5G基站電源的多款型號代換型號：170N1F4A場效應管有效契合電路！

依據研究機構數據分析：2019年全球5G基站電源市場規模約為13億美元，預計到2025年將達到40億美元，年復合增長率約為20%。而在我國截至2023年5月，5G基站總數已達284.4萬個。

一系列的數據說明5G基站電源廠商需要加大研發投入來提升自身產品才能在市場中提升占有率。而MOS管作為5G基站電源的重要部件，則更需要有優質的產品推薦。

目前在市場上有SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7等多款國內外產品能應用于5G基站電源的電路中，今天分享電子工程師可以如何選用優質國產化MOS管。

在全面國產化的時代，如何選擇能代換SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7型號場效應管用于電路開發中則是工程師中熱門話題。今天我們來了解一款170N1F4A型號場效應管，它是一款純國產MOS管半導體元器件，能夠替代上述型號參數在5G基站電源中使用。

目前在國產市場中170N1F4A型號場效應管是能有效在5G基站電源中使用，這一點是已經獲得眾多的電源廠家所認可的。除了最基本的172A、100V參數外，還因其具備優秀的產品特點：

1、低柵極電荷

2、低 Crss (典型值 33 pF)

3、開關速度快

4、100%經過 Rg 測試

5、100%經過雪崩測試

6、100%經過熱阻測試

7、RoHS產品

8、SGT工藝

當然除了產品具備的優良特點外，170N1F4A能替代SVG104R0NT、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7等MOS管型號型號其還具備優良的參數：

1、Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；

2、ID（A）：172A；BVdss（V）：100V

3、最大脈沖漏極電流（IDM ）：480A

4、N 溝道增強型場效應晶體管

5、選用TO-220封裝產品可用于5G基站電源中

6、反向傳輸電容：33pF

7、靜態導通電阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V

對于想要升級5G基站電源質量的廠商要選擇好的MOS管產品應用，建議選用170N1F4A型號場效應管。

飛虹半導體在為電子廠商專業的產品，一站式配齊功率器件的服務，始終站在用戶需求出發。

它良好的制作工藝與參數性能給5G基站電源做更好的適配，保障產品的可靠性。

國產市場快速迭代，產品質量提升選對型號很重要。