2.5/3D-IC封裝是一種用于半導體封裝的先進(jìn)芯片堆疊技術(shù),它能夠把邏輯、存儲、模擬、射頻和微機電系統 (MEMS)集成到一起,是未來(lái)封裝的發(fā)展方向。作為晶圓代工一哥的臺積電,是半導體技術(shù)革新的領(lǐng)頭羊,那么它有哪些前沿的2.5/3D IC封裝技術(shù)呢?
臺積電的2.5/3D IC 封裝主要有TSMC-SoIC,InFO,CoWoS三種類(lèi)型。
TSMC-SoIC
TSMC-SoIC(System on Integrated Chips),能對10納米以下的制程進(jìn)行晶圓級的集成,最關(guān)鍵的創(chuàng )新是采用了無(wú)凸點(diǎn)(no-Bump)的鍵合結構。
傳統的3D IC封裝技術(shù)通常用微凸點(diǎn)(micro-bumps)作為芯片間的互連結構。然而,微凸點(diǎn)的間距限制了互連密度,因而限制了整體的集成密度和性能。
相比之下,SoIC技術(shù)采用了無(wú)凸點(diǎn)的直接鍵合技術(shù),這種技術(shù)能夠減小芯片間距離,從而彌補了傳統3D IC封裝的短板。
TSMC的SoIC又包含了CoW(Chip-on-Wafer)和WoW(Wafer-on-Wafer)兩種形式。
CoW是將單獨的芯片(Chip)直接鍵合到一個(gè)待加工的晶圓(Wafer)上,而WoW則是將整個(gè)晶圓與另一個(gè)晶圓直接堆疊并鍵合。
InFO
InFO(Integrated Fan-Out),是一種先進(jìn)的扇出型晶圓級封裝(FOWLP)技術(shù)。InFO技術(shù)通過(guò)在晶圓上實(shí)現裸晶的扇出式布線(xiàn)(Fan-Out),使得芯片不需要傳統的基板,直接在芯片的外圍形成更多的I/O連接點(diǎn)。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展,TSMC推出了幾種不同的InFO技術(shù)變體,以滿(mǎn)足不同應用的需求,包括InFO-PoP、InFO-oS、InFO-LSI等。
CoWoS
CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)是一種先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù),它是將多個(gè)不同功能的芯片首先封裝到一個(gè)硅轉接板上,利用這個(gè)硅轉接板上的高密度布線(xiàn)實(shí)現芯片間的互連,然后整個(gè)結構再被安裝到一個(gè)更大的封裝基板上。CoWoS包括CoWoS-S,CoWoS-R,CoWoS-L. TSMC-SoIC,InFO,CoWoS之間的關(guān)系?
審核編輯:劉清
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原文標題:臺積電最前沿的2.5/3D IC封裝技術(shù)有哪些?
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