材料、能動、人工等成本下降帶來的直接降本與效率提升攤薄成本 帶來的間接降本。我們預計隨著材料端、設備端、能動與人工的降本持續推進，加之效率 提升帶來的成本攤薄，未來 5-10GW 級量產線的成本有望下降至 0.6-0.7 元/W，進而帶動 下游電站 LCOE 降低，遠期看鈣鈦礦 LCOE 將低于晶硅極限 LCOE，打開光伏發電降本天 花板。

直接降本：材料、能動、設備投資額均有較大下降空間

降本因素#1：TCO 玻璃

TCO 玻璃透光導電，FTO 取代 ITO 成主流。鈣鈦礦的玻璃為 TCO 玻璃，主要起透光和導 電作用。鈣鈦礦電池初期使用 ITO 玻璃作為前電極，但逐漸被 FTO 取代。盡管 FTO 其導 電性能比 ITO 略差，但具有成本低、激光刻蝕容易、光學性能適宜等優點，已成為 TCO 玻 璃主流。國內曾生產 TCO 玻璃，因薄膜勢微而關停產線。在十多年前的薄膜電池浪潮中，我國玻璃 廠商生產過 TCO 玻璃，但由于薄膜電池與晶硅電池的后續競爭中性價比落后，硅料價格下 跌導致晶硅電池性價比提升，薄膜電池需求下降，TCO 玻璃產量較小或產線關停。電池廠規?；少徟c TCO 玻璃廠再度擴產后，預計 TCO 玻璃價格將出現較大下降。1）需求端，當前鈣鈦礦電池商產線規模小，小批量采購價格較高，隨著鈣鈦礦電池擴產， 規?；少徍髢r格將下降。2）供應端，TCO 玻璃廠擴產也也會帶來 FTO 玻璃供應量上升，價格下降。過去國內廠商 有過生產 TCO 玻璃的經驗，且根據金晶科技對玻璃產線的改造升級來看，產能擴張不是難 題。隨著鈣鈦礦的 GW 級別量產和產能擴張，鈣鈦礦廠商對 FTO 需求增加，吸引上游玻璃 廠商入局，FTO 玻璃有望實現大規模量產，最終成本將下降。

降本因素#2：材料

鈣鈦礦材料本身相較晶硅具有純度要求低（純度要求僅 95%，低于晶硅的 99.9999%）、材 料多樣可設計性強（A、B、X 位均有較多選擇）、吸光系數高厚度?。ㄎ鈱雍穸?0.3nm， 晶硅最薄 120um）等優勢，因此原料用量少，價格便宜，不存在晶硅原材料的緊缺問題， 鈣鈦礦層成本占比很低。兩層電荷傳輸層與金屬電極為材料成本大頭，規?；a后材料 成本有望下降，并且隨著原材料的不斷更換實現效率提升帶來的成本攤薄和更便宜的材料 體系。

降本因素#3：設備

當前設備投資額較高，預計未來成本將降至當前的 1/2。目前 100MW 線設備投資額 1.2 億 元左右，即單 GW 投資額 12 億，主要由于目前鈣鈦礦設備仍處于探索期，以定制化需求、 試驗性需求為主，設備產能也較小。單 GW 設備投資額約 12 億中涂布設備/PVD/RPD 占大 頭。根據協鑫光電環評書，其 100MW 大面積鈣鈦礦光伏組件生產線主要包括 2 臺涂布機， 3 臺鍍膜設備（2 臺 PVD 設備和 1 臺 RPD）以及 4 臺激光機。我們預計每臺涂布機/PVD 設備/RPD 設備/激光機的價格分別為 1500/2000/3000/300 萬元，對應每 100MW 的總設備 金額分別為 3000/4000/3000/1200 萬元，價值量占比分別為 25%/33%/25%/10%。

未來設備成本有望降至 5-6 億/GW，較當前下降 50%。以協鑫光電為例，其 100MW 產線 設備投資額 1.6 億（2019 年建成，故設備成本較當前稍高），其中 1 億用于規劃改造。待確 定設備類型并規?；慨a后，一方面改造升級的 1 億元可以節省，同時單臺設備的產能逐 步提升，規模效應逐步顯現，成本有望大幅降低；另一方面鈣鈦礦產業鏈短，不同于晶硅 需要硅料、硅片、電池、組件多環節生產加工，鈣鈦礦組件可由單一工廠直接制成，生產 高度集中化，成本下降空間更大，未來單 GW 投資額有望降到 5-6 億元。

