被劃分為與晶體表面的不同狀態和各種蝕刻機制相對應的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術和科學意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:24
2215 
本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術提供了優于0.5納米的深度分辨率
2022-04-07 13:18:16949 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統。
2022-04-11 16:41:191101 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011266 
項工作中，使用光刻和蝕刻技術將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:587362 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
本文分享了一種適用于模擬/數字混合信號環境的接地技術。
2021-04-25 07:46:35
`高純氧化鋁，作為一種新型高純材料，其作用日趨擴大。高純氧化鋁呈白色微粉，粒度均勻，易于分散，化學性能也很穩定，高溫收縮性能也適中，具有良好的燒結性能轉化率，是生產耐熱、耐磨、耐腐產品的基本原料。高
2016-10-21 13:51:08
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨鈰產品，1020AC是不含硝酸的低速蝕刻劑，兩種產品均可配合正負
2008-09-10 22:38:44
Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨鈰產品，1020AC是不含硝酸的低速蝕刻劑，兩種產品均可配合正負
2008-09-22 23:22:07
設備的工業生產中。但是在許多情況下，這兩者之間的區別已經減少。一種新的刻蝕技術，即深反應離子刻蝕，使結合體微加工和梳狀結構的典型性能以及表面微加工的典型面內操作相結合成為可能。盡管在表面微機械加工中通常
2021-01-05 10:33:12
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
目前，有三種天線制造技術：蝕刻/沖壓天線（etched/punchedantenna）、印刷天線（printedantenna）和繞線式天線。其中，繞線和印刷技術在中國大陸得到了較為廣泛
2019-06-26 06:17:24
有效期--一年（15-25 °C）鉻蝕刻劑Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨
2008-11-01 00:41:39
有效期--一年（15-25 °C）鉻蝕刻劑Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨
2008-11-01 00:43:24
有效期--一年（15-25 °C）鉻蝕刻劑Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨
2008-11-05 23:50:16
有效期--一年（15-25 °C）鉻蝕刻劑Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨
2008-11-05 23:48:44
有效期--一年（15-25 °C）鉻蝕刻劑Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨
2008-12-30 18:44:48
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態等結構參數的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高質量電介質。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優勢可歸因于這種高質量原生氧化物的存在以及由此產生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
顆粒4、去除原生氧化物。其中，單獨使用 DI-O3 水無法去除原生氧化物，但臭氧技術可以在裸硅上重新生成干凈的氧化物以滿足某些工藝要求，如上一節所述。對于其他過程，DI-O3 水可以單獨工作，也可以與其
2021-07-06 09:36:27
的寬帶隙使其可以用于藍色/紫外線發光二極管和激光二極管，并且由于其固有載流子濃度低，可以在非常高的溫度下工作。 氧化鋅是一種具有纖鋅礦晶體結構的直接寬帶隙材料，可用于氣體傳感器、透明電極、液晶顯示
2021-10-14 11:48:31
發射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級問題。用于器件制造的關鍵技術操作之一是濕化學蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
晶片的時間長度 。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019據我們所知，只有一篇參考文獻引用了在 GaAs 上使用預涂層原生氧化物蝕刻來提高附著力。參考研究表明，預涂層處理是有希望
2021-07-06 09:39:22
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
本文介紹一種基于虛擬串口的GPS／GSM遠程定位技術。
2021-05-25 07:14:20
什么是一氧化二氮（N2O）？一氧化二氮（N2O）有什么影響？介紹一種N2O氣體探測器的解決方案
2021-06-15 07:02:48
CH372是什么？有何優點？一種基于CH372芯片的USB通信技術
2021-06-07 07:01:51
IPSec協議是什么？一種基于SoC的IPSec協議實現技術
2021-05-26 07:05:43
介紹一種無線電測向技術
2021-05-26 06:40:24
本文介紹了一種汽車無線接入技術的解決方案。
2021-05-12 06:40:56
分享一種Bluetooth 2.1+EDR版本的藍牙技術
2021-05-26 06:45:04
分享一種CameraCube新型圖像傳感技術
2021-06-08 09:29:49
分享一種基于基片集成波導（SIW）技術的和差模提取方法
2021-05-24 07:03:05
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢?？梢酝ㄟ^加熱蝕刻溶液的方法來
2018-09-11 15:27:47
適用范圍 印制線路板制造業發達地區集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術內容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產工業級硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
