可控硅對于硬件工程師來(lái)說(shuō)是個(gè)重要的元器件,對于一個(gè)合格的硬件工程師來(lái)說(shuō),必須要掌握可控硅的電路設計??煽毓柙诟鱾€(gè)領(lǐng)域應用廣泛,常用來(lái)做各種大功率負載的開(kāi)關(guān)。相比繼電器,可控硅有很多優(yōu)勢,繼電器在開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)會(huì )產(chǎn)生電火花,在某些工業(yè)環(huán)境由于安全原因這是不允許的,繼電器在開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)觸點(diǎn)會(huì )發(fā)生氧化,影響繼電器壽命,而這些缺點(diǎn)可控硅都能避免。
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。
單向可控硅工作原理
單向可控硅的電流是從陽(yáng)極流向陰極,交流電過(guò)零點(diǎn)時(shí)截止,如圖交流電的負半周時(shí),單向可控硅是不導通的,在正半周時(shí),只有控制柵極有觸發(fā)信號時(shí),可控硅才導通。
雙向可控硅工作原理
雙向可控硅的電流能從T1極流向T2極,也能從T2極流向T1極,交流電過(guò)零點(diǎn)時(shí)截止,只有控制柵極有正向或負向的觸發(fā)信號時(shí),可控硅才導通。
接下來(lái)我們講解下使用最多的雙向可控硅的一些電路應用
上圖中,VCC和交流電其中一端是連接在一起的,這樣就能保證單片機是輸出低電平信號觸發(fā)可控硅,這樣可控硅觸發(fā)工作在第3象限,上圖中避免可控硅觸發(fā)使用高電平信號,避免可控硅觸發(fā)工作在第4象限。若運行在第4象限由于雙向可控硅的內部結構,門(mén)極離主載流區域較遠,導致需要更高的Igt,由 Ig 觸發(fā)到負載電流開(kāi)始流動(dòng),兩者之間遲后時(shí)間較長(cháng),導致要求 Ig 維持較長(cháng)時(shí)間,另外一個(gè)缺點(diǎn)就是會(huì )導致低得多的 dIT/dt 承受能力,若控制負載具有高dI/dt 值(例如白熾燈的冷燈絲),門(mén)極可能發(fā)生強烈退化。查閱可控硅BT134器件規格書(shū),也明確說(shuō)明觸發(fā)工作在第4象限,Igt需求更大。
如下圖:
上圖第1個(gè)主要是應用在低端類(lèi)的產(chǎn)品上,常見(jiàn)的如家里的吊扇,第2個(gè)圖加入單片機控制。
其它應用場(chǎng)合
電路的觸發(fā)方式
柵極電路
上圖是主要的可控硅柵極的觸發(fā)電路
雙向可控硅的應用主要事項:
1.在使用雙向可控硅控制電感性負載時(shí),一般要如下面所示連接 RC 吸收電路 , 以抑制施加到器件上的 (dv/dt)c 值。當用雙向可控硅開(kāi)關(guān)控制電感性負載(L型負載)時(shí),如在轉換期間由于電流延遲的作用, (di/dt)c 和 (dv/dt)c 超過(guò)某個(gè)值時(shí),可能因為(di/dt)c 和(dv/dt)c,不需柵極信號而進(jìn)入導通狀態(tài),從而變得無(wú)法控制。
RC吸收回路的參數取值,我們常見(jiàn)的馬達控制場(chǎng)合,常用的選取電阻為100歐。電容為0.01uF. 而起到噪聲保護的作用的,接在控制柵極和T1之間的電阻和電容的參數,可根據環(huán)境和EMC效果酌情選取。
2.根據公式,Rg=(Vcc-Vgt)/Igt(Rg為柵極電阻),柵極電流和柵極電阻Rg和柵極電壓Vgt有關(guān)。
柵極觸發(fā)電流Igt的設定,應有足夠的余量,要充分考慮低溫最?lèi)毫拥沫h(huán)境,可控硅的結溫特性確定了在低溫下的Igt需求更大,如下圖:
柵極觸發(fā)電流Igt的設定,還需考慮柵極觸發(fā)電壓Vgt的因素,同樣,也要充分考慮低溫最?lèi)毫拥沫h(huán)境,可控硅的結溫特性確定了在低溫下的Vgt需求更大,如下圖:
考慮以上兩個(gè)因素,設定柵極電流Igt時(shí),通常按規格書(shū)要求的1.5倍來(lái)設定,故柵極電阻Rg的選取需謹慎選取。
3.當遇到嚴重的、異常的電源瞬間過(guò)程, T2上 電壓可能超過(guò) VDRM,此時(shí) T2 和 T1 間的漏電將達到一定程度,并使雙向可控硅自發(fā)導通,
若負載允許高涌入電流通過(guò),在硅片導通的小面積上可能達到極高的局部電流密度。這可能導致硅片
的燒毀。白熾燈、電容性負載和消弧保護電路都可能導致強涌入電流。由于超過(guò) VDRM 或 dVD/dt 導致雙向可控硅導通,這不完全威脅設備安全。而是隨之而來(lái)的 dIT/dt 很可能造成破壞。原因是,導通擴散至整個(gè)結需要時(shí)間,此時(shí)允許的 dIT/dt 值低于正常情況下用門(mén)極信號導通時(shí)的允許值。假如過(guò)程中限制 dIT/dt 到一較低的值,雙向可控硅可能可以幸存。為此,可在負載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的不飽和(空心)電感。如上述解決方法不能接受,或不實(shí)際時(shí),可代替的方法是增加過(guò)濾和箝位電路,防止尖峰脈沖到達雙向可控硅。使用壓敏電阻器,作為“軟”電壓箝位器,跨接在電源上, 壓敏電阻上游增加電感、電容濾波電路。
4.通常具有高初始涌入電流的常見(jiàn)負載是白熾燈,冷態(tài)下電阻低。對于這種電阻性負載,若在電源電壓的峰值開(kāi)始導通, dIT/dt 將具有最大值。假如這值有可能超過(guò)雙向可控硅的 dIT/dt 值,最好在負載上串聯(lián)一只幾μH 的電感加以限制,或串聯(lián)負溫度系數的熱敏電阻。需要注意的是,電感在最大電流下不能飽和。一旦飽和,電感將跌落,再也不能限制 dIT/dt。無(wú)鐵芯的電感符合這個(gè)條件。一個(gè)更巧妙的解決辦法是采用零電壓導通,不必接入任何限制電流的器件。電流可以從正弦波起點(diǎn)開(kāi)始逐漸上升。
注意:零電壓導通只能用在電阻性負載。對于電感性負載,由于電壓和電流間存在相位差,使用這方法會(huì )引起“半波”或單極導通,可能使電感性負載飽和,導致破壞性的高峰電流,以及過(guò)熱。
審核編輯:黃飛
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原文標題:可控硅基礎及應用電路
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