長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地宿舍樓提前封頂，預計明年7月投產(chǎn)
據中國光谷5月10日消息披露，長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目首棟宿舍樓近日提前完工。這標志著(zhù)，項目步入投產(chǎn)階段，有望在今年6月實(shí)現全面完工，并于明年7月正式投產(chǎn)。項目落成后，將成為我國最大的碳化硅功率半導體制造基地。
長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地坐落在武漢新城核心區域，由長(cháng)飛先進(jìn)半導體（武漢）有限公司斥資打造，總投資預計逾200億元。
該項目專(zhuān)注于第三代半導體功率器件的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋新能源汽車(chē)、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。項目投產(chǎn)后，預計每年可產(chǎn)出36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊。
2023年9月1日，長(cháng)飛先進(jìn)半導體武漢基地在武漢新城舉行了奠基儀式，當時(shí)公布的計劃是一期工程將于2025年竣工。
據悉，該項目占地面積達22.94萬(wàn)平方米，建筑面積約30.15萬(wàn)平方米，主要建設內容包括芯片廠(chǎng)房、封裝廠(chǎng)房、外延廠(chǎng)房、動(dòng)力廠(chǎng)房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套設施等，建設周期為578天。
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發(fā)表于 08-03 16:50
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