降本因素#4：能耗

低溫備制工藝、低純度要求決定鈣鈦礦能耗較晶硅低。鈣鈦礦對原料純度要求低，且可使 用低溫工藝，最高溫度僅 150℃；而晶硅對原料純度要求高，需要經過反復提純，最高工藝 溫度達 1200℃，根據我們測算，從工業硅到組件晶硅全產業鏈電耗約 0.31 KWh/W，而鈣 鈦礦能耗為 0.12KWh/W，單瓦能耗不到晶硅的 10%。電價上，目前鈣鈦礦工廠主要分布在 東部沿海等電價較高的地區，未來規?；c搬遷至中西部低電價地區后，能耗成本將進一 步下降。

間接降本：提效全面攤薄成本

效率提升帶動組件成本與度電成本下降。當前鈣鈦礦效率 15%-16%左右，根據極電光能、 協鑫光電等廠商規劃，到 2023 年平米級鈣鈦礦光伏產品將實現 18%左右的效率，24 年 GW 級別產線效率將提升至 20%-22%，遠期大規模量產后，效率有望提升至 25%。效率提升將 帶來材料、能耗、設備折舊等成本的全面攤薄，我們預計 100MW 級產線量產后成本將控 制在 1.2 元/W 左右，1GW 級在 0.9 元/W 左右，未來產量足夠大時（5-10GW 量產）有望 到 0.7 元/W 以下。

鈣鈦礦打開光伏降本天花板，遠期大規模量產后 LCOE 較晶硅更優

鈣鈦礦 GW 級別量產 LCOE 可做到與 PERC 持平，遠期大規模量產后將全面優于 PERC， 我們判斷鈣鈦礦 LCOE 從追平到優于晶硅可分為三個階段。1） 階段一：鈣鈦礦百兆瓦級量產后，轉換效率達到 18%，若組件壽命能達到 15 年，則鈣 鈦礦 LCOE 可以基本打平 PERC 電站當前 LCOE。2） 階段二：晶硅電池極限成本約為 1 元/W，假設一體化毛利率為 15%，則對應約 1.2 元 /W 左右的售價（不含稅）。以 PERC 電池 23.5%效率，組件 21%功率測算，25 年晶硅 電站度電成本約為 0.27 元/W。鈣鈦礦 GW 級別量產時效率為 20%，組件成本 0.94 元 /W，假設一體化 15%毛利率，則組件價格對應 1.10 元/W，假設鈣鈦礦電站壽命 15 年， 則鈣鈦礦 LCOE 已經打平 PERC 電站 LCOE 降本極限。3） 階段三：鈣鈦礦遠期大規模量產后（5-10GW 級別量產）成本有望降至 0.67 元/W，對 應鈣鈦礦組件價格將降至 0.79 元/W，僅為晶硅極限的 65%左右，按 15 年壽命計算， 對應電站的 LCOE 為 0.24 元/W，低于晶硅電站 LCOE 降本極限。

從 0 到 1 進行時，2024 或成鈣鈦礦量產元年

設備：國產廠商陸續完成出貨交付

鈣鈦礦電池核心設備主要包括真空鍍膜設備、激光設備和涂布設備。鍍膜設備部分國產設 備即將進入生產階段。以晟成光伏為例，公司的團簇型多腔式蒸鍍設備已完成量產，并成 功應用于多個客戶端；涂布設備中德滬涂膜走在行業前列，公司鈣鈦礦核心涂膜設備全球 市占率第一；激光設備中邁為、杰普特、帝爾激光相關激光設備均迎來出貨交付階段。

電池：當前產業以百兆瓦級為主，2024 或成鈣鈦礦量產元年

目前產線多為兆瓦級，2024 有望實現 GW 級落地?，F階段鈣鈦礦技術尚處于探索期，產能規 模多為兆瓦級的中試線。2020-2021 年，行業領先參與者如協鑫光電、纖納光電和極電光能 開始了百兆瓦級中試線的建設，雖有組件陸續得以生產，但整體成品的穩定性、光電性仍 需測試，生產線的工藝流程仍需不斷完善。新晉參與者如奧聯電子、寧德時代、曜能科技、 合特光能也紛紛加碼鈣鈦礦新技術，積極推進兆瓦級中試線的建設。

