三星電子近日公開了第一季度財務報告,其中詳細介紹了旗下半導體相關業務的技術進展及未來規劃。據悉,盡管整體晶圓代工業務回暖速度較慢,但晶圓廠的運營效率已然有所提升。
在技術研發領域,三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進步,預計本季度內完成2nm設計基礎設施的開發;此外,4nm工藝的良率亦逐漸穩定。
為適應3D集成電路的需求,三星正在籌備4nm技術,同時計劃開發適用于14nm、8nm等成熟節點的基礎設施。值得注意的是,三星仍然計劃下半年實現第二代3nm技術的大規模生產,并提高2nm技術的成熟度。
在存儲業務方面,三星電子宣布已于本月啟動HBM3E 8H(8層堆疊)內存的批量生產,并計劃本季度內推出單堆棧容量高達36GB的HBM3E 12H產品。
為了滿足生成式AI市場的需求,三星將持續擴大HBM的供應。在常規DDR5領域,基于1bnm(12納米級)制程的32Gb DDR5也將在本季度實現量產。
三星計劃通過加快產能爬坡來增強企業在高密度DDR5模組市場的競爭力。據了解,三星1bnm 32Gb DDR5內存于去年9月首次亮相,原計劃于2023年底量產。
至于NAND閃存領域,三星進一步明確第9代V-NAND的QLC版本將于今年三季度實現量產。
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