半導體制造過程的熱處理,指的是將矽晶圓放置在充滿氮氣(N2)或氫氣(Ar2)等惰性氣體環境中施予熱能的處理。
熱處理包括在單純的惰性氣體中摻雜微量的氧氣(O2),使產生薄薄一層氧化膜,同時進行處理;以及在單純的惰性氣體中摻雜微量的氫氣(H2),促使熱氧化膜與矽介面之間的電性安定,同時進行處理等。如圖2-10-1所示,熱處理具有各種制程及目的。
依目的分別的熱處理制程
在“布植后熱處理”中,將摻雜到矽表面附近的導電型不純物,透過熱擴散現象,使之進行再分布,借此達成不純物分布在縱斷面的需求。故此種熱處理,需控制溫度及處理時間。
在“加熱再流動(Reflow)”中,將硼或磷、或者同時以硼和磷的低熔點BPSG膜(硼磷矽化玻璃)在高溫下使呈流動態,使其在晶圓表面呈現平緩的狀態。此種熱處理,需控制BPSG內所含硼及磷的濃度、熱處理溫度、處理時間。
在“金屬矽化熱處理(矽金屬化)”中,將鎳(Ni)及矽(Si)進行熱反應,形成矽化鎳(NiSi2)。矽化錦可被堆積在M0S電晶體的閘極電極,以及源極、汲極擴散層的表面,用以降低層阻抗。
在“活性化”中,對晶圓加熱使矽晶格產生震動,讓離子注入后的導電型不純物能夠移動到正確的晶格點中,活化晶圓的電性。
在“界面安定化”中,在熱氧化膜(SiO2)與矽(Si)之間界面上的不飽和鍵,填入氫原子(H)中止之,達成電性穩定。此種熱處理使用以氮氣稀釋的氫氣(合成氣體)。在“合金化”(又稱燒結)中,為了確保金屬布線及矽之間的歐姆接點,而透過熱處理產生共晶反應。
進行熱處理的設備,如下頁所示,分成“熱處理爐(爐管)”及“燈管退火器(使用鹵素燈的RTP裝置)”兩種。燈管退火器使用紅外線燈管,以快速升降溫,適合短時間進行高溫熱處理。
審核編輯:劉清
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原文標題:晶圓的熱處理---熱處理目的及主要制程
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