Imec 與三井化學公司簽署戰略合作協議，將用于 EUV 光刻技術的 CNT 薄膜技術商業化

來源：半導體芯科技 SiSC編譯

魯汶（比利時），2023 年 12 月 14 日 — 世界領先的納米電子和數字技術研究和創新中心 Imec 與日本領先的化學公司和 EUV 薄膜供應商三井化學今天宣布建立戰略合作伙伴關系，將碳納米管 （CNT） 基薄膜商業化用于極紫外 （EUV） 光刻。在此次合作中，三井化學將把imec基于碳納米管的基本薄膜創新整合到三井化學的碳納米管薄膜技術中，以實現完整的生產規格，目標是在2025-2026年期間將其引入高功率EUV系統。該簽約儀式于2023年日本半導體展期間在東京舉行。

該戰略合作伙伴關系旨在通過咨詢和由imec進行的EUV掃描儀驗證，共同開發膜和EUV薄膜，以便在三井化學實現商業化。這些薄膜設計用于保護光掩模在EUV暴露期間免受污染，具有極高的EUV透射率（≧94%）、極低的EUV反射率和最小的光學影響，這些都是先進半導體制造中高產量和高產量的關鍵特性。此外，CNT薄膜還能夠承受超過1kW的EUV功率水平，從而支持未來的EUV光源路線圖（>600W）。這些特性引起了在大批量生產中使用EUV光刻技術的公司的濃厚興趣。因此，雙方將共同開發行業級CNT薄膜，以滿足市場需求。

“Imec在支持半導體生態系統推進光刻路線圖方面有著悠久的歷史。自 2015 年以來，我們與整個供應鏈的合作伙伴合作，為先進的 EUV 光刻開發了一種基于 CNT 的創新薄膜設計，“imec 高級圖案化、工藝和材料高級副總裁 Steven Scheer 說?！拔覀兿嘈?，我們對CNT膜的計量、表征、特性和性能的深入了解將加速三井化學的產品開發。我們希望共同將碳納米管薄膜投入生產，用于未來幾代EUV光刻技術。

光刻路線圖預計在2025-2026年推出新的薄膜，即下一代ASML 0.33NA EUV光刻系統將支持功率水平為600W及以上的光源。這個時間范圍與插入超過2nm的邏輯技術節點有關。

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審核編輯 黃宇