GaN濺射技術進展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。其技術發展將推動多個領域的技術發展，并滿足未來對高性能、高效能轉換和小型化的需求。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心盛大召開。期間“氮化鎵功率電子器件”分會上，來自日本ULVAC株式會社首席技術官牛山史三先生帶來了《GaN濺射技術進展》的演講。

ULVAC從20年前開始開發通過濺射方式生長n+-GaN薄膜，目前已有量產經驗，此次是首次在全世界范圍做技術邀請報告。本次主要宣講的設備技術來源于SEGul-200，其主要是在GaN LED，GaN-HEMT，GaN MOSFET領域的源漏極下方插入n+-GaN薄膜，用以降低接觸電阻，提升器件性能。通過濺射，可以實現高密度的載流子遷移率，而且可以在600～700℃的溫度下進行鍍膜，不需要使用MOCVD所用的危險氣體，而僅用Ar,N2即可完成。

報告展示了ULVAC在GaN器件領域的濺射技術解決方案，吸引了各大高校和企業的高度關注，并在現場引發了熱烈的咨詢和討論。

在本次論壇中，為表彰ULVAC在第三代半導體領域所做出的杰出貢獻，特授予“品牌力量”獎項。

會議期間，行業專家與ULVAC進行了深入交流，并對ULVAC SiC離子注入技術表示了高度認可和贊賞，對GaN領域未來的Sputter外延技術表示了極大的關注和期待。ULVAC株式會社將繼續致力于創新和研發，為第三代半導體行業的發展做出更大的貢獻。

審核編輯：劉清