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SK海力士簽署先進芯片封裝協議

半導體芯科技SiSC ? 來源:Silicon Semiconductor ? 作者:Silicon Semiconductor ? 2024-04-16 11:17 ? 次閱讀

來源:Silicon Semiconductor

為下一代HBM建造先進封裝設施,同時與普渡大學合作研發。

SK海力士將在美國印第安納州西拉斐特投資約38.7億美元,為人工智能產品建設先進的封裝制造和研發設施。該項目是美國首個此類項目,預計將推動美國人工智能供應鏈的創新,同時為該地區帶來一千多個新就業崗位。

1HBM(高帶寬內存):一種高價值、高性能內存,可垂直互連多個 DRAM 芯片,與傳統 DRAM 產品相比,可大幅提高數據處理速度。 HBM4 是繼 HBM、HBM2、HBM2E、HBM3 和 HBM3E 之后的第六代產品。

公司近日在美國西拉斐特普渡大學,與印第安納州立大學、普渡大學和美國政府官員舉行了投資協議儀式,并正式宣布了該計劃。

印第安納州州長Eric Holcomb、參議員Todd Young、白宮科技政策辦公室主任Arati Prabhakar、商務部助理部長Arun Venkataraman、印第安納州商務部長David Rosenberg、普渡大學校長Mung Chiang、普渡大學研究基金會主席 Mitch Daniels、西拉斐特市市長 Erin Easter、韓國駐美國大使 Hyundong Cho、韓國駐芝加哥總領事 Junghan Kim、SK 副主席 Jeong Joon Yu、SK海力士首席執行官 Kwak Noh-Jung 和 SK海力士封裝與測試負責人 Choi Woojin 參加了此次活動。

憑借其在 HBM 市場的主導地位,SK 海力士的新工廠將擁有先進的半導體生產線,該生產線將批量生產下一代 HBM,這是性能最高的動態隨機存取存儲器 (DRAM) 芯片,是用于訓練 ChatGPT 等 AI 系統的圖形處理單元的關鍵部件。

該公司計劃于2028年下半年開始量產,而新工廠還將開發下一代芯片并擁有先進的封裝研發線。之所以選擇該地點,是因為印第安納州具有彈性的制造基礎設施和研發生態系統、半導體領域的專家知識分子和普渡大學的人才管道,以及州和地方政府提供的大力支持。

存儲芯片的創新會繼續推動計算領域的低功耗操作和性能增強。 隨著技術縮減和其他硬件改進已達到極限,SK 海力士的新小芯片封裝技術已成為繼續有望提高密度和性能的方法。隨著這種異構集成技術對半導體行業的未來變得越來越重要,該公司在印第安納州的新舉措將有助于將該地區打造為“硅中心地帶”:一個以中西部三角為中心的新半導體集群,將成為人工智能時代下一代計算的磁石。

美國印第安納州州長Eric Holcomb表示:“印第安納州在創新和生產產品方面處于全球領先地位,這些產品將為我們未來的經濟提供動力,今天的這一舉措證明了這一點。非常歡迎 SK 海力士來到印第安納州,我們相信這一新的合作伙伴關系將長期促進拉斐特-西拉斐特地區、普渡大學和印第安納州的發展。這個新的半導體創新和封裝工廠不僅重申了該州在硬技術領域的作用,而且也是推進美國創新和國家安全方面又向前邁出了一大步,使印第安納州處于國家和全球進步的最前沿?!?/p>

該項目的主要倡導者、美國參議員Todd Young表示:“SK 海力士很快將成為印第安納州家喻戶曉的品牌。這項令人難以置信的投資表明了他們對印第安人工人的信心,非常歡迎他們來到我們的州?!彼€補充道,“《芯片和科學法案》為印第安納州打開了一扇沖刺的大門,像 SK 海力士這樣的公司正在幫助建設我們的高科技未來?!?/p>

普渡大學校長Mung Chiang表示:“SK 海力士是人工智能存儲芯片領域的全球先驅和市場主導者。這項變革性投資反映了我們州和大學在半導體、硬件人工智能和硬技術走廊方面的巨大實力,也是通過芯片先進封裝完成美國數字經濟供應鏈的一個里程碑式的時刻。同時,也是位于普渡大學研究園的美國大學同類設施中最大的設施,該設施將通過創新不斷發展并取得成功?!?/p>

SK海力士首席執行官Kwak Noh-Jung表示:“我們很高興成為業內第一家在美國為人工智能產品建造最先進的先進封裝設施的公司,這將有助于增強供應鏈的彈性并發展當地的半導體生態系統。通過這個新設施,我們希望能夠推進我們的目標,即提供具有獨特功能的人工智能存儲芯片,滿足客戶的需求?!?/p>

“我們感謝印第安納州政府、普渡大學和更廣泛的相關社區的支持,期待長期深化雙方的合作伙伴關系?!?/p>

作為內存解決方案的技術領導者、集成商和推動者,SK 海力士正在與美國領先的研究機構之一普渡大學合作制定未來研發項目的計劃。這些項目包括與普渡大學伯克納米技術中心以及其他研究機構和行業合作伙伴進行先進封裝和異構集成的工作。他們還希望合作開展一個與生成人工智能時代以內存為中心的解決方案和架構相關的項目,特別是系統級內存設計和存內/近存計算。

該公司還計劃與普渡大學和常春藤科技社區學院合作開發培訓項目和跨學科學位課程,以培養高科技勞動力并建立可靠的新人才管道。

與此同時,SK海力士計劃通過建立提供社區發展、成長機會和領導力培訓的合作伙伴關系,支持普渡大學研究基金會和其他當地非營利組織和慈善機構的工作。

另外,SK海力士也將按計劃進行韓國國內投資。 該公司一直在為韓國龍仁半導體集群準備場地,將投資 120 萬億韓元建設生產設施。該公司計劃于 2025 年 3 月破土動工,計劃于 2027 年初竣工。還將建設一座小型晶圓廠,配備 300 毫米晶圓加工設備,用于測試半導體材料、組件和設備。

審核編輯 黃宇

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