晶圓外緣為什么不利用-邊緣去除法

2公厘的神圣領域

觀察矽晶圓的外緣，可以發現有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對外緣進行磨邊的加工，一般稱為“導角（beve-ling）。

導角加工，目的在于將矽晶圓收納于搬運盤中進行運輸時，降低因為施加于矽晶圓外緣的微小機械應力，所導致的細小微塵生成。因此，導角部分除了形狀，亦需要形成與晶圓表面一致光滑潔亮。

然而，當在矽晶圓上制作大量半導體晶片時，考量此導角部分的存在以及其他因素，如圖4-6-2所示，從外緣位置去除導角部分后，會再去除2公厘左右的區域，才在內側開始進行晶片配置。將晶圓周圍去除一部分的領域，此領域稱為“除外（exclusion）”。

將此領域去除的理由，主要是考慮光蝕刻制程中，將光阻涂布于晶圓上時，因晶圓周邊的導角構造的存在而易使光阻發生涂布不均、厚度均一性較差的問題，而導致高精密的圖樣加工難以進行。再者，將涂有光阻的晶圓進行運送或操作時，因加諸于晶圓邊緣上的機械外力使光阻發生剝離，而導致細微粒子的產生，抑或對曝光機的晶圓基座或運送用的載具造成污染的情形發生。另外，在各段成膜制程中，成長于晶圓邊緣的薄膜，經常于后續的晶圓操作過程中剝離，形成細微粒子或污染原因。

對良率的貢獻

晶圓邊緣的除外區域有幾種不同的制作方法；如圖4-6-3所示，于晶圓上完成光阻涂布后，將晶圓旋轉并于周邊區域滴下稀釋劑，是為一種常見的方法。

對于細微粒子亦或微量不純物極度排斥的半導體，像是這類細部的研究成果，對良率及可靠性的改善，具有極大的貢獻。

審核編輯：劉清