據悉,中芯國際集成電路制造(上海)有限公司近期獲得一項關于“半導體結構及其形成方法”的專利,專利號為CN111370488B,于2024年4月16日正式生效,其申請日期是2018年12月26日。
該半導體結構及其形成方法主要包含以下步驟:首先,需制備基底,其中含有器件區及位于兩側的隔離區;之后進行基底圖案化,制作出襯底及突出于襯底的鰭部;接著,在器件區兩側形成突出于隔離區襯底的第一偽鰭部;最后,在鰭部與第一偽鰭部暴露的襯底上形成隔離層,并覆蓋鰭部部分側壁。通過這種方式,第一偽鰭部的設計能提高各鰭部周邊區域的圖形密度均勻性,進而改善器件區隔離層的厚度均勻性,同時降低鰭部彎曲或傾斜的可能性,進一步提升半導體結構的電氣性能。
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