Vishay推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊

采用改良設計的 INT-A-PAK封裝 IGBT功率模塊

半橋器件采用 TrenchIGBT 技術，可選低 VCE(ON)或低 Eoff

適用于大電流逆變級

日前，Vishay 推出五款采用改良設計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N組成，采用 Vishay 的 Trench IGBT 技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低 VCE(ON)或低 Eoff—降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。

日前發布的半橋器件使用節能效果優于市場上其他器件的 Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代 FRED Pt反并聯二極管封裝在一起。模塊小型 INT-A-PAK 封裝采用新型柵極引腳布局，與 34 mm 工業標準封裝 100% 兼容，可采用機械插接方式更換。



這款工業級器件可用于各種應用的電源逆變器，包括鐵路設備、發電配電和儲電系統、焊接設備、電機驅動器和機器人。

為降低 TIG 焊機輸出級導通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在+ 125 °C，額定電流下，集電極至發射極電壓僅為 ≤ 1.07V，達到業內先進水平。

VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 適用于高頻電源應用，開關損耗極低，+ 125 °C，額定電流下，Eoff僅為 1.0 mJ 。

模塊符合RoHS標準，集電極至發射極電壓為650 V，集電極連續電流為100 A至200 A，結到外殼的熱阻極低。

器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的要求。

器件規格表

Vishay五款采用改良設計的 INT-A-PAK封裝新型半橋 IGBT 功率模塊

審核編輯：劉清