10月18日消息 根據AnandTech的報道,今年早些時候,Cadence和美光進行了業界首次公開演示下一代DDR5內存。在本月早些時候的臺積電活動中,兩家公司提供了有關新內存技術開發的一些更新??磥?,規格還沒有在JEDEC最終確定,但美光仍然預計將在2019年末開始生產DDR5內存芯片。
▲圖自ANANDTECH
正如5月份所述,DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量,而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度,電源電壓降至1.1 V,允許的波動范圍為3%(即±0.033V)。每個模塊使用兩個獨立的32/40位通道(不使用/或使用ECC)。此外,DDR5將具有改進的命令總線效率(因為通道將具有其自己的7位地址(添加)/命令(Cmd)總線),更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
事實上,Cadence甚至表示,與DDR4相比,改進的DDR5功能將使實際帶寬提高36%,即使在3200 MT / s(此聲明必須進行測試)和4800 MT / s速度開始,與DDR4-3200相比,實際帶寬將高出87%。與此同時,DDR5最重要的特性之一將是超過16 Gb的單片芯片密度。
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原文標題:DDR5內存條要來了:預計2019年底開始生產
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