介紹一款原邊反饋/內置MOSFET適配器電源ic U6217

原邊反饋/內置MOSFET適配器電源ic U6217

為了節省副邊反饋網絡和光耦等元件，在小功率應用場合，一般電路采用PSR(原邊反饋)控制方式。該法適用于對輸出精度、輸入調整率、負載調整率要求不高， 負載不會突然變化的場合，并且該法在輸入突變時也加快了系統的保護。深圳銀聯寶科技剛好有一款原邊反饋/內置MOSFET適配器電源ic U6217推薦給大家！

在原邊控制技術中，當原邊向副邊傳輸能量時，通過采樣與副邊繞組耦合的輔助繞組電壓，得到輸出電壓反饋信號。適配器電源ic U6217內部CV電壓采樣時序以及關鍵波形。隨著副邊電流的續流到零，存在著副邊續流二極管導通壓降VF的降低過程。

為了通過輔助繞組獲得高精確的輸出電壓信息，芯片內的恒壓采樣模塊屏蔽了由于漏感導致的關斷時刻的電壓振蕩。當恒壓采樣過程結束時，內部的采樣保持模塊記錄下反饋誤差并通過內部的誤差運算放大器將其放大。原邊恒壓控制模塊利用誤差運算放大器的輸出實現高精度的恒壓輸出。芯片內部恒壓輸出基準為高精度的2V。

在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產生一定的電壓降。在適配器電源ic U6217內部存在由線損補償模塊控制的可調式電流源流出到與FB管腳相連的分壓電阻上并產生一定的電壓偏置信號。

此電流正比于開關周期，而反比與輸出功率，所以在電纜上的電壓降可以被補償掉。隨著負載功率的降低，在FB上的偏置電壓將被提高。通過調節分壓電阻R1和R2的阻值可以調節實際補償量的大小。U6217封裝形式SOP-8，管腳如下：

1 VDD 芯片供電腳。

2 GND 芯片參考地。

3 FB系統反饋管腳。輔助繞組電壓經電阻分壓后送至 FB 管腳，用于CV 模式輸出電壓控制及 CC 模式輸出電流控制。

4 CS 電流采樣輸入腳。

5、6、7、8 DRAIN 內置功率 MOSFET 漏極。

適配器電源ic U6217為了滿足嚴苛的平均效率和待機功耗要求，采用了調幅控制（AM）和調頻控制（FM）結合的多模式控制技術。接近滿載輸出時，系統工作在調頻工作模式中；在輕重載條件下，系統工作在調頻工作和調幅工作模式中；當系統接近空載輸出時，系統工作在調頻模式中以降低待機功耗。利用此種控制技術，系統可以獲得低于70mW的待機功耗。典型功率推薦:

U6217SL——175-265VAC：18W 85-265VAC：15W

U6217SM——175-265VAC：24W 85-265VAC：18W

原邊反饋/內置MOSFET適配器電源ic U6217可節省系統板上的空間，降低成本并且提高系統的可靠性。在手機充電器等成本壓力較大的市場，以及LED驅動等對體積要求很高的市場都具有廣闊的應用前景！