如何利用51單片機去實現一種可控硅調光的設計？其源代碼該怎樣去實現呢？
2022-01-17 09:34:33
分布式計算技術是什么？如何去實現一種分布式計算技術？
2021-09-24 07:52:34
測量生命體征的技術報考哪些？如何去實現一種基于傳感器的人體生命體征監控技術呢？
2021-10-26 07:37:37
與電容式觸控技術相比，電容式感應技術具有哪些優點？如何去實現一種基于電容式感應技術的觸摸按鍵設計？基于電容式感應技術的觸摸按鍵設計有哪些應用??？
2021-07-08 06:10:46
如何去實現一種智能天線技術？求過程
2021-05-25 06:03:02
什么是硅基CMOS技術？如何去實現一種石墨烯CMOS技術？
2021-06-17 07:05:17
什么是OPC技術？如何去開發一種基于OPC技術的上位機監控系統？
2021-09-23 07:37:30
Σ-ΔADC基本原理是什么？由哪些組成的？為了解決DAC失真誤差這個問題，該如何設計并仿真一種數字誤差校正技術 ？
2021-04-12 07:11:54
本文將介紹和比較在硅光電子領域中使用的多種激光器技術，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術。我們還會深入探討用于各種技術的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術廣泛普及的過程中發揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC鉻蝕刻劑是一種高純度可精確清潔蝕刻鉻或氧化鉻薄膜的硝酸銨鈰產品，1020AC是不含硝酸的低速蝕刻劑，兩種產品均可配合正負
2008-09-10 22:03:40
構成高速緩存的方案有哪幾種？如何去實現一種海量緩存的設計？怎樣去實現一種基于DSP和ADC技術高速緩存和海量緩存？
2021-06-26 07:50:30
有線技術和無線技術有哪些區別？怎樣去設計一種基于ZigBee技術的智能家居系統？
2021-09-23 07:35:46
新型非聯網2.4GHz技術為什么會是一種理想的選擇？
2021-05-28 06:15:05
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F有技術的不足，本發明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
,臭氧質量濃度的控制還沒有找到更好的方法,如果臭氧濃度過高,不僅會加大設備造價,同時又會對人體有危害,而臭氧濃度太小,又難以達到滿意效果.所以將現代檢測控制技術應用于臭氧發生設備系統中,實現臭氧質量濃度的有效控制是一個值得研究的課題.
2011-03-04 14:12:09
如何去區分燃氣報警器和煤氣報警器呢？燃氣報警器和煤氣報警器的區別再哪？有沒有一種可同時監測燃氣和一氧化碳的傳感器呢？
2021-07-19 08:12:28
Jini的基本原理是什么？其結構是怎樣的？藍牙技術的基本原理是什么？其結構是怎樣的？求一種Jini與藍牙技術的結合應用方案
2021-06-04 06:05:46
一種基于DSP的移動平臺ATP技術的應用設計
2021-05-25 07:03:21
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
的結合。因此從本質上講，其隔離與構成其封裝的組件相關。在 TI 的電容式技術中，信號信息以通過一系列蝕刻在硅芯片上的電路為基礎。中間是二氧化硅構成的電容器，可通過利用邊緣檢測方案阻隔直接電流流動（可以
2022-11-22 06:46:06
1995年希臘科學家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術,各向異性的反應離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結構,觀察到了類似于多孔硅的光激發光現象。
2019-09-26 09:10:15
表面硅MEMS加工技術是在集成電路平面工藝基礎上發展起來的一種MEMS工藝技術，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。什么是表面硅MEMS加工技術？表面硅MEMS加工技術先在
2018-11-05 15:42:42
一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面?！ ×硗?b class="flag-6" style="color: red">一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種
2018-09-19 15:39:21
從數據手冊看，AD9643芯片有兩種管腳定義方式， 平行的LVDDS 和 多氧化(日/日/日/日)LVDS 。請問AD9643BCPZ-250屬于哪一種管腳定義方式？
2023-12-06 06:54:17
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
一種新型陽極氧化多孔硅技術:在適當條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發光強度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:47
13 一種改良過的適用于生產超精密板的蝕刻技術 Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152143 臭氧發生器是用于制取臭氧的設備裝置。臭氧易于分解無法儲存需現場制取現場使用（但是在特殊的情況下是可以進行短時間的儲存），凡是能用到臭氧的場所均需使用臭氧發生器。臭氧發生器在自來水，污水，工業氧化，空間滅菌等領域廣泛應用。
2018-01-30 09:37:2722448 如何控制臭氧？ 結合臭氧的成因，控制臭氧就是要從前提物上進行控制，簡而言之就是控制源頭。其實我們現在控制PM2.5前提物，也是在控制臭氧的前提物，因為這兩個的前提物是重合的，一個是氮氧化物，一個是
2018-06-22 10:35:144083 由于現在環境污染比較嚴重，大家在日常生活中都開始重視消毒殺菌了。消毒殺菌的方法有很多，比如臭氧消毒，這種是許多人選擇的方法之一。臭氧是一種強消毒劑和氧化劑，臭氧在生活中的殺菌和利用可以更好地保護人體健康。
2020-04-24 17:02:122997 ，錫鉛為抗蝕劑。 二、蝕刻反應基本原理 1．酸性氯化銅蝕刻液 ①．特性 -蝕刻速度容易控制，蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量 -蝕銅量大 -蝕刻液易再生和回收 ②．主要反應原理 蝕刻過程中，Cu2+有氧化性，將板面銅氧化成Cu+：Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:587458 臭氧常溫下是一種天藍色的伴有腥臭味的氣體，液體狀態下顏色呈暗黑色，固體顏色則為藍黑色。臭氧主要存在于離地球表面20公里的平流層下部。它吸收、阻擋和削弱對人體有害的短波紫外線，阻止其到達地球。 現在
