英特爾與美防部聯手研發全球最尖端芯片制造技術

2023年4月23日，美國著名半導體廠商英特爾宣布與美國防部深化合作，致力開發全球最先進的芯片制造流程。此項合作以雙方于兩年半前簽訂的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項目第一階段為基礎進行擴展。

據IT之家觀察，此次合作將首次讓美方掌握頂尖芯片制造技術。在此過程中，雙方將攜手打造采用英特爾未來18A制造工藝的芯片樣本，18A制造工藝主要服務于高性能計算及圖像處理市場，對芯片的強大計算力有極高要求。

英特爾將利用18A制造工藝為美國國家安全應用提供芯片，這也是其與DIB（國防工業基地）客戶的重要合作內容，這些客戶涵蓋了國防承包商如諾格公司和波音，以及商業領域的巨頭如微軟、英偉達和IBM等。

英特爾的18A是其下一代制程工藝，根據公司早先公布的信息，其前一代20A制程預計將于2024年投入生產。去年底，英特爾詳細披露了18A制程的關鍵參數，CEO帕特·基辛格表示，18A制程的研發進度超出預期。

英特爾在聲明中指出，RAMP-C項目的第三階段充分展示了其18A制程技術、知識產權和生態系統解決方案已具備量產條件?；粮裉貏e強調了英特爾18A芯片卓越的功耗管理能力，并認為其優于臺積電的2納米制程工藝。

從命名來看，英特爾18A制程相當于1.8納米制程。在芯片制造領域，制程越小意味著電導率和性能越高?，F代芯片能在極小的空間內容納數十億個晶體管，從而處理海量數據。

美國國防部微電子工程負責人謝諾伊博士表示，五角大樓預計將在2025年完成使用英特爾18A制程芯片的原型生產。RAMP-C項目的第三階段將聚焦于芯片設計的定型，這是設計流程的最后環節，工程師將將設計理念轉化為指導芯片制造機器的掩模版。

值得一提的是，英特爾本月初啟用了全球首臺最先進的芯片制造設備——高數值孔徑極紫外（high NA EUV）光刻機。英特爾表示，該設備可簡化設計流程，進而縮短芯片制造周期。