MOS管的導通條件 MOS管的導通過程

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MOS管導通條件

MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分為增強型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來就處于導通狀態，加柵源電壓是為了使其截止。

開關只有兩種狀態通和斷，開關電路用于數字電路時，輸出電位接近0V時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。

02

MOS管導通過程

導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段，這四個時間段有不同的等效電路。

1、t0-t1：Cgs開始充電，柵極電壓還沒有到達Vgs(th)，導電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關閉狀態。

2、t1-t2：GS間電壓到達Vgs(th)，DS間導電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID，Cgs繼續充電，Vgs由Vgs(th)指數增長到Va。

3、t2-t3：MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同，產生Millier效應，Cgd電容大大增加，柵極電流持續流過，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs的充電，從而使得Vgs近乎水平狀態，Cgd電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續減小。

4、t3-t4：至t3時刻，MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓，Millier效應影響變小，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅動電壓充電，Cgs電容的電壓上升，至t4時刻為止。此時Cgs電容電壓已達穩態，DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。

審核編輯：劉清