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探索非對稱(chēng)結構減少半導體器件中的應力

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-05-07 11:29 ? 次閱讀

電子產(chǎn)品廣泛使用半導體器件,這些器件負責改變電源、通信和處理信號。然而,諸如熱量、高電壓、高電流或頻率變化等壓力因素會(huì )影響器件的性能、可靠性和效率。因此,開(kāi)發(fā)能夠抵抗這些壓力的半導體器件顯得尤為重要。一種有效減少壓力的方法是采用不對稱(chēng)結構,比如三相電流源整流器(CSR)。

01

CSR是一種能夠將交流電轉換為直流電的電力轉換器,具備降壓功能。它通過(guò)在三個(gè)橋臂上各設置兩個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現,每個(gè)開(kāi)關(guān)由一個(gè)晶體管和一個(gè)二極管組成。通過(guò)改變CSR的輸入或輸出端子,可以形成不對稱(chēng)結構,從而減少開(kāi)關(guān)上的電壓和電流負荷。

下面介紹一種新型的具有不對稱(chēng)結構的三相CSR,并比較它與傳統CSR的不同之處,包括在功率損耗、輸出濾波器、電壓和電流應力方面的優(yōu)勢和劣勢。

wKgaomY5n7KALUEwAAC0JZL2iyU257.png圖1:拓撲結構

在提出的CSR中,雖然器件數量與傳統CSR相同,但其上臂和下臂之間的連接方式不同。這種不對稱(chēng)的連接方式使得輸出端子與輸入端子不同,具體表現在上臂的二極管和晶體管之間的連接。這種新結構導致電流路徑發(fā)生了微小的變化。

控制CSR的一種簡(jiǎn)單方法是采用空間矢量脈寬調制(SVPWM),這也是提出的CSR調制方案的基礎。通過(guò)使用兩個(gè)活動(dòng)向量和一個(gè)零向量,可以實(shí)現輸入參考電流空間矢量的調制,這些向量通過(guò)不同的開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)選擇。

02

使用不對稱(chēng)結構的CSR可以減輕半導體器件的壓力,這種壓力包括電壓應力和電流應力,它們會(huì )根據CSR的工作狀態(tài)和切換時(shí)機而變化。

wKgZomY5n8aAE7x4AAC_pfSx4wo920.png圖2:三相輸入電壓和扇區

提出的CSR相比傳統CSR在開(kāi)關(guān)損耗上略有增加,因為每個(gè)開(kāi)關(guān)周期都會(huì )有額外的開(kāi)通和關(guān)閉動(dòng)作。然而,由于一半的晶體管承受的電壓和電流應力較小,其傳導損耗顯著(zhù)降低。這意味著(zhù)提出的CSR在調制指數較低和續流時(shí)間較長(cháng)時(shí),性能優(yōu)于傳統CSR。

另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,提出的CSR可以使輸出濾波器更小,因為它具有更小的輸出紋波電壓,這得益于多個(gè)自由輪道的設計。因此,提出的CSR不僅使系統更加強大,而且更經(jīng)濟。

03

iDEAL的SuperQ技術(shù)具有非對稱(chēng)結構。

iDEAL Semiconductor 推出的 SuperQ 技術(shù),是在討論功率器件架構新方法時(shí)提到的一種非對稱(chēng)CSR系統的典型例子。這項技術(shù)雖然主要采用硅材料,但同樣適用于碳化硅和氮化鎵等其他半導體材料。SuperQ的一個(gè)突出特點(diǎn)是它的不對稱(chēng)、電荷平衡結構,這一設計相較于傳統的超級結器件,有助于提升摻雜水平、減薄外延區域并擴大導電面積。

這種獨特的結構設計讓SuperQ在多個(gè)方面都顯著(zhù)優(yōu)于市面上的現有產(chǎn)品,尤其是在60V到850V的電壓范圍內,它能夠降低電阻和減少開(kāi)關(guān)損耗。此外,SuperQ的生產(chǎn)過(guò)程采用了類(lèi)似CMOS的簡(jiǎn)化工藝,適用于200毫米和300毫米的晶圓,使得選用的封裝器件具有業(yè)內最低的電阻。

wKgaomY5n9yATdJLAACKOB1_DjY058.png圖3:硅、GaN 和 SiC 的比電阻 (R sp ) 與 SuperQ(中壓)的比較

考察SuperQ對電力行業(yè)可能帶來(lái)的影響,很清楚這項技術(shù)能夠帶來(lái)顯著(zhù)的好處。根據現有的數據,與市場(chǎng)上的主要競爭產(chǎn)品相比,SuperQ能夠實(shí)現高達50%的電阻降低和70%的開(kāi)關(guān)損耗減少。這些改進(jìn)不僅能提升電力系統的效率、可靠性和熱性能,還能簡(jiǎn)化電力設備的生產(chǎn)和封裝過(guò)程,有望降低成本。

04

值得一提的是,SuperQ技術(shù)已經(jīng)從理論走向實(shí)踐,iDEAL Semiconductor已經(jīng)在不同的測試條件和應用場(chǎng)景中成功演示了這項技術(shù)。通過(guò)一些實(shí)例,如采用TO-247封裝的650V/20A器件的電阻僅為6mΩ,以及在D2PAK封裝中100V/100A器件的電阻僅為0.8mΩ,展示了其強大的性能。

SuperQ在功率器件領(lǐng)域取得的進(jìn)步不僅提升了性能,還有潛在的成本節約,同時(shí)也展現了其對不同半導體材料的適應性。

這些令人鼓舞的進(jìn)展預示著(zhù)它可能對行業(yè)產(chǎn)生重塑作用,并且符合創(chuàng )新的三階段企業(yè)社會(huì )責任策略。盡管SuperQ和非對稱(chēng)CSR都展現出巨大的潛力,但進(jìn)行更多的獨立評估和實(shí)際應用測試對于全面評估它們對功率器件領(lǐng)域的影響至關(guān)重要。

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