在美國舊金山舉行的西部光電展(Photonics West 2024)會議上,度亙核芯(DoGain)發布了915nm高功率高效率半導體激光方面的最新進展,首次實現了單管器件高達110W的功率輸出!
隨著工業加工市場的蓬勃發展,半導體激光芯片的功率、效率、亮度面臨著新的挑戰,激光芯片任何方面性能的提升,對激光應用都會起到巨大的推動作用。度亙核芯深耕激光芯片領域多年,研發量產了眾多的芯片系列,產品在業內一直處于領先地位。度亙核芯通過對基礎物理、材料科學、芯片設計以及器件制備工藝的深入研究,優化了芯片的內量子效率、腔內光學損耗以及腔面的高負載能力,成功實現了輸出功率和電光轉換效率的顯著提高。
新近研發的915nm 500um條寬單管雙結激光芯片,在具有極高的電光轉換效率的前提下,在室溫和55A連續工作條件下,突破性的實現了110W的高輸出功率,為業界領先水平!
圖1. 9xxnm雙結半導體激光芯片特性曲線(CW)
雙結激光芯片的技術突破是建立在已批量生產的單結9xx nm 芯片技術基礎之上,現已在業界廣受歡迎的915nm 320um條寬單管激光芯片,在室溫連續工作條件下可靠輸出45W功率,電光轉換效率超過65%;500um條寬單結芯片在連續工作條件下輸出功率達到74W!
圖2.9xxnm單結半導體激光芯片特性曲線(CW)
此系列高功率、高效率新產品的研發成功充分展示了度亙堅持技術領先、不懈進取的企業精神,度亙也將持續聚焦核心光電領域,提升產品的性能和可靠性,持續不斷的為客戶提供更優質的產品。
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