什么是N型單導體與P型半導體
N型單導體和P型半導體是兩種不同類型的半導體材料,它們具有不同的電子特性和導電能力。
N型單導體是在純的硅或其他半導體材料中摻入五價元素(如磷、砷等)而形成的。這些五價元素會引入額外的自由電子,使得材料中的載流子以電子為主,因此稱為N型(n-type)。在N型材料中,電子作為主要的載流子負責電流的傳導。當N型材料被正向偏置(正電壓施加在N區)時,電子會在導帶中移動,從而形成電流。
P型半導體是在純的硅或其他半導體材料中摻入三價元素(如硼、鋁等)而形成的。這些三價元素會引入空穴(正電荷載流子),使得材料中的載流子以空穴為主,因此稱為P型(p-type)。在P型材料中,空穴作為主要的載流子負責電流的傳導。當P型材料被正向偏置(正電壓施加在P區)時,空穴會在價帶中移動,從而形成電流。
當N型和P型材料結合在一起形成PN結時,由于它們之間的載流子濃度差異,會形成電場,這也是二極管的關鍵特性。這個PN結具有非線性導電特性,使得它能夠實現電流的單向導通性,即在正向偏置時能夠導通電流,而在反向偏置時產生很大的電阻,幾乎不導通電流。這就為二極管的應用提供了基礎,如整流、信號調制、電壓參考等。
N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體,是一種電子型半導體。將磷(P)、銻(Sb)、砷(As)等5價原子的雜質少量地摻進鍺或硅的純晶體中可以形成N型半導體,此類提供電子的雜質稱為施主雜質;
另一方面,P型半導體,即空穴型半導體,是以帶正電的空穴導電為主的半導體。摻入3價原子硼(B)、鎵(Ga) 、銦(In)等則可形成P型半導體,此類提供空穴的雜質稱為受主雜質。其中,擁有負(Negative)電荷的自由電子及扮演正(Positive)電荷角色的空穴擔負著傳導電流的作用。
如圖所示,將晶體管的一半做成P型,另一半做成N型,P型與N型結合的部分稱為PN結。
P型部分擁有許多空穴,而N型部分擁有許多自由電子。在P型半導體和N型半導體結合后,由于N型區內自由電子為多子,空穴幾乎為零稱為少子,而P型區內空穴為多子,自由電子為少子,在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由于自由電子和空穴濃度差的原因,有一些電子從N型區向P型區擴散,也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴,留下了帶負電的雜質離子,N區一邊失去電子,留下了帶正電的雜質離子。
最后,多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡,混合而達到平衡狀態。而我們將移動至對方領域的載流子稱為注入載流子。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側,留下離子薄層,這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。PN結的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區,由于缺少多子,所以也稱耗盡層。
n型半導體和p型半導體哪個導電性好
N型半導體和P型半導體具有不同的導電性。
在N型半導體中,由于材料中引入了額外的自由電子,電子是主要的載流子,導電性較好。這是因為在N型半導體中,外部電場或施加的電壓會推動自由電子在導帶中移動,從而形成電流。
而在P型半導體中,由于材料中引入了空穴,空穴是主要的載流子。相對于N型半導體,空穴移動的速度較慢,因此導電性稍差。
對于常見的半導體材料,N型半導體的導電性要好于P型半導體。這也是為什么在很多半導體器件中,N型材料常用作導電層,而P型材料常用作控制電流流動或形成PN結的區域。
導電性的好壞除了與材料類型相關,也與材料的純度、雜質摻入量以及溫度等因素有關。
審核編輯:黃飛
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