從邏輯IC工藝28nm至7nm 技術迭代加快，開發成本激增

根據IC Insights的最新研究報告顯示，目前IC公司提供的面向邏輯芯片工藝技術比以往任何時候都多，邏輯IC工藝技術已經取得重大進步。盡管開發成本不斷增加，但IC制造商仍在繼續取得巨大進步。

英特爾 - 其2018年末推出的第九代處理器名為“Coffee Lake-S”，即“Coffee Lake Refresh”。英特爾稱這些處理器是新一代產品，但它們似乎更多增強了第八代產品。細節很少，但這些處理器似乎是在14nm ++工藝的增強版本上制造的，或者可能被認為是14nm +++工藝。

使用其10nm工藝的大規模生產將在2019年推出，并于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列處理器?？雌饋鞸unny Cove架構基本上取代了10nm的Cannon Lake架構。預計到2020年，10nm +衍生工藝將進入批量生產階段。

臺積電 - 臺積電的10nm finFET工藝于2016年底投入批量生產，但已從10納米迅速發展至7納米。臺積電相信7nm產品將成為28nm和16nm等長壽命節點。

目前，臺積電5納米工藝正在開發中，預計將于2019年上半年進入風險生產階段，到2020年將開始量產。該工藝將使用EUV，但它不會是臺積電利用EUV技術的第一個流程。首先是該公司7nm技術的改進版本。 N7 +工藝僅在關鍵層（四層）上使用EUV，而N5工藝將廣泛使用EUV（最多14層）。 N7 +計劃于2019年第二季度投入量產。

三星 - 在2018年初，三星開始批量生產第二代10nm工藝，稱為10LPP（低功率+）。在2018年晚些時候，三星推出了第三代10nm工藝，稱為10LPU（低功耗終極），提供了另一項性能提升。三星采用10nm的三重圖案光刻技術。與臺積電不同，三星認為其10納米工藝系列（包括8納米衍生產品）的生命周期很長。

三星的7nm技術于2018年10月投入風險生產。該公司不再提供采用浸沒式光刻技術的7nm工藝，而是決定直接采用基于EUV的7nm工藝。該公司正在將EUV用于7nm的8-10層。

GlobalFoundries - 格芯將其22nm FD-SOI工藝視為其主要市場，并與其14nm finFET技術相輔相成。該公司稱22FDX平臺的性能與finFET非常接近，但制造成本與28nm技術相同。