三菱電機出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會

4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會在安徽宣城隆重舉辦，本屆會議由中國高校電力電子與電力傳動學術年會組織委員會主辦，合肥工業大學承辦。三菱電機作為本次會議鉆石贊助商出席會議。

一年一度的學術年會，以深入研討各高校電力電子與電力傳動學科發展現狀和趨勢，促進各高校對本學科認識和理解為目標，協同國內外領域內知名專家，圍繞電力電子技術，電力傳動技術等各個領域的新理論、新技術、新成果進行探討，自2005年籌備以來，會議已發展成為由19所國內知名高校組織、近100所高校及科研院所參與的重要的學術論壇之一。

三菱電機從事開發和生產功率半導體已有68年，自進入中國市場以來，在持續優化產品質量服務的同時，也不斷深度參與行業交流，支持相關領域學科教育。三菱電機半導體曾連續多年為多所高校相關專業優秀學生頒發獎學金，設立聯合實驗室提供相關設備及技術支持，并多次以贊助商身份支持行業學術研討會議。

在本屆年會中，三菱電機半導體中國區技術總監宋高升先生發表了名為“三菱電機功率芯片和功率模塊技術最新進展”的專題演講，該演講從學術研究的前沿性角度出發，結合三菱電機的最新功率芯片技術進展，從家電、工業、軌道牽引和電動汽車四個行業應用對三菱電機的最新功率模塊解決方案進行了概述，并圍繞第三代半導體中的SiC，介紹了三菱電機的產品系列和研發生態。

在本次會議中，三菱電機展出了三款SiC相關產品：J3系列電動汽車專用功率模塊，第2代全SiC MOSFET模塊，全SiC高壓MOSFET。

其中J3系列電動汽車專用功率模塊采用碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC-MOSFET）或RC-IGBT（Si），具有緊湊的設計和可擴展性，可用于電動汽車（EV）和插電式混合動力汽車（PHEV）的逆變器。

第2代全SiC MOSFET模塊采用第2代低損耗平面柵SiC芯片，為系統的高頻化和高效率帶來提升，通過對稱布局，降低模塊內部的雜散電感，內置RTC電路，提升模塊的短路耐量時間，方便驅動設計。

全SiC高壓MOSFET采用LV100封裝使其功率組件容易標準化，通過采用新的SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片實現更高的電流密度。

此外，在本次會議中，三菱電機機電（上海）有限公司被授予“大會鉆石贊助商”榮譽稱號。愿未來攜手更多行業組織，共創電力電子行業新篇章！

審核編輯：劉清