英飛凌推出新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝
英飛凌科技近日發布了一款采用OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC封裝。這款封裝憑借其獨特的頂部直接冷卻技術，為汽車電子控制單元提供了卓越的散熱性能，有效防止熱量傳遞至印刷電路板（PCB）。
SSO10T TSC封裝的設計簡潔且緊湊，支持雙面PCB布局，進一步簡化了汽車電源設計。其高效散熱特性有助于降低汽車電源設計的冷卻需求，從而降低了系統成本。
這款新型封裝適用于多種應用，包括電動助力轉向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電系統、無刷直流驅動器（BLDC）、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等。英飛凌科技的這一創新舉措，再次證明了其在半導體封裝技術領域的領先地位。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
英飛凌
+關注
關注
65文章
1977瀏覽量
137117 -
封裝
+關注
關注
124文章
7377瀏覽量
141323
發布評論請先 登錄
相關推薦
CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗
發表于 06-04 10:12
?627次閱讀
英飛凌推出新型XENSIVTM傳感器擴展板
全球功率系統和物聯網領域的佼佼者英飛凌科技股份公司，近日推出了一款革命性的XENSIVTM傳感器擴展板，專為Arduino平臺設計。這款擴展板是智能家居和各種消費應用中智能傳感器系統評估的利器。
英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200
英飛凌為汽車應用推出業內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
? 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產品非常適合即將推出
發表于 04-16 09:58
?1409次閱讀
STM32L053R8T6的TSC功能，外部按鍵怎么喚醒stop模式呢？
STM32L053R8T6的 TSC功能，外部按鍵怎么喚醒 stop模式？哪個大佬 有TSC相關開發程序用CUBEMX開發 ，但這個TSC功能怎么打開
發表于 03-25 06:22
英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術
在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的
英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新
英飛凌推出新款磁性位置傳感器
英飛凌科技股份公司，憑借其豐富的磁性位置傳感器技術經驗與成熟的線性隧道磁阻（TMR）技術，成功研發出新款磁性位置傳感器XENSIV? TLI5590-A6W。
是德科技推出新型PCI Express? 6.0協議驗證工具
2023年6月28日，是德科技（Keysight Technologies,Inc.）日前宣布，推出新型 PCI Express（PCIe）6.0 協議驗證工具。這些協議分析儀和協議訓練器不需要連接
工商網監
評論