0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區
會(huì )員中心
創(chuàng )作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

SiC逆變器的制造流程有哪些

麥辣雞腿堡 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò )整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò )整理 ? 2024-01-10 14:55 ? 次閱讀

iC逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優(yōu)點(diǎn),廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程,以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造SiC逆變器的一般流程:

PCB設計與制作:根據元器件選型和控制策略,設計SiC逆變器的PCB布局。PCB設計需要考慮電磁兼容性、熱設計、電源分配等問(wèn)題,以確保SiC逆變器的穩定性和可靠性。在PCB設計完成后,進(jìn)行PCB制作,包括光繪、蝕刻、鉆孔等工藝。

圖片

元器件貼裝:將采購的元器件按照設計要求,貼裝到PCB上。貼裝過(guò)程中需要注意元器件的方向、位置、間距等參數,以確保元器件與PCB的連接質(zhì)量。

焊接和回流焊:對貼裝好的元器件進(jìn)行焊接,以實(shí)現電氣連接。這通常涉及回流焊接,即加熱PCB以融化焊料(melt the solder),在元件和PCB焊盤(pán)(pads)之間建立牢固的焊點(diǎn)(solid solder joints)。使用受控的溫度曲線(xiàn)(Controlled temperature profiles)以確保正確的焊接。

測試:對制造完成的SiC逆變器進(jìn)行測試,以驗證其性能和可靠性。測試主要包括輸入輸出特性測試、效率測試、溫度測試等。通過(guò)測試,可以評估SiC逆變器的性能和可靠性,為后續優(yōu)化提供依據。

封裝:將逆變器電路封裝在一個(gè)保護性的殼體內。外殼提供了機械支持、對外界環(huán)境因素的保護,以及電氣絕緣??赡馨ɡ鋮s機制,如散熱片或風(fēng)扇,以處理運行期間產(chǎn)生的熱量。

組裝和測試對合格的SiC逆變器進(jìn)行包裝,并進(jìn)行出廠(chǎng)檢驗。通過(guò)整合外殼、連接器、布線(xiàn)和任何其他所需組件,完成逆變器的最終組裝。進(jìn)行額外的測試以驗證逆變器的性能、效率和安全特性。

總之,制造SiC逆變器需要遵循一定的流程,從元器件采購到售后服務(wù)與支持,每個(gè)環(huán)節都需要嚴格控制質(zhì)量和性能。通過(guò)不斷優(yōu)化和改進(jìn),可以實(shí)現SiC逆變器的高效、高性能和高可靠性。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用,如有內容侵權或者其他違規問(wèn)題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    112

    文章

    4558

    瀏覽量

    89664
  • SiC逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    6

    瀏覽量

    6219
  • PCB
    PCB
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1615

    瀏覽量

    13204
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    PV逆變器應用升溫,推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

     碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽(yáng)能(PV)逆變器應用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統硅功率半導體,提供更高的電源轉換效率,更可減少所需的電容和感測器數量,已吸引愈來(lái)愈多太陽(yáng)能
    發(fā)表于 06-25 09:25 ?1723次閱讀

    基于SiC功率模塊的高效逆變器設計方案

    適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)
    發(fā)表于 01-26 10:25 ?295次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b>功率模塊的高效<b class='flag-5'>逆變器</b>設計方案

    電源逆變器制造工藝問(wèn)答

    電源逆變器制造工藝問(wèn)答 1. 電源逆變器的持續輸出功率與峰值輸出功率什么不同? 持續功率和峰值功率因其表達的意義而不同。 持續負載=電流值×220(交流電壓) 啟動(dòng)負載=
    發(fā)表于 01-26 17:40

    電源逆變器制造工藝問(wèn)答

    電源逆變器制造工藝問(wèn)答 1. 電源逆變器的持續輸出功率與峰值輸出功率什么不同? 持續功率和峰值功率因其表達的意義而不同。 持續負載=電流值×220(交流電壓) 啟動(dòng)負載=
    發(fā)表于 01-26 17:45

    SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

    3賽季)與文圖瑞車(chē)隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議,并在上個(gè)賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)。通過(guò)將FRD更換為SiC-SBD,第2賽季由IGBT和快速恢復二極管(FRD)組成的
    發(fā)表于 12-04 10:24

    羅姆成功實(shí)現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

    本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調節器等的逆變器、轉換器,開(kāi)發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
    發(fā)表于 03-18 23:16

    SiC-MOSFET什么優(yōu)點(diǎn)

    二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
    發(fā)表于 04-09 04:58

    SiC GaN什么功能?

    基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng )新市場(chǎng)和應用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲、車(chē)輛電氣化(如充電器
    發(fā)表于 07-31 06:16

    了解一下SiC器件的未來(lái)需求

    Tesla的SiC MOSFET只用在主驅逆變器電力模塊上,共24顆,拆開(kāi)封裝每顆2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET
    發(fā)表于 09-15 07:42

    貼片(晶片)電阻制造流程

    貼片電阻的制造流程,分享給大家,需要G1漿料的可以私我。
    發(fā)表于 06-22 14:56

    使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設計指南

    使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
    發(fā)表于 11-02 12:07

    基于SiC的雙向三級三相AFE逆變器和PFC設計

    基于SiC的雙向三級三相AFE逆變器和PFC設計
    發(fā)表于 09-09 10:17 ?24次下載

    溝槽型SiC MOSFET工藝流程SiC離子注入

    在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現出更好的性能;為了獲得更高的性能,該器件需要在低電阻率的
    的頭像 發(fā)表于 10-27 09:35 ?5231次閱讀

    設計SiC逆變器有哪些流程

    SiC(碳化硅)逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優(yōu)點(diǎn),廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統等領(lǐng)域。設計SiC逆變器需要遵循一定的
    的頭像 發(fā)表于 01-10 14:42 ?290次閱讀

    水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設計

    利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設計。
    發(fā)表于 03-13 14:31 ?162次閱讀
    水下航行器電機的<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>逆變器</b>設計
    亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看