國信光電子創新中心發布首款2Tb/s硅光互連芯粒
5 月 10 日訊，國家信息光電子創新中心與鵬城實驗室合作研發成功首款國產 2Tb/s 硅光互連芯片，并首次在中國展示了 3D 硅基光電芯粒架構，在單片內實現了高達 8×256Gb/s 的單向互連帶寬。
該團隊在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎上，運用先進的光電協同設計仿真方法，開發出適配硅光的單路超 200G driver 和 TIA 芯片，同時攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝難題，形成了完整的硅光芯片 3D 芯粒集成方案。
經過系統傳輸測試，8 個通道在 224Gb/s PAM4 光信號速率下，TDECQ 均在 2dB 以內。通過進一步鏈路均衡，最高可支持速率達 8×256Gb/s，單片單向互連帶寬達到 2Tb/s。
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