共源共柵放大器電路圖分享

什么是共源共柵放大器？

共源共柵放大器是一種特殊的放大器結構，它結合了共源放大器和共柵放大器的特點。在共源共柵放大器中，共源放大器作為主要增益單元，而共柵放大器則作為電流緩沖器。這種結構可以提高基礎增益單元的阻值，從而提高放大器的增益和輸出擺幅。

共源共柵放大器通常包括兩個階段，例如CE（共發射極）級和CB（公共基極）級，其中CE饋入CB。與單級放大器相比，共源共柵放大器具有不同的特性，如高輸入/輸出隔離度、高i/p阻抗、高o/p阻抗和高帶寬。此外，共源共柵放大器還增強了I/O隔離，就像從O/P到I/P沒有直接耦合一樣，這降低了米勒效應并因此提供了高帶寬。

共源共柵放大器在電子學中被廣泛應用，特別是在需要提高增益、輸出擺幅和帶寬的應用中。它也可以用于增強模擬電路的性能，如穩壓器等。共源共柵放大器的一個關鍵優勢是它能夠提供較大的低頻增益和單位增益帶寬，同時保持適當的相位裕度和較小的建立時間。此外，折疊式共源共柵結構相較于傳統的套筒式共源共柵結構具有更大的輸入輸出擺幅和更廣泛的應用。

總的來說，共源共柵放大器是一種高性能的放大器結構，具有廣泛的應用前景。在電子學、通訊、音頻處理等領域中，共源共柵放大器都發揮著重要的作用。

接下來小編給大家分享一些共源共柵放大器電路圖，以及簡單分析它們的工作原理。

共源共柵放大器電路圖分享

1、使用FET的共源共柵放大器電路圖（1）

使用 FET 的共源共柵放大器電路如下所示。該放大器的輸入級是FET和連接到其柵極端子的 Vin（輸入電壓）的公共源。該放大器的輸出級是 FET 的共柵極，其輸入相位非常高。 O/P 級的漏極電阻為 Rd，Vout（輸出電壓）可從次級晶體管的漏極端子獲取。

由于Q2晶體管的柵極接地，因此晶體管的源極電壓和漏極電壓幾乎保持穩定。這意味著較高的 Q2 晶體管為較低的 Q1 晶體管提供較低的 i/p 電阻。這會降低較低晶體管的增益，從而米勒效應也會降低。所以帶寬將會增加。

下部晶體管的增益降低不會影響總增益，因為上部晶體管會補償它。上晶體管不會受到米勒效應的影響，因為漏極到源極漂移電容的充電和放電可以通過漏極電阻進行。頻率響應以及負載僅對高頻產生影響。

2、使用FET的共源共柵放大器電路圖（2）

所提供的示意圖說明了采用 FET 的標準共源共柵放大器。該電路的初級采用 FET 共源放大器，輸入電壓 (Vin) 施加到其柵極。后級是 FET 共柵放大器，由輸入級的輸出驅動。 Rd代表輸出級的漏極電阻，輸出電壓(Vout)從Q2的漏極端子提取。

這種布置的一個顯著特點是，由于 Q2 的柵極接地，FET Q2 的源極電壓和 FET Q1 的漏極電壓幾乎保持恒定。因此，上部 FET Q2 為下部 FET Q1 提供低輸入電阻。此操作會導致下部 FET Q1 的增益降低，??從而減輕米勒效應，從而擴大帶寬。重要的是，下部 FET Q1 增益的降低不會影響整體增益，因為上部 FET Q2 補償了這種降低。米勒效應不會顯著影響上部 FET Q2，因為漏極至源極雜散電容的充電和放電主要通過漏極電阻器和負載進行管理。頻率響應主要受到高頻影響，遠超出音頻范圍。

在共源共柵配置中，輸出與輸入有效隔離。 FET Q1 在其漏極和源極端子上保持幾乎恒定的電壓，而 FET Q2 在其源極端子和柵極端子上保持幾乎恒定的電壓。因此，實際上沒有從輸出到輸入的反饋。就電壓而言，主要焦點在于輸入和輸出端子，它們通過維持恒定電壓水平的中央連接進行有效隔離。

3、使用FET的共源共柵放大器電路圖（3）

這是一個使用 FET 的可操作共源共柵放大器電路。在此配置中，電阻器 R4 和 R5 協作創建專門用于 FET Q2 的分壓器偏置網絡。 R3 充當 Q2 的漏極電阻，有效限制漏極電流。同時，R2 與其旁路電容器 C1 一起充當 Q1 的源電阻。此外，當不存在輸入信號時，R1 在維持 Q1 柵極電壓為零方面發揮著關鍵作用。