2020-10-26 10:28:362428 臭氧作為一種在常溫常壓下具有魚腥味的淡藍色氣體，氧化性很強，能殺死細菌、病毒等微生物，還能氧化多種無機和有機物，起到脫色、去味的作用，在污水處理中得到了廣泛的應用。由于臭氧是一種有毒的強氧化劑，一定
2020-11-03 16:43:47859 臭氧作為一種在常溫常壓下具有魚腥味的淡藍色氣體，氧化性很強，能殺死細菌、病毒等微生物，還能氧化多種無機和有機物，起到脫色、去味的作用，在污水處理中得到了廣泛的應用。
2020-11-02 15:16:461007 臭氧發生器是一種用來制取臭氧的裝置。臭氧容易分解，不能儲存，需要現場準備和使用（特殊情況下可以短時間儲存）。因此，在所有可以使用臭氧的地方都應該使用臭氧發生器。臭氧發生器廣泛應用于飲用水、工業氧化、食品保鮮、空間殺菌等領域。臭氧發生器產生的臭氧氣體可以直接利用，也可以通過混合裝置與液體混合參與反應。
2020-12-15 14:14:441565 在半導體工業中， “絕對清潔”的要求擴展到設備（臭氧發生器，接觸到的設備），這意味著不會產生顆粒，沒有金屬，離子或有機污染物。目前德國ANSEROS安索羅斯的臭氧發生器以及其他的臭氧處理系統已經可以“絕對清潔”的要求。
2021-09-27 17:37:09489 我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產生了光滑的高質量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
，在實現晶片通孔互聯的情況下，圓角是必須的。尖角增加了光致抗蝕劑破裂的風險，光致抗蝕劑破裂用于圖案化下面的金屬。因此，了解最常見的各向異性蝕刻劑（氫氧化鉀）的蝕刻行為以及圓角的形狀非常重要。本文通過蝕刻
2022-03-07 15:26:14372 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險，建議用戶使用在執行工藝之前，請仔細閱讀材料安全數據表。
2022-03-10 16:43:35798 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401 
本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發現p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導致的質量的提高
2022-04-06 13:32:13330 
本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發現p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導致的質量的提高
2022-04-15 10:18:45332 
本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術提供了優于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05261 
在本文中，結合了現有的經驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調查了濺射參數和蝕刻行為之間的關系，并提出了一種用于蝕刻的現象學結構區域模型
2022-05-09 14:27:58281 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419 介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨立式結構，例如微機電系統(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統的含水HF已經廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層，因為它成本低廉。然而，當具有高縱橫比的結構在含水蝕刻
2022-05-23 17:01:43948 
受疫情影響，各大醫院臭氧威脅迅速加重，醫患臭氧毒氣威脅。 一、臭氧是如何產生的？ 臭氧是一種氧化劑，可以與細菌、病毒直接作用，破壞它們的細胞器和DNA、RNA，因此，它廣泛應用于消毒劑中、殺菌劑
2022-11-02 15:00:51532 臭氧是目前空氣污染源中最常見的一種。臭氧雖然來去無蹤，但對健康的危害不容忽視。臭氧濃度達到50%ppb(十億分率，1ppb也就是十億分之一)，人就會開始出現鼻粘膜和咽喉粘膜的影響，隨著濃度的增加
2022-11-21 15:20:592503 受疫情影響，各大醫院臭氧威脅迅速加重，醫患臭氧毒氣威脅。 一.臭氧是如何產生的？ 臭氧是一種氧化劑，可以直接與細菌結合.病毒作用，破壞它們的細胞器和細胞器DNA.RNA，因此廣泛應用于消毒劑
2022-12-28 10:31:30222 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526 
關鍵詞：氫能源技術材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504 
法是最常用的一種原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通過光譜技術來測量臭氧濃度。 二、臭氧檢測儀的應用領域 1. 環境監測 環境監測部門使用臭氧檢測儀對大氣中的臭氧濃度進行實時監測，以評估空氣質量。通過長
2023-06-26 16:48:24547 臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優勢的各種水性應用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過氧化物混合物中過氧化氫的替代品，從而降低所用化學品的成本，同時
2023-07-07 17:25:07162 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系?b class="flag-6" style="color: red">一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系?b class="flag-6" style="color: red">一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
臭氧老化試驗箱是一種專門用于模擬和測試材料在臭氧環境下的老化性能的設備。這種設備廣泛應用于橡膠、塑料、涂料等高分子材料的研究、生產和質量控制等領域。本文將介紹臭氧老化試驗箱的基本原理、技術
2023-08-22 10:16:31539 
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
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