協鑫光電：領跑鈣鈦礦賽道，首條大面積鈣鈦礦產業線將迎來量產

昆山協鑫光電材料有限公司成立于 2019 年，隸屬全國新能源行業領先企業協鑫（集團）控 股有限公司，主要負責鈣鈦礦太陽能組件的研發與生產。公司是全球唯一一家取得鈣鈦礦 組件實用化產品商業認證的企業，在鈣鈦礦太陽能組件的研發和生產方面全球領先。截至 2022 年 6 月，公司累計申請專利 106 項，其中發明專利 58 項，實用新型專利 47 項，外觀 設計專利 1 項。鈣鈦礦行業龍頭廠商，大面積組件效率紀錄創造者。在鈣鈦礦電池領域，協鑫光電于 2019 年完成了尺寸為 45cm×65cm 的鈣鈦礦組件效率認證，經全球最權威的光伏組件商業認證 機構 TüV Rheinland 認證，效率達 15.31%（現已經提升至 17%），是目前為止全球面積 最大、組件效率認證最高的鈣鈦礦組件。

全球首條大面積鈣鈦礦中試線進展順利，預計 23 年產線跑通。2020 年，協鑫光電開始在 昆山平謙國際產業園建設全球第一條 100MW 鈣鈦礦光伏組件量產線。2021 年 9 月，該鈣 鈦礦光伏生產線已經建設完成。2022 年 5 月 13 日，協鑫光電宣布完成數億元人民幣 B 輪 融資，此次融資將用于進一步完善公司 100MW 鈣鈦礦生產線和工藝。根據公司規劃，23 年 100MW 產線有望達產，效率將達到 18%。百兆瓦級產線跑通后將啟動 GW 級建設計劃， 公司預計 24-25 年 GW 級產線建成，量產效率達到 20%-22%。

纖納光電：鈣鈦礦頭部參與者，鈣鈦礦組件全球首發

纖納光電成立于 2015 年，是全球知名的鈣鈦礦光伏技術領軍企業，總部設在杭州，在浙江 省內有多個分支機構，致力于“鈣鈦礦前沿技術、鈣鈦礦材料研究、相關產品及高端裝備 的設計研發、低碳制造和市場化應用”，逐步構建創新、綠色、安全、高效的鈣鈦礦清潔能 源體系。公司堅持自主創新，先后 7 次刷新了鈣鈦礦太陽能組件光電轉換效率的世界紀錄， 獲得全球首個鈣鈦礦組件穩定性認證及多倍加嚴認證；全球累計申報了 300 多項知識產權 專利。鈣鈦礦組件全球首發。2022 年 5 月 20 日，纖納光電進行了鈣鈦礦α組件全球首發儀式。這 條全球首個百兆瓦級 0.6m*1.2m 鈣鈦礦組件產線有其獨特優勢：公司為這條產線配置了全 球首個適合鈣鈦礦生產工藝流程的智能大腦，全自動設備與眾多機械臂穿插配合，每 40 秒 就能制造出一片α組件，實現了高效、穩定、節能的連續生產。

極電光能：鈣鈦礦行業先行者，GW 級鈣鈦礦產線 24 年有望落地

極電光能起源于長城控股集團，2018 年開始鈣鈦礦技術研發，2020 年 4 月落地無錫。極 電光能是一家專業從事鈣鈦礦光伏、鈣鈦礦光電產品研發和制造的創新型高科技企業。公 司研發團隊由歐洲雙料院士領軍，國內外資深鈣鈦礦專家、光伏產業化技術專家共同擔綱， 技術研發實力雄厚，已累計申請核心技術專利 80 余項，其中近 90%為發明專利。組件效率不斷提高，鈣鈦礦量產化技術日趨成熟。2021 年，極電光能在 63.98cm2 的鈣鈦 礦光伏組件上實現 20.5%的光電轉換效率；22 年 4 月，又在 300cm2的大尺寸鈣鈦礦光伏 組件（SubModule）上，創造了 18.2%轉換效率新的世界紀錄；近日，極電光能團隊研制 的 756cm2大尺寸鈣鈦礦光伏組件轉換效率達到 18.2%。鈣鈦礦組件在面積放大的同時仍能 保持較高的轉換效率，證明極電光能鈣鈦礦量產化技術日趨成熟。

