GD32F1硬件開(kāi)發(fā)指南之復位電路

GD32F10x系列復位控制包括三種復位：電源復位、系統復位和備份域復位。電源復位為冷復位，電源啟動(dòng)時(shí)復位除了備份域的所有系統。電源和系統復位的過(guò)程中，NRST會(huì )維持一個(gè)低電平，直至復位結束。MCU無(wú)法執行起來(lái)時(shí)，可以通過(guò)示波器監測NRST管腳波形來(lái)判斷芯片是否有一直發(fā)生復位事件。 芯片內部集成POR/ PDR(上電/掉電復位)電路，用于檢測電源并在電壓低于閾值時(shí)產(chǎn)生電源復位信號復位除備份域之外的整個(gè)芯片。GD32F1中flash容量不超過(guò)128KB的GD32F103產(chǎn)品，VPOR表示上電復位的閾值電壓，典型值約為2.4V，VPDR表示掉電復位的閾值電壓，典型值約為2.35V，遲滯電壓Vhyst值約為50mV。flash容量大于128KB的GD32F103產(chǎn)品，VPOR表示上電復位的閾值電壓，典型值約為2.4V，VPDR表示掉電復位的閾值電壓，典型值約為1.8V，遲滯電壓Vhyst值約為600mV。

注意：適用于GD32F101及flash容量不超過(guò)128KB的GD32F1產(chǎn)品。

注意：適用于flash容量大于128KB的GD32F103產(chǎn)品。LVD的功能是檢測VDD/VDDA供電電壓是否低于低電壓檢測閾值(2.2 V~2.9V)，該閾值由電源控制寄存器中的LVDT[2:0]位進(jìn)行配置。LVD通過(guò)LVDEN置位使能，位于電源狀態(tài)寄存器中的LVDF位表示低電壓事件是否出現，該事件連接至EXTI的第16線(xiàn)，用戶(hù)可以通過(guò)配置EXTI的第16線(xiàn)產(chǎn)生相應的中斷。遲滯電壓Vhyst值為100mV。LVD應用場(chǎng)合：當MCU電源受到外部干擾時(shí)，如發(fā)生電壓跌落，我們可通過(guò)LVD設置低電壓檢測閾值，一旦跌落到該閾值，LVD中斷被打開(kāi)，可在中斷函數里設置軟復位等操作，避免MCU發(fā)生其他異常。

另外，MCU復位源可以通過(guò)查詢(xún)寄存器RCU_RSTSCK來(lái)判斷，該寄存器只有上電復位才能清除標志位，所以在使用過(guò)程中，獲取到復位源后，可通過(guò)RSTFC控制位清除復位標志，那樣發(fā)生看門(mén)狗復位或其他復位事件時(shí)，才能較準確在RCU_RSTSCK寄存器中體現出來(lái)：

MCU內部集成有上電/掉電復位電路，在設計外部復位電路時(shí)，NRST管腳必須要放置一個(gè)電容，確保NRST管腳上電能產(chǎn)生一個(gè)至少20us的低脈沖延時(shí)，完成有效上電復位過(guò)程。

注意：1，內部上拉電阻RPU = 40kΩ，建議接外部上拉電阻10kΩ即可，以使得電壓干擾不會(huì )導致芯片工作異常；2. 若考慮靜電等影響，可在NRST管腳處放置ESD保護二極管；3. 盡管MCU內部有硬件POR電路，仍推薦外部加NRST復位阻容電路；4. 如果MCU啟動(dòng)異常，可適當增加NRST對地電容值，拉長(cháng)MCU復位完成時(shí)間，避開(kāi)上電異常時(shí)序區。