半導體行業之晶圓制造與封裝概述（二）

芯片的術語

下圖中描述了一個中等規模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細節可以看到。高密度電路的元件非常小，以至于它們在整個芯片的顯微照片上無法區分。

該芯片的特點是:1、雙極晶體管；2、電路編號；3、粘接墊，可以將芯片連接到封裝中；4、粘在鍵合pad上的的污物墊；5、金屬表面“布線”；6。劃片道；7、無關聯的組件；8、掩膜對齊標記；9、電阻器

基本晶圓制造操作

有許多的電路是混合電路和集成電路。ic是基于一個小數量的晶體管結構構成(主要是雙極或金屬氧化物硅[MOS])結構和制造工藝。汽車行業就是一個典型的例子。這個行業生產的產品種類繁多，從轎車到推土機。然而，金屬成形、焊接、噴漆等過程都是所有工廠都有的。在工廠內部，這些基本流程應用不同的方式生產不同產品。

微芯片制造也是如此。四種基本操作是通過測序來生產特定的微芯片?；镜牟僮饔蟹謱?，圖形化，激活劑和熱處理。下圖是(MOS)硅柵的截面圖晶體管。它說明了如何使用和排序這些基本操作來創建現實生活中的半導體器件。

分層

分層是在晶圓片表面添加薄層的操作。一個如下圖中對簡單MOS晶體管結構的檢查顯示了一些已添加到晶圓片表面的層。這些層可以是絕緣體，半導體或導體。它們由不同的材料制成，生長在不同的地方，通過各種方法沉積的。

各種技術被用于生長二氧化硅層和沉積(如下圖所示)。常見的沉積技術是物理沉積氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、蒸發、濺射、分子束，外延，分子束外延和原子層沉積(ALD)。電鍍是在高密度上鍍金的一種方法集成電路。下圖列出了常用的層材料和分層過程。每個過程的細節將在過程章節中解釋。角色的不同結構中的層將在后續的章節中解釋。

圖形化

圖形化是一系列步驟，其結果是去除圖像的選定部分添加面層(如下圖所示)。去除后，層的圖案留在晶片表面。所去除的材料可以以層中的孔或孔的形式存在，只剩下一個島。

這種圖案化的過程被稱為掩模，掩模，光刻和顯微光刻。在晶圓制造過程中晶體管、二極管、電容器、電阻器和金屬的各種物理部件晶圓片表面和內部形成導電系統。這些部分被創建一次一層，通過在表面上放一層和使用留下特定形狀的圖案加工過程。模式操作的目標是以所需的精確尺寸(特征尺寸)創建所需的形狀電路設計，并將它們定位在晶圓表面上的適當位置和其他層的關系。

圖形化是四種基本操作中最關鍵的。此操作將設置設備的關鍵尺寸。圖案制作過程中的錯誤可能會導致扭曲或錯位的圖案，導致電氣故障的設備或電路。模式的錯誤放置可能會產生同樣的壞結果。另一個問題是缺陷。圖案制作是一種高科技版的攝影，但它是在難以置信的小尺寸。在工藝步驟中可能引入污染缺陷。這個污染問題被放大了，因為圖案在最先進的晶圓制造工藝過程中，在晶圓上執行30次或更多次操作。

審核編輯：劉清