國內外常用電子元器件型號命名規則比如：電阻器,電容器

1.電阻器

舉例：

RJ76表示精密金屬膜電阻器

R——電阻器（第一部分）

J——金屬膜（第二部分）

7——精密（第三部分）

6——序號（第四部分）

2.電容器

國外電容器命名規則不一，國外部分知名廠家命名規則如下：

(1)日本村田(muRata)

(2)日本TDK

(3)日本京瓷(Kyocera)

(4)日本羅姆(ROHM)

(5)日本松下旗下三洋電機(Panasonic)

(6)韓國三星(SAMSUNG)

(7)美國基美(KEMET)

(8)英國Syfer

(9)中國***國巨(YAGEO)

(10)中國***華新科技(WALSIN)

3.電感器

4.變壓器

5.二極管

6.三極管

7.發光二極管

8.揚聲器

9.電聲器件

10晶閘管

11.繼電器

國外：

1.國際電子聯合會半導體器件命名法

國際電子聯合會晶體管型號命名法的特點：

1)這種命名法被歐洲許多國家采用。因此，凡型號以兩個字母開頭，并且第一個字母是A，B，C，D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產品，或是按歐洲某一廠家專利生產的產品。

2)第一個字母表示材料（A表示鍺管，B表示硅管），但不表示極性（NPN型或PNP型）。

3)第二個字母表示器件的類別和主要特點。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不查手冊也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。

4)第三部分表示登記順序號。三位數字者為通用品；一個字母加兩位數字者為專用品，順序號相鄰的兩個型號的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185則為NPN型。

5)第四部分字母表示同一型號的某一參數（如hFE或NF）進行分檔。

6)型號中的符號均不反映器件的極性（指NPN或PNP）。極性的確定需查閱手冊或測量。

2.美國半導體器件型號命名法

美國晶體管或其它半導體器件的型號命名法較混亂。這里介紹的是美國晶體管標準型號命名法，即美國電子工業協會（EIA）規定的晶體管分立器件型號的命名法。如下表：

美國晶體管型號命名法的特點：

1)型號命名法規定較早，又未作過改進，型號內容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應管。因此，仍有一些廠家按自己規定的型號命名法命名。

2)組成型號的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號的基本部分。

3)除去前綴以外，凡型號以1N、2N或3N......開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產品。

4)第四部分數字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN，高頻大功率管，而2N3465為N溝道場效應管。

5)不同廠家生產的性能基本一致的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數的差異常用后綴字母表示。因此，型號相同的器件可以通用。

6)登記序號數大的通常是近期產品。

3.日本半導體器件型號命名法

日本半導體分立器件（包括晶體管）或其它國家按日本專利生產的這類器件，都是按日本工業標準（JIS）規定的命名法（JIS－C－702）命名的。

日本半導體分立器件的型號，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號及意義如下表所示。第六、七部分的符號及意義通常是各公司自行規定的。第六部分的符號表示特殊的用途及特性，其常用的符號有：

M－松下公司用來表示該器件符合日本防衛廳海上自衛隊參謀部有關標準登記的產品。

N－松下公司用來表示該器件符合日本廣播協會（NHK）有關標準的登記產品。

Z－松下公司用來表示專用通信用的可靠性高的器件。

H－日立公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。

K－日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。

T－日立公司用來表示收發報機用的推薦產品。

G－東芝公司用來表示專為通信用的設備制造的器件。

S－三洋公司用來表示專為通信設備制造的器件。

第七部分的符號，常被用來作為器件某個參數的分檔標志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作為直流放大系數hFE的分檔標志。

日本半導體器件型號命名法有如下特點：

1)型號中的第一部分是數字，表示器件的類型和有效電極數。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。

2)第二部分均為字母S，表示日本電子工業協會注冊產品，而不表示材料和極性。

3)第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

4)第四部分只表示在日本工業協會（EIAJ）注冊登記的順序號，并不反映器件的性能，順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號能反映產品時間的先后。登記順序號的數字越大，越是近期產品。

5)第六、七兩部分的符號和意義各公司不完全相同。

6)日本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號，常采用簡化標記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡化為D764，2SC502A簡化為C502A。

7)在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當高頻管用。

8)日本通常把Pcm≥1W的管子，稱做大功率管。