國內企業再獲突破 成功掌握8英寸SiC關鍵技術

4月9日，世紀金芯宣布他們實現了8英寸SiC關鍵技術突破！

合肥世紀金芯半導體有限公司基于設備、工藝、熱場、原料、結構設計等多方面的長期技術積累，突破了8英寸SiC關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績。2024年2月，世紀金芯半導體8英寸SiC加工線正式貫通并進入小批量生產階段，在8英寸SiC襯底量產方向更進一步。

1

模擬優化，減少研究成本，獲得預期的溫場情況

世紀金芯公司采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度。并通過多次優化數據庫參數，準確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩定性在90%以上。同時，合理的溫度梯度降低了晶體的凸度，有效降低了晶體開裂風險，提高了原料利用率和晶體出片數量。

2

設計實驗，驗證生長晶體預期，獲得可重復性參數

世紀金芯基于6英寸晶體研發生產經驗，結合8英寸晶體生長的熱場結構設計及工藝特性，在高穩定性長晶爐的基礎上，公司采取了獨特的保溫設計和先進的熱場分區結構，開發出適用于8英寸SiC穩定生長的工藝技術，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數變化量，獲得可重復性穩定參數，大幅提升了長晶的穩定性、重現性。突破了大尺寸、低應力等碳化硅晶體制備關鍵技術。

3

不斷開發新結構、新技術，獲得低缺陷單晶

世紀金芯公司掌握多種自研結構及技術，包括籽晶預處理粘接、低應力生長結構設計及工藝等，為8英寸晶體量產打下了重要基礎。采用籽晶迭代優化的方式，進一步降低了位錯缺陷密度，通過設計不同過濾層及多段溫度調控，對碳包裹物起到抑制作用，有效減少了包裹引起的一系列缺陷。

世紀金芯公司開發的8寸SiC單晶生長技術可重復生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8寸加工線也同步建成，將配套8寸單晶生長。通過進一步優化工藝，預期公司的8寸SiC晶錠厚度將達到20mm以上。

審核編輯：黃飛