全球規模最大中試線投產，首條 GW 級產線落地在即。公司 150MW 鈣鈦礦光伏生產線于 2022 年 12 月正式投產，是目前全球產能最大的中試線。其產品尺寸為 1.2m*0.6m，設計 效率為 19%，將首先應用于 BIPV 領域，布局以光伏幕墻、立面發電石材和屋頂光伏瓦為 主的建筑光伏一體化。2022 年 8 月 16 日，極電光能與無錫錫山經濟技術開發區簽約戰略 合作，將投資 30 億元共同布局全球首條 GW 級鈣鈦礦光伏生產線，預計今年一季度啟動土 建工作，2024 年下半年將建成產線并投產。

奧聯電子：構建鈣鈦礦太陽能電池產業鏈，推動鈣鈦礦光伏產業化發展

成立光能科技子公司，布局鈣鈦礦太陽能電池產業鏈。為抓住鈣鈦礦太陽能發電技術的發 展機遇，公司對外投資設立鈣鈦礦太陽能電池公司。2022 年 12 月公司發布公告，公司的 全資子公司海南奧聯投資有限公司與自然人胥明軍共同出資設立“南京奧聯光能科技有限公 司”并簽署《投資合作協議》，投資占比 95%/5%。協議約定奧聯光能主要從事鈣鈦礦太陽能 電池及其制備裝備的研發、生產、制備、銷售等。胥明軍長期從事軍工/科技型企業運營管 理，在鈣鈦礦技術產業化所需要的材料配方、工藝研發、裝備研制等領域具備核心競爭能 力，公司與合作方發揮各自優勢，鈣鈦礦業務將加速落地。

構建鈣鈦礦太陽能電池產業鏈，推動鈣鈦礦光伏產業化發展。奧聯光能規劃成立鈣鈦礦研 究院，并聯合國內鈣鈦礦研發領先知名教授、專家團隊，打造材料配方、工藝裝備、組件 生產三位一體的平臺體系，開發包括但不限于剛性鈣鈦礦太陽能電池、半透明鈣鈦礦太陽 能電池、柔性鈣鈦礦太陽能電池、鈣鈦礦晶硅疊層太陽能電池、鈣鈦礦/鈣鈦礦太陽能電池 大面積及小型組件。根據投資合作協議約定，基于快速推進鈣鈦礦太陽能電池技術產業化 進程的目的，可通過直接出資、對外股權合作及其他融資方式，組建奧聯光能全資、控股 或參股的鈣鈦礦電池生產公司，以擴大鈣鈦礦電池生產規模。目標五年內在鈣鈦礦電池研發、裝備制造、規模、電池效率處于行業領先水平。公司計劃 2023年50MW鈣鈦礦中試線投產，2024年600MW鈣鈦礦裝備和120MW鈣鈦礦電池組件生 產線投產，力爭5年內形成8GW鈣鈦礦裝備和2GW鈣鈦礦電池組件生產能力，實現鈣鈦礦 電池研發、裝備研制和裝備制造規模、鈣鈦礦電池效率處于行業領先水平。

皇氏集團：推動“農光互補”，進軍鈣鈦礦電池領域

斥資百億元投資建設 20GW TOPCon（后提升至 26GW）超高效太陽能電池項目。2022 年 8 月，皇氏集團宣布擬投資建設 20GW N 型 TOPCon 高效晶硅太陽能電池項目，正式進 軍光伏行業。目前公司 TOPCon 太陽能電池項目的一期工程已開工，預計 23 年 4 月份設 備進廠調試, 23 年計劃實現 5GW 電池生產線投產，2024 年再增加 8GW 生產線投產。公 司還與中國科學院(寧波)材料研究所建立了戰略合作機制，在鈣鈦礦疊加 TOPCon 電池、 光熱一體化等前沿技術上，都正在進行相應的技術儲備。

加強對外合作，進軍鈣鈦礦/晶硅疊層電池領域。2023 年 1 月 31 日，皇氏集團控股子公司 皇氏農光互補與深圳黑晶光電簽署鈣鈦礦/晶硅疊層技術合作框架協議，協議有效期自簽訂 之日起兩年。協議約定，深圳黑晶以其自有的技術研發及生產能力負責研究開發 TOPCon/ 鈣鈦礦疊層電池技術，包括產品實驗、技術調整及更新等，相關技術應用于皇氏集團 TOPCon 電池的生產，為有效提高皇氏集團 TOPCon 電池效能提升提供技術支持和服務， 目標 2023 年效率達到 26%以上、2024 年達到 27%以上、2025 年達到 29%以上，最終目 標實現 36%以上。

鈣鈦礦電池技術

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審核編輯：陳陳

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