SCD----PMOS防反電路設計
引言:無論是常規的低側NMOS防反接電路還是高側的PMOS防反接電路均有其局限性。本節簡述采用驅動IC加NMOS的方案做防反電路的設計及其優點。
1高邊NMOS防反
PMOS的高邊防反接使用自驅效應,但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患,并且PMOS價格偏高,幾乎沒有使用驅動IC+PMOS高邊防反這種設計,所以為了均衡價格因素和Rdson,消除待機電流偏大和電流反灌隱患(若單純使用高邊NMOS,也會有待機電流和電流反灌問題),使用驅動IC+NMOS這種高邊防反接設計。但這里并不是否定低邊NMOS防反和高邊PMOS防反,實際上低邊NMOS防反和高邊PMOS防反使用的更多,驅動IC+NMOS這種方式一方面是為了應對測試機構的測試用例,一方面是應對可預見的實際問題。通常使用高邊PMOS防反接并沒有什么問題。
使用高邊NMOS防反接,通常沒有足夠高的電壓來驅動柵極,此時可以使用驅動IC來從高邊取電,輸出比S極更高的電壓來驅動NMOS導通,驅動IC有兩種:電荷泵型和Buck-Boost型,見圖11-1。帶驅動IC這種形式,雖然這增加了電路的復雜性,但N溝道MOSFET的導通電阻較低。
在大部分時間都處于正常連接供電場景中,由于電荷泵型和Buck-Boost型將額外消耗電流(需要不斷地工作產生驅動電壓維持NMOS的開啟),單純的高邊PMOS防反接效率反而更好。
圖11-1:高邊NMOS防反驅動--->NMOS+驅動IC
2.電荷泵驅動NMOS
如圖11-2所示,這是一個采用電荷泵做NMOS驅動的簡圖:
圖11-2:電荷泵驅動NMOS高邊開關
Ctrl控制電荷泵工作產生高壓驅動NMOS導通工作。
如圖11-3是電荷泵驅動內部圖,Ci是小電容,充放電速度快,Co是大電容,負載能力強。通過頻繁的開關,S1、S2和S3、S4就能不斷地將Ci上的電荷搬運到Co上,而Co是相對于輸入電壓,因此我們就能夠得到比輸入電壓更高的驅動電壓。當需要驅動NMOS導通時,使能開關S0。當不需要驅動NMOS導通時,失能S0。
圖11-3:電荷泵驅動NMOS高邊開關簡圖
采用電荷泵型的驅動方案,整體物料少,成本較低,適用于電流不大的場景。
3.Buck-Boost型驅動NMOS
如圖11-4所示,是一個基于Buck-Boost拓撲的NMOS驅動拓撲。當Buck-Boost的S1導通時,輸入電壓通過電感儲能,電感電壓上正下負。當Buck-Boost的S1關斷時,電感產生反向電動勢,下正上負,通過二極管給電容C1充電,這樣C1的電壓就會高于輸入電壓,也即VGS大于開啟閾值。
圖11-4:電感通過二極管釋放能量,電感電壓上負下正給電容充電
采用Buck-Boost型的防反方案,IC的驅動能力強,EMC性能好,適用于大電流,追求高性能的場合,比如汽車各類域控制器、汽車音響系統,汽車USB PD充電器。
4.兩種驅動方式的比較
當需要驅動NMOS導通時,使能S0就能驅動NMOS可靠導通。Buck-Boost型有更大的驅動電流能力。Buck-Boost型防反驅動能更快地響應輸入電壓的各種波動,其中最典型的當屬輸入疊加高頻交流紋波。當輸入疊加交流紋波時,Buck-Boost型防反驅動能快速響應(帶反饋),圖11-5是輸入疊加100KHZ峰值兩幅條件下的實測波形:
圖11-5:Buck-Boost型防反驅動響應波形
紫色是輸入防反NMOS的輸入電壓,淺藍色防反NMOS的D級輸出電壓,雖然輸入電壓波動很大,但是經過NMOS后反而變得平順了。紅色是MOSFET驅動VGS電壓,綠色是負載電流??梢钥吹?,當輸入電壓處于波動過程中,當 VS 低于VD時,關閉NMOS驅動,防止電容電流反灌。當VS高于VD時,開啟NMOS驅動,及時驅動主溝道導通,避免只有體二極管導通。
圖11-6:電荷泵型防反驅動響應波形
電荷泵型防反驅動由于驅動電流能力不強,所以需要更頻繁的搬移電荷。當輸入疊加高頻交流紋波時,有可能會出現如圖11-7所示G極驅動脈沖丟失或者G極驅動脈沖常開的現象。圖11-6是實測采用電荷泵型防反驅動的波形。黃色是防反NMOS輸入電壓,紅色是NMOS的輸出D極電壓,綠色是NMOSFET的驅動VGS電壓,藍色是負載電流。在門級驅動脈沖丟失的時間內, NMOS無驅動,體二極管導通存在巨大熱損耗,同時在下一次開通瞬間存在較大的充電電流尖峰。在門級驅動脈沖常開的時間內,相當于NMOS常通,電解電容反復充放電,導致發熱嚴重。
圖11-7:電荷泵型防反驅動動態影響
其次是EMC問題,采用電荷泵型的防反驅動,雖然沒有電感,但它屬于電容式開關電源,其效率低,工作頻率高。因為芯片內部集成的電容一般容值不大,是pF級別,芯片外圍給MOS做驅動的電容一般容值較大,是uF級別。如需要在1ms內將NMOS的驅動電壓升起來,則必然需要反復將pF級別的電容電荷搬運到uF級別的電容上,其開關頻率不可避免在10MHZ以上,這就有可能帶來潛在的EMC風險,如圖11-8所示:
圖11-8:電荷泵型驅動帶來的EMC隱患實測
采用Buck-Boost的防反驅動,其效率遠高于電荷泵性。芯片內部一般采用定峰值電流模式,這種模式負載越輕,開關頻率越低。而MOSFET是電壓型器件,其電流消耗很小,因此開關頻率極低,幾乎沒有EMC的問題。
圖11-9:ISO7637-Pulse1測試波形
圖11-10:ISO16750-4.6測試波形
圖11-11:ISO7637-Pulse5b測試波形
圖11-12:ISO16750-4.4測試波形
如圖11-9至圖11-12所示的測試機構電源測試波形,采用Buck-Boost型的驅動IC,其EMC測試結果能完美通過國標等級5的測試,配合合適的外圍參數設計,能夠輕松應對各種電源線抗老實驗,是汽車電子產品可靠的前端防反設計。
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